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불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 얻다 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
STD3055L104T4G onsemi STD3055L104T4G -
RFQ
 ECAD 2301 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - STD30 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 - - - - - - - -
MPSA14_D75Z onsemi MPSA14_D75Z -
RFQ
 ECAD 1438 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPSA14 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
KSA643GBU onsemi KSA643GBU -
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA643 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 20 v 500 MA 200NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 200 @ 100ma, 1v -
SBC847BWT1G-M02 onsemi SBC847BWT1G-M02 0.0600
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 310 MW SC-70-3 (SOT323) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-SBC847BWT1G-M02 귀 99 8541.21.0095 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
MMSZ5248BT1 onsemi MMSZ5248BT1 -
RFQ
 ECAD 8493 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ524 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 18 v 21 옴
TIP106 onsemi 팁 106 -
RFQ
 ECAD 3264 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 106 2 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 8 a 50µA pnp- 달링턴 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3A, 4V -
SURA8105T3G onsemi SURA8105T3G -
RFQ
 ECAD 3990 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 SURA8105 다운로드 488-sura8105t3g 쓸모없는 1
BC327-40ZL1 onsemi BC327-40ZL1 0.0400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 BC327 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000
MMUN2215LT1 onsemi MMUN2215LT1 -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMUN2215 246 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 1ma, 10ma 160 @ 5MA, 10V 10 KOHMS
NFAL3512L5B onsemi NFAL3512L5B -
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 온세미 SPM® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 30-powerdip ip (1.385 ", 35.17mm) IGBT NFAL3512 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 488-NFAL3512L5B 귀 99 8542.39.0001 6 1 단계 인버터 35 a 1.2kV 2500VRMS
PN3646_D26Z onsemi PN3646_D26Z -
RFQ
 ECAD 5302 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN364 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 15 v 300 MA 500NA NPN 500mv @ 3ma, 300ma 30 @ 30MA, 400MV -
FFSP2065B-F085 onsemi FFSP2065B-F085 6.5200
RFQ
 ECAD 9845 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 FFSP2065 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 40 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A 866pf @ 1v, 100khz
MBRD630CTT4 onsemi MBRD630CTT4 -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD630 Schottky DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 3A 700 mv @ 3 a 100 µa @ 30 v -65 ° C ~ 175 ° C
FDG6308P onsemi FDG6308P -
RFQ
 ECAD 6550 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG6308 MOSFET (금속 (() 300MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 600ma 400mohm @ 600ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 153pf @ 10V 논리 논리 게이트
2N6519TA onsemi 2N6519TA -
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N6519 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 300 v 500 MA 50NA (ICBO) PNP 1V @ 5MA, 50MA 40 @ 50MA, 10V 200MHz
SMUN5314DW1T1G onsemi smun5314dw1t1g 0.4100
RFQ
 ECAD 4315 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 smun5314 187MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 10kohms 47kohms
NTA4153NT1 onsemi NTA4153NT1 -
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 NTA41 MOSFET (금속 (() SC-75, SOT-416 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 915MA (TA) 1.5V, 4.5V 230mohm @ 600ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 1.82 NC @ 4.5 v ± 6V 110 pf @ 16 v - 300MW (TJ)
BCP69 onsemi BCP69 -
RFQ
 ECAD 9952 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP69 1 W. SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 20 v 1.5 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V -
BAS19_S00Z onsemi BAS19_S00Z -
RFQ
 ECAD 5652 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS19 기준 SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 120 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
2N6667 onsemi 2N6667 -
RFQ
 ECAD 9890 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2N6667 2 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 10 a 1MA pnp- 달링턴 3V @ 100MA, 10A 1000 @ 5a, 3v -
BZX84C27LT3G onsemi BZX84C27LT3G -
RFQ
 ECAD 8645 0.00000000 온세미 bzx84cxxxlt1g 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C27 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
NRVUS240T3G onsemi NRVUS240T3G 0.5800
RFQ
 ECAD 7012 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB NRVUS240 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 65 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
FDMS86102LZ onsemi FDMS86102LZ 2.0900
RFQ
 ECAD 3029 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS86102 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7A (TA), 22A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1305 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
2SC4452-3-TL-E onsemi 2SC4452-3-TL-E -
RFQ
 ECAD 1022 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-2SC4452-3-TL-E-488 1
BYW80-200G onsemi BYW80-200G 1.2500
RFQ
 ECAD 1196 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 BYW80 기준 TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 22 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
MPSA14 onsemi MPSA14 -
RFQ
 ECAD 1203 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPSA14 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
KSD1621TTF onsemi KSD1621TTF -
RFQ
 ECAD 4964 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA KSD1621 500MW SOT-89-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 25 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 75ma, 1.5a 200 @ 100ma, 2v 150MHz
KSC2787OTA onsemi KSC2787ota -
RFQ
 ECAD 2681 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 KSC2787 250 MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1ma, 10ma 70 @ 1ma, 6V 300MHz
NSS60600MZ4T3G onsemi NSS60600MZ4T3G 0.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NSS60600 800MW SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 60 v 6 a 100NA (ICBO) PNP 350MV @ 600MA, 6A 120 @ 1a, 2v 100MHz
MPSH81_D26Z onsemi MPSH81_D26Z -
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPSH81 350MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 - 20V 50ma PNP 60 @ 5MA, 10V 600MHz -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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