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불연속 불연속 제품 (26937)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 - 최대	테스트 테스트	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 @ if, f	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
mpsh10rlra	-	RFQ	6650	온세미	*	컷 컷 (CT)	쓸모없는						MPSH10					다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000
fjaf6810aydtbtu	-	RFQ	6359	온세미	-	튜브	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3 p 팩		fjaf6810			60 W.	to-3pf	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30																											750 v	10 a								1MA				NPN	3V @ 1.5A, 6A	5 @ 6a, 5V	-
MCH6437-TL-E	-	RFQ	4800	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	6-SMD,, 리드		MCH6437		MOSFET (금속 (()		6mcph	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널						20 v	7A (TA)	1.8V, 4.5V	24mohm @ 4a, 4.5v	-	8.4 NC @ 4.5 v	± 12V	660 pf @ 10 v	-	1.5W (TA)
NTB125N02RT4G	-	RFQ	3285	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		NTB12		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	NTB125N02RT4GOS	귀 99	8541.29.0095	800			n 채널						24 v	95A (TA), 120.5A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	28 NC @ 4.5 v	± 20V	3440 pf @ 20 v	-	1.98W (TA), 113.6W (TC)
MJD200G	0.6300	RFQ	2	온세미	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MJD200			1.4 w	DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	75																											25 v	5 a								100NA (ICBO)				NPN	1.8v @ 1a, 5a	45 @ 2A, 1V	65MHz
1SMB5923BT3	-	RFQ	1796	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB		1SMB5923			3 w	SMB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																				1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 6.5 v															8.2 v	3.5 옴
BZX85C27	-	RFQ	3430	온세미	-	대부분	쓸모없는	± 7%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		BZX85C27			1 W.	DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																				1.2 v @ 200 ma		500 na @ 19 v															27 v	30 옴
NSV12200LT1G	0.1825	RFQ	7605	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		NSV12200			540 MW	SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																											12 v	2 a								100NA (ICBO)				PNP	180mv @ 200ma, 2a	250 @ 500ma, 2V	100MHz
FGY60T120SQDN	11.3100	RFQ	2639	온세미	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3 7		fgy60	기준		517 w	TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30					600V, 60A, 10ohm, 15V																					-	1200 v	120 a	240 a	1.95V @ 15V, 60A	-	311 NC	52ns/296ns
DFC15TC	0.0200	RFQ	9815	온세미	*	대부분	활동적인											다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0080	2,500
1N5820	-	RFQ	9906	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		1N5820		Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																	20 v	475 MV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	190pf @ 4V, 1MHz
1N747A_T50R	-	RFQ	7872	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1N747			500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																				1.5 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v															3.6 v	24 옴
FSB50550BSE	-	RFQ	6277	온세미	spm® 5	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	23-SMD 모듈, gull 윙	MOSFET	FSB50550					-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	488-FSB50550BSETR	귀 99	8542.39.0001	450	3 상 인버터					3 a	500 v	1500VRMS
1N750A	-	RFQ	9880	온세미	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1N750			500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000																				1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v															4.7 v	19 옴
BZX84C6V8LT1G	0.1600	RFQ	15	온세미	bzx84cxxxlt1g	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		BZX84C6			225 MW	SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																				900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v															6.8 v	15 옴
NGTB45N60SWG	-	RFQ	9646	온세미	-	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		NGTB45	기준		250 W.	TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30					400V, 45A, 10ohm, 15V																376 ns					트렌치 트렌치 정지	600 v	90 a	180 a	2.4V @ 15V, 45A	550µJ (OFF)	134 NC	70ns/144ns
1N6010B	-	RFQ	4701	온세미	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1N6010			500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000																				1.2 v @ 200 ma		100 na @ 21 v															27 v	70 옴
2SB865	0.2000	RFQ	3316	온세미	*	대부분	활동적인											다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	333
1N979B	-	RFQ	9667	온세미	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		1N979			500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000																						5 µa @ 42.6 v															56 v	150 옴
MPS2222A	-	RFQ	3671	온세미	-	대부분	쓸모없는						MPS222					다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000
MBD770DWT1G	0.5300	RFQ	138	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		6-TSSOP, SC-88, SOT-363		MBD770				SC-88/SC70-6/SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000				100 MA														380 MW							1pf @ 20V, 1MHz									Schottky -2 2	70V				-
2N6076_D27Z	-	RFQ	7187	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드		2N6076			625 MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000																											25 v	500 MA								100NA				PNP	250mv @ 1ma, 10ma	100 @ 10ma, 1v	-
SR4255RL	0.0200	RFQ	375	온세미	*	대부분	활동적인											-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	5,000
SZMMBZ5234BLT1	0.0200	RFQ	9730	온세미	*	대부분	활동적인											다운로드					귀 99	8541.10.0050	9,000
NTS10120EMFST3G	-	RFQ	1310	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	8-powertdfn, 5 리드		NTS10120		Schottky		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																	120 v	820 MV @ 10 a		30 µa @ 120 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	-
1N4933RL	-	RFQ	1078	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		1N4933		기준		축	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																	50 v	1.2 v @ 1 a	300 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MMBZ5239BLT1	-	RFQ	1436	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MMBZ52			225 MW	SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																				900 mV @ 10 ma		3 µa @ 7 v															9.1 v	10 옴
STB4N80ET4	1.4300	RFQ	38	온세미	*	대부분	활동적인											-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	800
BCW66GLT1	-	RFQ	2215	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		BCW66			300MW	SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																											45 v	800 MA								20NA				NPN	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	100MHz
MC1413BD	-	RFQ	1496	온세미	-	튜브	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MC1413B			-	16-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MC1413BDOS	귀 99	8541.29.0095	48																											50V	500ma								-				7 npn 달링턴	1.6V @ 500µa, 350ma	1000 @ 350MA, 2V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (26937)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²