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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 - 최대 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 @ if, f | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | BZX55C9V1_T50R | - | ![]() | 5488 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | BZX55C9 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.3 v @ 100 ma | 100 na @ 7 v | 9.1 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGF1A | 0.6000 | ![]() | 9511 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | EGF1 | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF6N60C | - | ![]() | 9577 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF6 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 5.5A (TC) | 10V | 2ohm @ 2.75a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 810 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMSF3P02HDR2SG | - | ![]() | 4481 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MMSF3P | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 5.6A (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 3a, 10V | 2V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 16 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4134S-E | - | ![]() | 8345 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | 2SC4134 | 800MW | TP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 500 | 100 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 40ma, 400ma | 140 @ 100MA, 5V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | KSP25TA | - | ![]() | 2434 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | KSP25 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.5V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | szmm3z3v9t1g | 0.3800 | ![]() | 1015 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | szmm3 | 300MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 3.9 v | 90 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | mpsh10rlra | - | ![]() | 6650 | 0.00000000 | 온세미 | * | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | MPSH10 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 |
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