SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2N6490 onsemi 2N6490 -
RFQ
ECAD 8124 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2N6490 1.8 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 15 a 1MA PNP 3.5V @ 5a, 15a 20 @ 5a, 4v 5MHz
BZX55C39_T50R onsemi BZX55C39_T50R -
RFQ
ECAD 4486 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55C39 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.3 v @ 100 ma 100 na @ 28 v 39 v 90 옴
BZX79C4V7-T50A onsemi BZX79C4V7-T50A 0.1700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C4 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
MM5Z2V4ST1G onsemi MM5Z2V4ST1G 0.3000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 MM5Z2 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 120 µa @ 1 v 2.53 v 100 옴
MM5Z9V1T1G onsemi mm5z9v1t1g 0.2600
RFQ
ECAD 36 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 MM5Z9 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 9.1 v 15 옴
2N3904TA onsemi 2N3904TA 0.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N3904 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 200 MA - NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
1N5343BG onsemi 1N5343BG 0.4900
RFQ
ECAD 5139 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5343 5 w 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 5.7 v 7.5 v 1.5 옴
NDB4050 onsemi NDB4050 -
RFQ
ECAD 7568 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NDB405 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 50 v 15A (TC) 10V 100mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 50W (TC)
BZX79C27RL onsemi BZX79C27RL 0.0200
RFQ
ECAD 8726 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 3,333
TIP100 onsemi TIP100 -
RFQ
ECAD 2612 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TIP100 2 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 8 a 50µA npn-달링턴 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3A, 4V -
MBR16100CTG onsemi MBR16100CTG 1.9400
RFQ
ECAD 468 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR16100 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MBR16100CTGOS 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 8a 740 mV @ 8 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
MPS5172 onsemi MPS5172 -
RFQ
ECAD 7561 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPS517 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MPS5172OS 귀 99 8541.21.0095 5,000 25 v 100 MA 100NA NPN 250mv @ 1ma, 10ma 100 @ 10ma, 10V -
2SC4919-S-TL-E onsemi 2SC4919-S-TL-E 0.1400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-2SC4919-S-TL-E-488 1
NFAM5065L4BTL onsemi NFAM5065L4BTL 34.3700
RFQ
ECAD 5760 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 39-powerdip ower (1.413 ", 35.90mm), 30 개의 리드 IGBT NFAM5065 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NFAM5065L4BTL 귀 99 8542.39.0001 90 3 상 인버터 50 a 650 v 2500VRMS
2N3903_D26Z onsemi 2N3903_D26Z -
RFQ
ECAD 7293 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N3903 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 40 v 200 MA - NPN 300mv @ 5ma, 50ma 50 @ 10ma, 1v -
MMBZ5249BLT1G onsemi MMBZ5249BLT1G 0.1400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5249 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
BAV70DXV6T1G onsemi bav70dxv6t1g -
RFQ
ECAD 8678 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 bav70 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000
MUR105RL onsemi mur105rl -
RFQ
ECAD 6733 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MUR10 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 875 mv @ 1 a 35 ns 2 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
2SD1801S-TL-E onsemi 2SD1801S-TL-E -
RFQ
ECAD 3341 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1801 800MW TP-FA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 700 50 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 1a 100 @ 100ma, 2v 150MHz
2N6042 onsemi 2N6042 -
RFQ
ECAD 5236 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2N6042 75 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 8 a 20µA pnp- 달링턴 2v @ 12ma, 3a 1000 @ 3A, 4V -
BC337-040G onsemi BC337-040G -
RFQ
ECAD 9355 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BC337 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 210MHz
BC328 onsemi BC328 -
RFQ
ECAD 5280 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC328 625 MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
ECH8651R-TL-H onsemi ECH8651R-TL-H -
RFQ
ECAD 6001 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8651 MOSFET (금속 (() 1.5W 8- 초 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 24V 10A 14mohm @ 5a, 4.5v - 24NC @ 10V - 논리 논리 게이트
2N6518TA onsemi 2N6518TA -
RFQ
ECAD 1824 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N6518 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 250 v 500 MA 50NA (ICBO) PNP 1V @ 5MA, 50MA 45 @ 50MA, 10V 200MHz
BDX34B onsemi BDX34B -
RFQ
ECAD 4744 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BDX34 70 W. TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 10 a 500µA pnp- 달링턴 2.5V @ 6MA, 3A 750 @ 3a, 3v -
2N6040 onsemi 2N6040 -
RFQ
ECAD 3704 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2N6040 75 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2N6040OS 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 8 a 20µA pnp- 달링턴 2V @ 16MA, 4A 1000 @ 4a, 4v -
MBR2545CTH onsemi MBR2545CTH -
RFQ
ECAD 2414 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2545 Schottky TO-220 - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 620 MV @ 15 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 175 ° C
1N4448WS onsemi 1N4448WS 0.2200
RFQ
ECAD 189 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F 1N4448 기준 SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
SMMBT2369LT1G onsemi SMMBT2369LT1G -
RFQ
ECAD 4570 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMMBT2369 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 15 v 200 MA 400NA NPN 250mv @ 1ma, 10ma 40 @ 10ma, 1v -
MURA260T3 onsemi MURA260T3 -
RFQ
ECAD 2610 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA MURA260 기준 SMA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.45 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고