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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NRVTS1045EMFST1G onsemi NRVTS1045EMFST1G 0.8800
RFQ
ECAD 4961 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NRVTS1045 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 10 a 50 µa @ 45 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
SZBZX84C22LT1 onsemi SZBZX84C22LT1 0.0500
RFQ
ECAD 18 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
NTF3055L175T1 onsemi NTF3055L175T1 -
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NTF305 MOSFET (금속 (() SOT-223 (TO-261) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTF3055L175T1OS 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 2A (TA) 5V 175mohm @ 1a, 5V 2V @ 250µA 10 nc @ 5 v ± 15V 270 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
NDFP03N150CG onsemi NDFP03N150cg -
RFQ
ECAD 6330 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NDFP03 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NDFP03N150CGOS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1500 v 2.5A (TA) 10V 10.5ohm @ 1a, 10V - 34 NC @ 10 v ± 30V 650 pf @ 30 v - 2W (TA), 32W (TC)
MBRB20H100CTT4G onsemi MBRB20H100CTT4G 1.6700
RFQ
ECAD 3537 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
SBRV660VCTT4G onsemi SBRV660VCTT4G 1.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SBRV660 Schottky DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 3A 700 mv @ 3 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
NFAP1060L33T onsemi NFAP1060L33T -
RFQ
ECAD 2357 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NFAP1060L33T 귀 99 8542.39.0001 1
MBRB41H100CTT4G onsemi MBRB41H100CTT4G 2.0600
RFQ
ECAD 1864 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB41 Schottky d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 800 mV @ 20 a 10 µa @ 100 v 175 ° C (°)
BC856BM3T5G onsemi BC856BM3T5G 0.2200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 BC856 265 MW SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
MJE5730 onsemi MJE5730 -
RFQ
ECAD 4048 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MJE57 40 W. TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJE5730OS 귀 99 8541.29.0095 50 300 v 1 a 1MA PNP 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300ma, 10V 10MHz
BD235STU onsemi BD235STU -
RFQ
ECAD 3145 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD235 25 W. TO-126-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 60 v 2 a 100µA (ICBO) NPN 600mv @ 100ma, 1a 25 @ 1a, 2v 3MHz
NSVMUN5135DW1T1G onsemi NSVMUN5135DW1T1G 0.4200
RFQ
ECAD 9389 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NSVMUN5135 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 2.2kohms 47kohms
MMBF4416A onsemi MMBF4416A 0.3900
RFQ
ECAD 75 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 35 v 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF4416 400MHz JFET SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 n 채널 15MA 5 MA - - 4db 15 v
FDMS7650DC onsemi FDMS7650DC 5.7000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 온세미 Dual Cool ™, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS7650 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 47A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 0.99mohm @ 36a, 10V 2.7V @ 250µA 206 NC @ 10 v ± 20V 14765 pf @ 15 v - 3.3W (TA), 125W (TC)
FQPF630 onsemi FQPF630 1.4100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF6 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 6.3A (TC) 10V 400mohm @ 3.15a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 550 pf @ 25 v - 38W (TC)
KSD363YTU onsemi KSD363YTU 1.4600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSD363 40 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-KSD363YTU 귀 99 8541.29.0095 50 120 v 6 a 1MA (ICBO) NPN 1V @ 100MA, 1A 120 @ 1a, 5V 10MHz
BCX17LT1 onsemi BCX17LT1 -
RFQ
ECAD 2397 0.00000000 온세미 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 BCX17 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
TIP140 onsemi 팁 140 -
RFQ
ECAD 8686 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 팁 140 125 w TO-247-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 60 v 10 a 2MA npn-달링턴 3V @ 40MA, 10A 1000 @ 5a, 4V -
SZMMSZ4707T1G onsemi SZMMSZ4707T1G 0.3900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 SZMMSZ4707 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 15.2 v 20 v
MBR10100H onsemi MBR10100H -
RFQ
ECAD 8401 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1010 Schottky TO-220-2 - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
HUFA76407D3ST onsemi hufa76407d3st -
RFQ
ECAD 8717 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa76 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 16V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
NVMFS4C03NT1G onsemi NVMFS4C03NT1G 2.1900
RFQ
ECAD 2251 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 31.4A (TA), 143A (TC) 4.5V, 10V 2.1MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 45.2 NC @ 10 v ± 20V 3071 pf @ 15 v - 3.71W (TA), 77W (TC)
BC557TA onsemi BC557TA -
RFQ
ECAD 5988 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC557 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
FJY3007R onsemi fjy3007r -
RFQ
ECAD 9964 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-89, SOT-490 fjy300 200 MW SC-89-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
1N5404RLG onsemi 1N5404RLG 0.4000
RFQ
ECAD 87 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 1N5404 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 400 v 1 V @ 3 a 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
SBAT54SLT1G onsemi sbat54slt1g 0.3800
RFQ
ECAD 408 0.00000000 온세미 자동차 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SBAT54 Schottky SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C
MM3Z27VC onsemi MM3Z27VC -
RFQ
ECAD 9988 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F MM3Z27 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 18.9 v 27 v 75 옴
NRVUS1KFA onsemi nrvus1kfa 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F nrvus1 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MJE5742G onsemi MJE5742G 1.8100
RFQ
ECAD 4520 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MJE5742 2 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 8 a - npn-달링턴 3V @ 400ma, 8a 200 @ 2a, 5V -
2SC3457M onsemi 2SC3457m 0.6700
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 340
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고