SIC
close

불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BZX84C9V1LT3G onsemi BZX84C9V1LT3G 0.1900
RFQ
 ECAD 2575 0.00000000 온세미 bzx84cxxxlt1g 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C9 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
FDMS9408-F085 onsemi FDMS9408-F085 -
RFQ
 ECAD 9814 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn FDMS94 MOSFET (금속 (() 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 1.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 20V 5120 pf @ 25 v - 214W (TJ)
FCPF7N60 onsemi FCPF7N60 2.8800
RFQ
 ECAD 8801 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF7 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 920 pf @ 25 v - 31W (TC)
FDB4020P onsemi FDB4020P -
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB402 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 20 v 16A (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 8a, 4.5v 1V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 8V 665 pf @ 10 v - 37.5W (TC)
HUFA75852G3-F085 onsemi HUFA75852G3-F085 -
RFQ
 ECAD 7441 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-247-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 150 v 75A (TC) 10V 16mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 480 nc @ 20 v ± 20V 7690 pf @ 25 v - 500W (TC)
1N5407RLG onsemi 1N5407RLG 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 1N5407 기준 축 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 짐 800 v 1 V @ 3 a 10 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
1SMB5953BT3G onsemi 1SMB5953BT3G 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5953 3 w SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 114 v 150 v 600 옴
FFP08D60L2 onsemi FFP08D60L2 -
RFQ
 ECAD 5141 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 FFP08 기준 TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3.6 V @ 8 a 25 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 8a -
FDG6321C-F169 onsemi FDG6321C-F169 -
RFQ
 ECAD 9476 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG6321 MOSFET (금속 (() 300MW SC-70-6 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 및 p 채널 25V 500MA (TA), 410MA (TA) 450mohm @ 500ma, 4.5v, 1.1ohm @ 410ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 2.3nc @ 4.5v, 1.5nc @ 4.5v 50pf @ 10V, 62pf @ 10V 논리 논리 게이트
SVC272-TL-EX onsemi SVC272-TL-EX 0.1000
RFQ
 ECAD 645 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.59.0080 3,000
FDN361BN onsemi FDN361BN 0.4500
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN361 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.4A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 1.4a, 10V 3V @ 250µA 1.8 nc @ 4.5 v ± 20V 193 pf @ 15 v - 500MW (TA)
FQD630TF onsemi FQD630TF -
RFQ
 ECAD 6055 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 7A (TC) 10V 400mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 550 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 46W (TC)
MMSZ5221ET1 onsemi MMSZ5221ET1 -
RFQ
 ECAD 9353 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ522 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 30 옴
NVMFS5C410NLWFAFT1G onsemi nvmfs5c410nlwfaft1g 4.4500
RFQ
 ECAD 8995 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 50A (TA), 330A (TC) 4.5V, 10V 0.82mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 20V 8862 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 167W (TC)
NTMFS4935NCT3G onsemi NTMFS4935NCT3G -
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4935 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 13A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 49.4 NC @ 10 v ± 20V 4850 pf @ 15 v - 930MW (TA), 48W (TC)
NVD3055-094T4G onsemi NVD3055-094T4G -
RFQ
 ECAD 6216 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD305 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TA) 10V 94mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 1.5W (TA), 48W (TJ)
NTGD4167CT1G onsemi NTGD4167CT1G 0.6700
RFQ
 ECAD 949 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 NTGD4167 MOSFET (금속 (() 900MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 2.6a, 1.9a 90mohm @ 2.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.5NC @ 4.5V 295pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDMC007N08LCDC onsemi FDMC007N08LCDC 3.1100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMC007 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 64A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 22a, 10V 2.5V @ 130µA 44 NC @ 10 v ± 20V 3070 pf @ 40 v - 57W (TC)
FCP7N60 onsemi FCP7N60 2.7500
RFQ
 ECAD 342 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP7 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 920 pf @ 25 v - 83W (TC)
RFP15P05 onsemi RFP15P05 -
RFQ
 ECAD 1429 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 RFP15 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 50 v 15A (TC) 10V 15a @ 15a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 20 v ± 20V 1150 pf @ 25 v - 80W (TC)
SZBZX84B6V8LT1G onsemi szbzx84b6v8lt1g 0.2300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
NRVTS12100MFST1G onsemi NRVTS12100MFST1G 0.4208
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NRVTS12100 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 710 MV @ 12 a 95 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
2N3416_D26Z onsemi 2N3416_D26Z -
RFQ
 ECAD 6389 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N341 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 3ma, 50ma 75 @ 2MA, 4.5V -
RHRP8120 onsemi RHRP8120 0.7569
RFQ
 ECAD 3842 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 RHRP81 기준 TO-220-2L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.2 v @ 8 a 70 ns 100 µa @ 1200 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
FQPF19N20 onsemi FQPF19N20 -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF19 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 11.8A (TC) 10V 150mohm @ 5.9a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 50W (TC)
NTD15N06-001 onsemi NTD15N06-001 -
RFQ
 ECAD 9572 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD15 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 15A (TA) 10V 90mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 1.5W (TA), 48W (TJ)
NTD60N02R-1G onsemi NTD60N02R-1g -
RFQ
 ECAD 2064 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 8.5A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1330 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 58W (TC)
NTMFS4936NCT1G onsemi NTMFS4936NCT1G -
RFQ
 ECAD 2372 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4936 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 11.6A (TA), 79A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 3044 pf @ 15 v - 920MW (TA), 43W (TC)
MMSZ4699T1 onsemi MMSZ4699T1 -
RFQ
 ECAD 3668 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ46 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 9.1 v 12 v
NGTD23T120F2WP onsemi NGTD23T120F2WP 3.1513
RFQ
 ECAD 6288 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 NGTD23 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - 트렌치 트렌치 정지 1200 v 120 a 2.2V @ 15V, 25A - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다