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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
NJVMJD45H11T4G onsemi NJVMJD45H11T4G 0.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NJVMJD45 1.75 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 8 a 1µA PNP 1V @ 400MA, 8A 60 @ 2a, 1v 90MHz
2SA1342-TB-E onsemi 2SA1342-TB-E 0.3200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
1N5228BTR_S00Z onsemi 1N5228BTR_S00Z -
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5228 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
NTPF600N80S3Z onsemi NTPF600N80S3Z 1.5310
RFQ
 ECAD 1440 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NTPF600N80S3Z 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 8A (TJ) 10V 600mohm @ 4a, 10V 3.8V @ 180µA 15.5 nc @ 10 v ± 20V 725 pf @ 400 v - 28W (TC)
1N6015B_T50R onsemi 1N6015B_T50R -
RFQ
 ECAD 8085 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6015 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 33 v 43 v 150 옴
MMSZ5270BT1G onsemi MMSZ5270BT1G 0.2100
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 온세미 MMSZ52XXXT1G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ527 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 69 v 91 v 400 옴
2SK4101FS onsemi 2SK4101FS 0.4900
RFQ
 ECAD 811 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
MMSZ5268BT1 onsemi MMSZ5268BT1 -
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ526 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 62 v 82 v 330 옴
FW342-TL-E onsemi FW342-TL-E 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FW342 MOSFET (금속 (() 1.8W 8-SOP - 적용 적용 수 할 귀 99 0000.00.0000 1,000 n 및 p 채널 30V 6a, 5a 33mohm @ 6a, 10V - 16NC @ 10V 850pf @ 10V 논리 논리 게이트
NVHL020N120SC1 onsemi NVHL020N120SC1 61.8500
RFQ
 ECAD 8281 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NVHL020 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NVHL020N120SC1 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 103A (TC) 20V 28mohm @ 60a, 20V 4.3v @ 20ma 203 NC @ 20 v +25V, -15V 2890 pf @ 800 v - 535W (TC)
MM3Z2V4ST1 onsemi MM3Z2V4ST1 -
RFQ
 ECAD 1310 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 4% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MM3Z2 200 MW SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MM3Z2V4ST1OS 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 120 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
SURA8260T3G onsemi SURA8260T3G 0.5300
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA SURA8260 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.45 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
MJB5742T4G onsemi MJB5742T4G 4.4900
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MJB5742 100 W. d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 400 v 8 a - npn-달링턴 3V @ 400ma, 8a 200 @ 4a, 5V -
SZ1SMB5918BT3G onsemi SZ1SMB5918BT3G 0.8300
RFQ
 ECAD 4554 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SZ1SMB5918 3 w SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 4 옴
BZX85C7V5_T50R onsemi BZX85C7V5_T50R -
RFQ
 ECAD 3290 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C7 1 W. DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 4.5 v 7.5 v 3 옴
NXH240B120H3Q1S1G-R onsemi NXH240B120H3Q1S1G-R 154.5100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 NXH240 266 w 기준 32-PIM (71x37.4) - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NXH240B120H3Q1S1G-R 귀 99 8541.29.0095 21 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 92 a 2.7V @ 15V, 80A 150 µA 아니요 19.082 NF @ 20 v
FDB3502 onsemi FDB3502 1.7600
RFQ
 ECAD 872 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB350 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 6A (TA), 14A (TC) 10V 47mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 815 pf @ 40 v - 3.1W (TA), 41W (TC)
SZ1SMB5915BT3G-VF01 onsemi SZ1SMB5915BT3G-VF01 -
RFQ
 ECAD 6060 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SZ1SMB5915 3 w SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 25 µa @ 1 v 3.9 v 7.5 옴
2SD2600-TL-E onsemi 2SD2600-TL-E 0.7900
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,500
NVHL110N65S3F onsemi NVHL110N65S3F 6.5900
RFQ
 ECAD 9350 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NVHL110 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 110mohm @ 15a, 10V 5V @ 3MA 58 NC @ 10 v ± 30V 2560 pf @ 400 v - 240W (TC)
TIP41BTU onsemi TIP41BTU -
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 41 2 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 80 v 6 a 700µA NPN 1.5V @ 600MA, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
FJNS3210RTA onsemi FJNS3210RTA -
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 fjns32 300MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
NSVRB751S40T1G onsemi NSVRB751S40T1G 0.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 NSVRB751 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 370 mV @ 1 ma 500 NA @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 30ma 2.5pf @ 1v, 1MHz
SBRD8330T4G onsemi SBRD8330T4G -
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SBRD8330 Schottky DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mV @ 3 a 200 µa @ 30 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
2SK4098LS-YOC11 onsemi 2SK4098LS-YOC11 0.3900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 2SK4098 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 -
MMSZ4689T1 onsemi MMSZ4689T1 -
RFQ
 ECAD 2455 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ46 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 3 v 5.1 v
MURA210T3G onsemi MURA210T3G 0.4400
RFQ
 ECAD 9541 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA mura210 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 940 MV @ 2 a 30 ns 2 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
NTD2955-1G onsemi NTD2955-1g -
RFQ
 ECAD 1422 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD2955 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 12A (TA) 10V 180mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 750 pf @ 25 v - 55W (TJ)
KSA473OTSTU onsemi KSA473OTSTU -
RFQ
 ECAD 4590 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSA473 10 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 30 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 800mv @ 200ma, 2a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
NXH350N100H4Q2F2S1G-R onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G-R 305.7200
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 NXH350 592 w 기준 42-PIM/Q2pack (93x47) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NXH350N100H4Q2F2S1G-R 귀 99 8541.29.0095 12 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 1000 v 303 a 2.3V @ 15V, 375A 1 MA 예 24.146 NF @ 20 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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