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불연속 불연속 제품 (26937)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
1N5338BRLG	0.4900	RFQ	1911	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5338		5 w	축	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																1.2 v @ 1 a		1 µa @ 1 v							5.1 v	1.5 옴
2SK3823	-	RFQ	6908	온세미	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	2SK3823	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	100		n 채널	60 v	40A (TA)	4V, 10V	27.5mohm @ 20a, 10V	2.6v @ 1ma	40 nc @ 10 v	± 20V	1780 pf @ 20 v	-	1.75W (TA), 45W (TC)
SMBZ1463LT1	0.0200	RFQ	90	온세미	*	대부분	활동적인									-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	3,000
2N5400_D27Z	-	RFQ	6685	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	2N5400		625 MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000																						120 v	600 MA	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 5ma, 50ma	40 @ 10ma, 5V	400MHz
RHRG1560CC	-	RFQ	7102	온세미	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	RHRG1560	기준		TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	30	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	600 v	15a	2.1 V @ 15 a	40 ns	100 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C
1SMB5955BT3G	0.3800	RFQ	8588	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5955		3 w	SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 136.8 v							180 v	900 옴
2SA1526-AA	0.1000	RFQ	10	온세미	*	대부분	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	1
2SJ661-DL-1E	-	RFQ	3343	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	2SJ661	MOSFET (금속 (()		TO-263-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	60 v	38A (TA)	4V, 10V	39mohm @ 19a, 10V	-	80 nc @ 10 v	± 20V	4360 pf @ 20 v	-	1.65W (TA), 65W (TC)
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FX509-N-TL-E	0.4100	RFQ	419	온세미	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0075	1,000
KSD560RTSTU	1.0600	RFQ	1	온세미	-	튜브	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	KSD560		1.5 w	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50																						100 v	5 a	1µA (ICBO)			npn-달링턴	1.5V @ 3MA, 3A	2000 @ 3a, 2v	-
fjns4210rbu	-	RFQ	4967	온세미	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸	fjns42		300MW	92S	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																						40 v	100 MA	100NA (ICBO)			pnp- 사전-	300mv @ 1ma, 10ma	100 @ 1ma, 5V	200MHz	10 KOHMS
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smun5115dw1t1g	0.4100	RFQ	1	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	smun5115		187MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																						50V	100ma	500NA			2 pnp--바이어스 (듀얼)	250MV @ 300µA, 10MA	160 @ 5MA, 10V	-	10kohms	-
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BD159STU-ON	-	RFQ	1283	온세미	-	대부분	활동적인		50 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3			20 W.	TO-126-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1																						350 v	500 MA	100µA (ICBO)			NPN	-	30 @ 50MA, 10V	-
MMBZ5237B_D87Z	-	RFQ	5390	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		350 MW	SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6.5 v							8.2 v	8 옴
2SC4272F-TD-E	0.3600	RFQ	21	온세미	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0075	1,000
MMSD4148	-	RFQ	5493	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123	MMSD41	기준		SOD-123	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													100 v		1 V @ 10 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	150 ° C (°)	200ma	4pf @ 0V, 1MHz
KSA733CLBU	-	RFQ	1685	온세미	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	KSA733		250 MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	1,000																						50 v	150 MA	100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 10ma, 100ma	350 @ 1ma, 6v	180MHz
FJN4311RTA	-	RFQ	4756	온세미	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	FJN431		300MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000																						40 v	100 MA	100NA (ICBO)			pnp- 사전-	300mv @ 1ma, 10ma	100 @ 1ma, 5V	200MHz	22 KOHMS
FDPF51N25	2.8800	RFQ	3	온세미	unifet ™	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	FDPF51	MOSFET (금속 (()		TO-220F-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	250 v	51A (TC)	10V	60mohm @ 25.5a, 10V	5V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 30V	3410 pf @ 25 v	-	38W (TC)
MBR20L45CTG	1.7000	RFQ	221	온세미	스위치 스위치 ™	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR20L45	Schottky		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	10A	500 mV @ 10 a		500 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
nz8f6v2smx2wt5g	0.0456	RFQ	2634	온세미	NZ8F	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.26%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	2-xdfn			250 MW	2-x2dfnw (1x0.6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-NZ8F6V2SMX2WT5GTR	귀 99	8541.10.0050	8,000																900 mV @ 10 ma		1 µa @ 3 v							6.2 v	60 옴
BC214LB_J35Z	-	RFQ	4666	온세미	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC214		625 MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000																						30 v	500 MA	15NA (ICBO)			PNP	600mv @ 5ma, 100ma	140 @ 2MA, 5V	200MHz
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BZX79C3V9_T50R	-	RFQ	3045	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79C3		500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.5 v @ 100 ma		10 µa @ 1 v							3.9 v	90 옴
1N6017B_T50A	-	RFQ	3916	온세미	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6017		500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		100 na @ 39 v							51 v	180 옴
1SMB5914BT3	-	RFQ	5819	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5914		3 w	SMB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																1.5 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v							3.6 v	9 옴
1N5249B_T50A	-	RFQ	2146	온세미	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5249		500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		100 na @ 14 v							19 v	23 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (26937)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²