SIC
close

불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FJB5555TM onsemi FJB5555TM -
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 fjb55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800
NDS8435 onsemi NDS8435 -
RFQ
 ECAD 5967 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS843 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7A (TA) 28mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 10 v 1500 pf @ 15 v -
PN2369_D27Z onsemi PN2369_D27Z -
RFQ
 ECAD 6548 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN236 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 15 v 200 MA 400NA (ICBO) NPN 250mv @ 1ma, 10ma 40 @ 10ma, 1v -
NSS40300MZ4T3G onsemi NSS40300MZ4T3G 0.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NSS40300 2 w SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 40 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 300ma, 3a 175 @ 1a, 1v 160MHz
FCP7N60 onsemi FCP7N60 2.7500
RFQ
 ECAD 342 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP7 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 920 pf @ 25 v - 83W (TC)
NTD15N06LT4G onsemi NTD15N06LT4G 0.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,061 n 채널 60 v 15A (TA) 5V 100mohm @ 7.5a, 5V 2V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 15V 440 pf @ 25 v - 1.5W (TA), 48W (TJ)
NTP082N65S3F onsemi NTP082N65S3F 7.8300
RFQ
 ECAD 4070 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® II 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP082 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 40A (TC) 10V 82mohm @ 20a, 10V 5V @ 4MA 81 NC @ 10 v ± 30V 3410 pf @ 400 v - 313W (TC)
PCP1203-P-TD-H onsemi PCP1203-P-TD-H -
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PCP1203 1.3 w PCP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 225mv @ 15ma, 750ma 200 @ 100ma, 2v 500MHz
2SA2126-H onsemi 2SA2126-H 0.7700
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SA2126 800MW TP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2156-2SA2126-H 귀 99 8541.21.0075 500 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 520MV @ 100MA, 2A 200 @ 100ma, 2v 390MHz
FQPF5N30 onsemi FQPF5N30 -
RFQ
 ECAD 9822 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF5 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 3.9A (TC) 10V 900mohm @ 1.95a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 430 pf @ 25 v - 35W (TC)
SZMM5Z4694T5G onsemi SZMM5Z4694T5G 0.0574
RFQ
 ECAD 3051 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SZMM5Z4XXXTXG 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-SZMM5Z4694T5GTR 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 6.2 v 8.2 v
SMMBT2222ALT1G onsemi SMMBT2222ALT1G 0.2800
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMMBT2222 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
SBCP56T1G onsemi SBCP56T1G 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA SBCP56 1.5 w SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 130MHz
MMBZ5230BLT3G onsemi MMBZ5230BLT3G -
RFQ
 ECAD 3529 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
MCH3245-TL-E onsemi MCH3245-TL-E -
RFQ
 ECAD 7342 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MCH3245 800MW 3mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 260MV @ 50MA, 1A 200 @ 100ma, 2v 420MHz
T2500D onsemi T2500D -
RFQ
 ECAD 3319 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 T250 TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 30 MA 기준 400 v 6 a 2.5 v 60A @ 60Hz 25 MA
1N4733ATR onsemi 1N4733AT 0.2900
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4733 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
FQB5N40TM onsemi FQB5N40TM -
RFQ
 ECAD 5176 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB5 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 4.5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.25a, ​​10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 70W (TC)
ECH8653-S-TL-H onsemi ECH8653-S-TL-H -
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8653 - - 8- 초 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
FQP9N25CTSTU onsemi fqp9n25ctstu -
RFQ
 ECAD 9648 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP9 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8.8A (TC) 10V 430mohm @ 4.4a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 710 pf @ 25 v - 74W (TC)
PN2907A_J05Z onsemi PN2907A_J05Z -
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN290 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,500 60 v 800 MA 20NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
RGF1J onsemi RGF1J 0.4400
RFQ
 ECAD 8496 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RGF1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
FSB70250 onsemi FSB70250 7.5700
RFQ
 ECAD 9402 0.00000000 온세미 spm® 7 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 27-powerlqfn 모듈 MOSFET FSB702 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 3 단계 3.3 a 500 v 1500VRMS
FQP7N80 onsemi FQP7N80 -
RFQ
 ECAD 3821 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP7 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 6.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 3.3a, 10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1850 pf @ 25 v - 167W (TC)
MUR415RL onsemi MUR415RL -
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 MUR41 기준 축 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 890 mV @ 4 a 35 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 4a -
2N5210BU onsemi 2N5210BU -
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5210 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 50NA NPN 700mv @ 1ma, 10ma 200 @ 100µa, 5V 30MHz
3LP01SS-TL-H onsemi 3LP01SS-TL-H -
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 3LP01 MOSFET (금속 (() SMCP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 30 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 10.4ohm @ 50ma, 4v - 1.43 NC @ 10 v ± 10V 7.5 pf @ 10 v - 150MW (TA)
NSVT3904DP6T5G onsemi NSVT3904DP6T5G 0.1265
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 NSVT3904 350MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 40V 200ma - 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 200MHz
2SJ661-1E onsemi 2SJ661-1E -
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 2SJ661 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 38A (TA) 4V, 10V 39mohm @ 19a, 10V - 80 nc @ 10 v ± 20V 4360 pf @ 20 v - 1.65W (TA), 65W (TC)
NTMSD2P102LR2 onsemi NTMSD2P102LR2 -
RFQ
 ECAD 7044 0.00000000 온세미 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMSD2 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 2.3A (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 10V 750 pf @ 16 v Schottky 분리 (다이오드) 710MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다