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불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MM5Z12VT1 onsemi MM5Z12VT1 -
RFQ
 ECAD 8265 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 MM5Z1 200 MW SOD-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MM5Z12VT1OS 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
BZX84B5V6LT1G onsemi BZX84B5V6LT1G 0.2100
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
FJNS7565BU onsemi fjns7565bu -
RFQ
 ECAD 3666 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 fjns75 550 MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 10 v 5 a 100NA (ICBO) NPN 450MV @ 60MA, 3A 450 @ 500ma, 2v -
DAP222T1 onsemi DAP222T1 -
RFQ
 ECAD 6048 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 DAP222 기준 SC-75, SOT-416 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DAP222T1OS 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 80 v 100MA (DC) 1.2 v @ 100 ma 10 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
MMSZ5235BT1 onsemi MMSZ5235BT1 -
RFQ
 ECAD 6819 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ523 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
SZBZX84B3V3LT1G onsemi szbzx84b3v3lt1g 0.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BC33716 onsemi BC33716 -
RFQ
 ECAD 4802 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC337 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
FJAF4310RTU onsemi fjaf4310rtu -
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 fjaf4310 80 W. to-3pf 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 30 140 v 10 a 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 500ma, 5a 50 @ 3a, 4v 30MHz
FSBCW30 onsemi FSBCW30 -
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FSBCW3 500MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 32 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 300MV @ 500µA, 10MA 215 @ 2MA, 5V -
TIP29CG onsemi tip29cg 1.1700
RFQ
 ECAD 1471 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 29 2 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 1 a 300µA NPN 700mv @ 125ma, 1a 15 @ 1a, 4v 3MHz
MSD601-ST1G onsemi MSD601-ST1G -
RFQ
 ECAD 9484 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MSD60 200 MW SC-59 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA NPN 500mv @ 10ma, 100ma 290 @ 2MA, 10V -
1N5355BRL onsemi 1N5355BRL -
RFQ
 ECAD 2765 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5355 5 w 축 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 13.7 v 18 v 2.5 옴
FJPF3305H2TU onsemi fjpf3305h2tu 1.4100
RFQ
 ECAD 274 0.00000000 온세미 - 튜브 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 fjpf3305 30 w TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 4 a 1µA (ICBO) NPN 1v @ 1a, 4a 26 @ 1a, 5V 4MHz
MJE5731G onsemi MJE5731G 1.5300
RFQ
 ECAD 6119 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MJE5731 40 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 350 v 1 a 1MA PNP 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300ma, 10V 10MHz
MJE210 onsemi MJE210 -
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 MJE210 15 w TO-126 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJE210OS 귀 99 8541.29.0075 500 40 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 1.8v @ 1a, 5a 45 @ 2A, 1V 65MHz
NVHL082N65S3F onsemi NVHL082N65S3f 9.3300
RFQ
 ECAD 8368 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NVHL082 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2156-NVHL082N65S3F-488 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 650 v 40A (TC) 10V 82mohm @ 20a, 10V 5V @ 4MA 81 NC @ 10 v ± 30V 3410 pf @ 400 v - 313W (TC)
MMSZ5259BT1G onsemi MMSZ5259BT1G 0.2100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 MMSZ52XXXT1G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ525 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 30 v 39 v 80 옴
BZX84C9V1ET3G onsemi BZX84C9V1ET3G -
RFQ
 ECAD 6593 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C9 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
NSS60601MZ4T1G onsemi NSS60601MZ4T1G 0.7400
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NSS60601 800MW SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 60 v 6 a 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 600ma, 6a 120 @ 1a, 2v 100MHz
MM3Z36VT1 onsemi MM3Z36VT1 -
RFQ
 ECAD 5830 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MM3Z3 200 MW SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
NVMYS2D9N04CLTWG onsemi NVMYS2D9N04CLTWG 1.7700
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK NVMYS2 MOSFET (금속 (() LFPAK4 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 27A (TA), 110A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 40a, 10V 2V @ 60µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 20 v - 3.7W (TA), 68W (TC)
BZX79C30-T50A onsemi BZX79C30-T50A -
RFQ
 ECAD 9341 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C30 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
BZX79C4V3-T50A onsemi BZX79C4V3-T50A 0.0286
RFQ
 ECAD 3021 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C4 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
MJD2955RLG onsemi MJD2955RLG -
RFQ
 ECAD 9839 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD2955 1.75 w DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 60 v 10 a 50µA PNP 8V @ 3.3A, 10A 20 @ 4a, 4v 2MHz
STK5MFU3C1A-E onsemi stk5mfu3c1a-e -
RFQ
 ECAD 4410 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 28-powersip ip, 23 개의 리드, 형성 된 리드 IGBT STK5MF 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 280 3 단계 53 a 600 v 2000VRMS
2N3906G onsemi 2N3906G -
RFQ
 ECAD 9129 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2N3906 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 40 v 200 MA - PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
MPS2907ARLRA onsemi MPS2907ARLRA -
RFQ
 ECAD 9335 0.00000000 온세미 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 MPS290 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000
FJNS4201RTA onsemi FJNS4201RTA -
RFQ
 ECAD 1720 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 fjns42 300MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SA2125-S-TD-E onsemi 2SA2125-S-TD-E -
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-243AA 2SA2125 3.5 w PCP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 2a 200 @ 100ma, 2v 390MHz
TIP32 onsemi 팁 32 -
RFQ
 ECAD 9018 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 32 2 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 40 v 3 a 300µA PNP 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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