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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
NGD15N41CLT4 onsemi NGD15N41CLT4 -
RFQ
 ECAD 8552 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NGD15 논리 107 w DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NGD15N41CLT4OSTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 6.5A, 1kohm - 440 v 15 a 50 a 2.2V @ 4V, 10A - -/4µs
BC559ABU onsemi BC559ABU -
RFQ
 ECAD 9503 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC559 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
BC557BTAR onsemi BC557BTAR -
RFQ
 ECAD 2483 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC557 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
1N757A_T50R onsemi 1N757A_T50R -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N757 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 9.1 v 10 옴
1N5360B onsemi 1N5360B -
RFQ
 ECAD 2022 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5360 5 w 축 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1N5360BOS 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 19 v 25 v 4 옴
FDP060AN08A0 onsemi FDP060AN08A0 2.9800
RFQ
 ECAD 6002 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP060 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 16A (TA), 80A (TC) 6V, 10V 6ohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5150 pf @ 25 v - 255W (TC)
FDS8926A onsemi FDS8926A -
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.5A 30mohm @ 5.5a, 4.5v 1V @ 250µA 28NC @ 4.5V 900pf @ 10V 논리 논리 게이트
KSA473YTSTUA onsemi KSA473YTSTUA -
RFQ
 ECAD 8726 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 10 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 488-KSA473YTSTUA 귀 99 8541.29.0075 50 30 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 800mv @ 200ma, 2a 120 @ 500ma, 2V 100MHz
BZX84C5V6_S00Z onsemi BZX84C5V6_S00Z -
RFQ
 ECAD 7212 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5 550 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.75 v 10 옴
NTMFS08N004C onsemi NTMFS08N004C 4.7500
RFQ
 ECAD 1071 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFS08 MOSFET (금속 (() 8-PQFN (5x6), Power56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 126A (TC) 6V, 10V 4MOHM @ 44A, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 4250 pf @ 40 v - 125W (TC)
FNC42060F2-ZA02 onsemi FNC42060F2-ZA02 12.6000
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 온세미 SPM® 45 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (1.024 ", 26.00mm) IGBT 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-FNC42060F2-ZA02 귀 99 8542.39.0001 12 3 단계 20 a 600 v 2000VRMS
FDH444 onsemi FDH444 0.3300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 FDH444 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 125 v 1.2 v @ 300 ma 60 ns 50 na @ 100 v 175 ° C (°) 200ma 2.5pf @ 0v, 1MHz
MJE344 onsemi MJE344 -
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 MJE34 20 W. TO-126 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 200 v 500 MA 1MA NPN 1V @ 5MA, 50MA 30 @ 50MA, 10V 15MHz
NHPD660T4G onsemi NHPD660T4G -
RFQ
 ECAD 1836 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NHPD660 기준 DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 v @ 6 a 30 ns 30 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
BAW76_T50R onsemi BAW76_T50R -
RFQ
 ECAD 4412 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAW76 기준 DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 50 v 175 ° C (°) 300ma 2pf @ 0V, 1MHz
NTBLS1D1N08H onsemi NTBLS1D1N08H 10.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn NTBLS1 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 41A (TA), 351A (TC) 10V 1.05mohm @ 50a, 10V 4V @ 650µA 166 NC @ 10 v ± 20V 11200 pf @ 40 v - 4.2W (TA), 311W (TC)
NSR05301MX4T5G onsemi NSR05301MX4T5G 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 01005 (0402 메트릭) NSR05301 Schottky 2-x4dfn (0.45x0.24) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 800 mV @ 500 mA 11 ns 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 19pf @ 5V, 1MHz
NTJD4105CT2G onsemi NTJD4105CT2G 0.4200
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJD4105 MOSFET (금속 (() 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V, 8V 630ma, 775ma 375mohm @ 630ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 논리 논리 게이트
PN200_D74Z onsemi PN200_D74Z -
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN200 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 500 MA 50NA PNP 400mv @ 20ma, 200ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
FDU6688 onsemi FDU6688 -
RFQ
 ECAD 7308 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fdu66 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 84A (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 5 v ± 20V 3845 pf @ 15 v - 83W (TA)
BZX79C11 onsemi BZX79C11 0.2400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C11 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
2SC4454Q-AC onsemi 2SC4454Q-AC 0.0800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 2,500
FDN302P onsemi fdn302p 0.5300
RFQ
 ECAD 3470 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN302 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.4A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 12V 882 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2SK536-TB-E onsemi 2SK536-TB-E -
RFQ
 ECAD 7257 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK536 MOSFET (금속 (() 3-cp - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 100MA (TA) 10V 20ohm @ 10ma, 10V - ± 12V 15 pf @ 10 v - 200MW (TA)
FDS4141 onsemi FDS4141 -
RFQ
 ECAD 3361 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS41 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 10.8A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 10.5a, 10V 3V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 2670 pf @ 20 v - 5W (TA)
SBT350-06J onsemi SBT350-06J -
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SBT350 Schottky TO-220ML 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 35a 600 mV @ 15 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84B18LT1G onsemi BZX84B18LT1G 0.2100
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
BC183C onsemi BC183C -
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC183 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 150MHz
SZMM5Z4689T1G onsemi szmm5z4689t1g 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 SZMM5 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 3 v 5.1 v
MM5Z4694T5G onsemi MM5Z4694T5G 0.0583
RFQ
 ECAD 1348 0.00000000 온세미 mm5z4xxxtxg 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-MM5Z4694T5GTR 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 6.2 v 8.2 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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