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디스크리트 반도체(26937)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 전력 - 출력 얻다 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
MBRB20200CTT4G onsemi MBRB20200CTT4G 2.3300
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 ECAD 5065 0.00000000 온세미 스위치 모드™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20200 쇼트키 D²PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. MBRB20200CTT4GOSTR EAR99 8541.10.0080 800 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 200V 10A 10A에서 900mV 200V에서 1mA -65°C ~ 150°C
BC549BBU onsemi BC549BBU -
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 ECAD 6865 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC549 500mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 30V 100mA 15nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 300MHz
SMBZ1612LT1 onsemi SMBZ1612LT1 0.0200
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 ECAD 48 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
2N3393_D26Z onsemi 2N3393_D26Z -
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 ECAD 8552 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 2N339 625mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 25V 500mA 100nA(ICBO) NPN - 90 @ 2mA, 4.5V -
HUF75343G3 onsemi HUF75343G3 -
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 ECAD 7610 0.00000000 온세미 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 HUF75 MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 150 N채널 55V 75A(Tc) 10V 9m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 205nC @ 20V ±20V 3000pF @ 25V - 270W(Tc)
NSV20101JT1G onsemi NSV20101JT1G 0.6530
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 ECAD 2407 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 NSV20101 255mW SC-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 20V 1A 100nA(ICBO) NPN 220mV @ 100mA, 1A 200 @ 100mA, 2V 350MHz
NTQD6968NR2G onsemi NTQD6968NR2G -
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 ECAD 8822 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) NTQD69 MOSFET(금속) 1.39W 8-TSSOP 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 20V 6.2A 22m옴 @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250μA 17nC @ 4.5V 630pF @ 16V 게임 레벨 레벨
NDS7002A onsemi NDS7002A 0.3500
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 ECAD 1980년 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NDS7002 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 280mA(타) 5V, 10V 2옴 @ 500mA, 10V 2.5V @ 250μA ±20V 25V에서 50pF - 300mW(타)
NXH40T120L3Q1PG onsemi NXH40T120L3Q1PG -
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 ECAD 6992 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 방역 기준기준 NXH40 삼상 다리 정류기 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NXH40T120L3Q1PG EAR99 8541.29.0095 21 삼상 - 2.2V @ 15V, 40A 400μA 예
FDS6690AS onsemi FDS6690AS -
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 ECAD 7110 0.00000000 온세미 PowerTrench®, SyncFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) FDS6690 MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 10A(타) 4.5V, 10V 12m옴 @ 10A, 10V 3V @ 1mA 23nC @ 10V ±20V 910pF @ 15V - 2.5W(타)
FQPF11N50CF onsemi FQPF11N50CF 2.7300
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 ECAD 112 0.00000000 온세미 FRFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 FQPF11 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 11A(티씨) 10V 550m옴 @ 5.5A, 10V 4V @ 250μA 55nC @ 10V ±30V 2055pF @ 25V - 48W(Tc)
RFP3055LE onsemi RFP3055LE -
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 ECAD 2891 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 RFP30 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. RFP3055LE-NDR EAR99 8541.29.0095 400 N채널 60V 11A(티씨) 5V 107m옴 @ 8A, 5V 3V @ 250μA 11.3nC @ 10V ±16V 25V에서 350pF - 38W(Tc)
HUFA76645S3ST-F085 onsemi HUFA76645S3ST-F085 -
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 ECAD 1968년 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, UltraFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB HUFA76645 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 100V 75A(Tc) 4.5V, 10V 14m옴 @ 75A, 10V 3V @ 250μA 153nC @ 10V ±16V 25V에서 4400pF - 310W(Tc)
FQA70N10 onsemi FQA70N10 2.9800
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 ECAD 4309 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 FQA70 MOSFET(금속) TO-3PN 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 100V 70A(Tc) 10V 23m옴 @ 35A, 10V 4V @ 250μA 110nC @ 10V ±25V 3300pF @ 25V - 214W(Tc)
NDS9945 onsemi NDS9945 1.8100
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 ECAD 6 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) NDS994 MOSFET(금속) 900mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 60V 3.5A 100m옴 @ 3.5A, 10V 3V @ 250μA 30nC @ 10V 345pF @ 25V 게임 레벨 레벨
