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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
SZ1SMA5930BT3G onsemi SZ1SMA5930BT3G 0.6900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SZ1SMA5930 1.5 w SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 12.2 v 16 v 10 옴
FQP33N10 onsemi FQP33N10 1.6000
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP33 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2156-FQP33N10-OS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 33A (TC) 10V 52mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 25V 1500 pf @ 25 v - 127W (TC)
PN2907ATAR onsemi PN2907ATAR 0.4000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN2907 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 60 v 800 MA 20NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
KSA940TU onsemi KSA940TU 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSA940 1.5 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-KSA940TU 귀 99 8541.29.0095 50 150 v 1.5 a 10µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 40 @ 500ma, 10V 4MHz
BZX85C5V1_T50R onsemi BZX85C5V1_T50R -
RFQ
 ECAD 3578 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C5 1 W. DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 2 v 5.1 v 10 옴
FSB50550BSE onsemi FSB50550BSE -
RFQ
 ECAD 6277 0.00000000 온세미 spm® 5 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 23-SMD 모듈, gull 윙 MOSFET FSB50550 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 488-FSB50550BSETR 귀 99 8542.39.0001 450 3 상 인버터 3 a 500 v 1500VRMS
MCH6437-TL-E onsemi MCH6437-TL-E -
RFQ
 ECAD 4800 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6437 MOSFET (금속 (() 6mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 7A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 4a, 4.5v - 8.4 NC @ 4.5 v ± 12V 660 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
1N957B_T50A onsemi 1N957B_T50A -
RFQ
 ECAD 9442 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N957 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 150 µa @ 5.2 v 6.8 v 4.5 옴
MPS6717RLRA onsemi MPS6717RLRA -
RFQ
 ECAD 6640 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPS671 1 W. TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 10ma, 250ma 50 @ 250ma, 1V -
MBRF30L60CTG onsemi MBRF30L60CTG 1.7400
RFQ
 ECAD 1140 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MBRF30 Schottky TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 620 MV @ 15 a 350 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
FDMS003N08C onsemi FDMS003N08C 6.9800
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS003 MOSFET (금속 (() 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 22A (TA), 147A (TC) 6V, 10V 3.1mohm @ 56a, 10V 4V @ 310µA 73 NC @ 10 v ± 20V 5350 pf @ 40 v - 2.7W (TA), 125W (TC)
MMBD6050 onsemi MMBD6050 -
RFQ
 ECAD 8831 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD60 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1.1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 2.5pf @ 0v, 1MHz
2SA2013-TD-E onsemi 2SA2013-TD-E 0.7000
RFQ
 ECAD 683 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SA2013 3.5 w PCP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 4 a 1µA (ICBO) PNP 340mv @ 100ma, 2a 200 @ 500ma, 2v 400MHz
1N747A_T50R onsemi 1N747A_T50R -
RFQ
 ECAD 7872 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N747 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
FQD2N60TF onsemi FQD2N60TF -
RFQ
 ECAD 2369 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.7ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
FDS4072N7 onsemi FDS4072N7 -
RFQ
 ECAD 9567 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 FDS40 MOSFET (금속 (() 8- flmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 12.4A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 13.7a, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 4.5 v ± 12V 4299 pf @ 20 v - 3W (TA)
BZX85C16_T50R onsemi BZX85C16_T50R -
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C16 1 W. DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 11 v 16 v 15 옴
SZMMSZ5245ET1G onsemi szmmsz5245et1g 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SZMMSZ52XXXT1G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 SZMMSZ52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
FDLL400 onsemi FDLL400 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 FDLL400 기준 SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 1.1 v @ 300 ma 50 ns 100 na @ 150 v 175 ° C (°) 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
FEP16JTD onsemi fep16jtd -
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 fep16 기준 TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 600 v 16A 1.5 v @ 8 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
NGTB45N60SWG onsemi NGTB45N60SWG -
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 온세미 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB45 기준 250 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 45A, 10ohm, 15V 376 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 90 a 180 a 2.4V @ 15V, 45A 550µJ (OFF) 134 NC 70ns/144ns
NTD65N03RT4G onsemi NTD65N03RT4G -
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD65 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 9.5A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 20V 1400 pf @ 20 v - 1.3W (TA), 50W (TC)
FJNS4210RBU onsemi fjns4210rbu -
RFQ
 ECAD 4967 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 fjns42 300MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 200MHz 10 KOHMS
BZX84B18LT1G onsemi BZX84B18LT1G 0.2100
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
1N5338BRLG onsemi 1N5338BRLG 0.4900
RFQ
 ECAD 1911 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5338 5 w 축 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 1 v 5.1 v 1.5 옴
BZX84C13 onsemi BZX84C13 -
RFQ
 ECAD 3353 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C13 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
KSD560RTSTU onsemi KSD560RTSTU 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSD560 1.5 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 1µA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 3MA, 3A 2000 @ 3a, 2v -
FCMT199N60 onsemi FCMT199N60 5.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Superfet® II 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn FCMT199 MOSFET (금속 (() 파워 88 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 20.2A (TC) 10V 199MOHM @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 20V 2950 pf @ 100 v - 208W (TC)
FDMS2572 onsemi FDMS2572 2.5500
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMS25 MOSFET (금속 (() 8-mlp (5x6), 파워 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 4.5A (TA), 27A (TC) 6V, 10V 47mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 2610 pf @ 75 v - 2.5W (TA), 78W (TC)
HUF75842S3S onsemi HUF75842S3S -
RFQ
 ECAD 1044 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 43A (TC) 10V 42MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 230W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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