NTD4302T4 onsemi NTD4302T4 -
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 ECAD 1116 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NTD43 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. NTD4302T4OS EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 8.4A(Ta), 68A(Tc) 4.5V, 10V 10m옴 @ 20A, 10V 3V @ 250μA 80nC @ 10V ±20V 24V에서 2400pF - 1.04W(Ta), 75W(Tc)
NTF5P03T3G onsemi NTF5P03T3G 1.0200
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 ECAD 18 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA NTF5P03 MOSFET(금속) SOT-223 (TO-261) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 P채널 30V 3.7A(타) 4.5V, 10V 100m옴 @ 5.2A, 10V 3V @ 250μA 38nC @ 10V ±20V 25V에서 950pF - 1.56W(타)
1N4007GP onsemi 1N4007GP -
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 ECAD 7246 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1N4007 기준 DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 25,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1000V 1.1V @ 1A 1000V에서 10μA -55°C ~ 175°C 1A 15pF @ 4V, 1MHz
1N457A_T50R onsemi 1N457A_T50R -
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 ECAD 9376 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 1N457 기준 DO-35 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 30,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 70V 1V @ 100mA 60V에서 25nA 175°C(최대) 200mA 8pF @ 0V, 1MHz
NVTFS4C06NWFTAG onsemi NVTFS4C06NWFTAG 1.7300
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 ECAD 3473 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN NVTFS4 MOSFET(금속) 8-WDFN(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 30V 21A(타) 4.5V, 10V 4.2m옴 @ 30A, 10V 2.2V @ 250μA 26nC @ 10V ±20V 15V에서 1683pF - 3.1W(Ta), 37W(Tc)
2N7002DW onsemi 2N7002DW 0.4600
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 ECAD 81 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET(금속) 200mW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 115mA 7.5옴 @ 50mA, 5V 2V @ 250μA - 50pF @ 25V 게임 레벨 레벨
PN4416_D27Z onsemi PN4416_D27Z -
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 ECAD 8843 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 30V 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 PN441 400MHz JFET TO-92-3 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 N채널 - - - 4dB
SJD1023T4G onsemi SJD1023T4G -
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 ECAD 1013 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 SJD1023 - 488-SJD1023T4G 더 이상 사용하지 않는 경우 1
NTP095N65S3HF onsemi NTP095N65S3HF 6.4400
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 ECAD 1669년 0.00000000 온세미 SuperFET® III 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 NTP095 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 36A(티씨) 10V 95m옴 @ 18A, 10V 5V @ 860μA 66nC @ 10V ±30V 400V에서 2930pF - 272W(Tc)
NTDV18N06LT4G onsemi NTDV18N06LT4G -
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 ECAD 3821 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 NTDV18 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 18A(타) 5V 65m옴 @ 9A, 5V 2V @ 250μA 22nC @ 5V ±15V 675pF @ 25V - 2.1W(Ta), 55W(Tj)
IRFR120_R4941 onsemi IRFR120_R4941 -
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 ECAD 6664 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 100V 8.4A(Tc) 10V 270m옴 @ 5.9A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 50W(Tc)
NDD05N50Z-1G9 onsemi NDD05N50Z-1G9 0.3200
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 ECAD 6 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
KSC388CTA onsemi KSC388CTA -
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 ECAD 1596년 0.00000000 온세미 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 KSC388 300mW TO-92-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 25V 50mA 100nA(ICBO) NPN 200mV @ 1.5mA, 15mA 20 @ 12.5mA, 12.5V 300MHz
FQL50N40 onsemi FQL50N40 -
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 ECAD 2738 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-264-3, TO-264AA FQL5 MOSFET(금속) TO-264-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 375 N채널 400V 50A(Tc) 10V 75m옴 @ 25A, 10V 5V @ 250μA 210nC @ 10V ±30V 25V에서 7500pF - 460W(Tc)
FDFMA2P029Z onsemi FDFMA2P029Z -
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 ECAD 4081 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-VDFN 옆 패드 FDFMA2 MOSFET(금속) 6-MicroFET(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 3.1A(타) 2.5V, 4.5V 95m옴 @ 3.1A, 4.5V 250μA에서 1.5V 10nC @ 4.5V ±12V 10V에서 720pF 쇼트키 다이오드(절연) 1.4W(티제이)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

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