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불연속 불연속 제품 (26937)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
NVHL082N65S3f	9.3300	RFQ	8368	온세미	자동차, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		NVHL082	MOSFET (금속 (()		TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	2156-NVHL082N65S3F-488	귀 99	8541.29.0095	450			n 채널				650 v	40A (TC)	10V	82mohm @ 20a, 10V	5V @ 4MA	81 NC @ 10 v	± 30V	3410 pf @ 400 v	-	313W (TC)
MM3Z36VT1	-	RFQ	5830	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323		MM3Z3		200 MW	SOD-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																				900 mV @ 10 ma		50 na @ 25.2 v							36 v	90 옴
FDLL448-D87Z	0.1500	RFQ	90	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80		FDLL4448	기준		SOD-80	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																100 v		1 v @ 100 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 175 ° C	200ma	2pf @ 0V, 1MHz
NVTFS5C453NLWFTAG	1.7500	RFQ	9726	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		NVTFS5	MOSFET (금속 (()		8-wdfn (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널				40 v	107A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 40a, 10V	2V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	2100 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SZ2776-3RL	1.0000	RFQ	4486	온세미	*	대부분	활동적인										-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				6,000
KSB811OBU	-	RFQ	6008	온세미	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸		KSB811		350 MW	92S	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																										25 v	1 a	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 100ma, 1a	70 @ 100MA, 1V	110MHz
1N5336BRLG	0.4700	RFQ	5833	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	축		1N5336		5 w	축	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																				1.2 v @ 1 a		10 µa @ 1 v							4.3 v	2 옴
MMSZ4693T3G	0.2000	RFQ	5964	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123		MMSZ4693		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																				900 mV @ 10 ma		10 µa @ 5.7 v							7.5 v
NRVB30H100MFST3G	1.6800	RFQ	2529	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	8-powertdfn, 5 리드		NRVB30	Schottky		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																100 v		900 mV @ 30 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	-
MSD601-ST1G	-	RFQ	9484	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MSD60		200 MW	SC-59	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																										50 v	100 MA	100NA			NPN	500mv @ 10ma, 100ma	290 @ 2MA, 10V	-
NSS60601MZ4T1G	0.7400	RFQ	42	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA		NSS60601		800MW	SOT-223 (TO-261)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	1,000																										60 v	6 a	100NA (ICBO)			NPN	300mv @ 600ma, 6a	120 @ 1a, 2v	100MHz
NJL3281D	-	RFQ	7988	온세미	-	튜브	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-264-5		NJL3281		200 w	TO-264	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	NJL3281DOS	귀 99	8541.29.0075	2,500																										260 v	15 a	50µA (ICBO)			NPN	3v @ 1a, 10a	75 @ 5a, 5V	30MHz
1N4743AT	0.2800	RFQ	62	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		1N4743		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																						5 µa @ 9.9 v							13 v	10 옴
BC487G	-	RFQ	4257	온세미	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸		BC487		625 MW	TO-92 (TO-226)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	5,000																										60 v	500 MA	100NA (ICBO)			NPN	300mv @ 100ma, 1a	60 @ 100MA, 5V	200MHz
2SB986T	0.1100	RFQ	12	온세미	*	대부분	활동적인										다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,664
1N5919BRLG	0.4200	RFQ	2	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		1N5919		3 w	축	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000																				1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v							5.6 v	2 옴
MMSZ5259BT1G	0.2100	RFQ	9	온세미	MMSZ52XXXT1G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123		MMSZ525		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																				900 mV @ 10 ma		100 na @ 30 v							39 v	80 옴
2SC4406-4-TL-E	0.0900	RFQ	27	온세미	*	대부분	활동적인										-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	3,000
NRVUS220VT3G-GA01	-	RFQ	6768	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB			기준		SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-NRVUS220VT3G-GA01TR	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																200 v		950 MV @ 2 a	35 ns	2 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
MPSA56	-	RFQ	5839	온세미	-	대부분	쓸모없는						MPSA56				다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000
MJE344	-	RFQ	5391	온세미	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3		MJE34		20 W.	TO-126	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500																										200 v	500 MA	1MA			NPN	1V @ 5MA, 50MA	30 @ 50MA, 10V	15MHz
FDS7096N3	-	RFQ	8122	온세미	Powertrench®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		FDS70	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널				30 v	14A (TA)	4.5V, 10V	9mohm @ 14a, 10V	3V @ 250µA	22 nc @ 5 v	± 20V	1587 pf @ 15 v	-	3W (TA)
MJD2955RLG	-	RFQ	9839	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MJD2955		1.75 w	DPAK	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,800																										60 v	10 a	50µA			PNP	8V @ 3.3A, 10A	20 @ 4a, 4v	2MHz
stk5mfu3c1a-e	-	RFQ	4410	온세미	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	28-powersip ip, 23 개의 리드, 형성 된 리드	IGBT	STK5MF				다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	280	3 단계			53 a	600 v	2000VRMS
MJE5731G	1.5300	RFQ	6119	온세미	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MJE5731		40 W.	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50																										350 v	1 a	1MA			PNP	1V @ 200MA, 1A	30 @ 300ma, 10V	10MHz
BZX84C9V1ET3G	-	RFQ	6593	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		BZX84C9		225 MW	SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																				900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v							9.1 v	15 옴
murh860ct	-	RFQ	6775	온세미	Megahertz ™	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3		murh86	기준		TO-220	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)															1 음극 음극 공통	600 v	4a	2.8 V @ 4 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C
NSBC114TDXV6T5G	-	RFQ	8494	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOT-563, SOT-666		NSBC114		500MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	8,000																										50V	100ma	500NA			2 npn--바이어스 (듀얼)	250mv @ 1ma, 10ma	160 @ 5MA, 10V	-	10kohms	-
MJE18008	-	RFQ	6492	온세미	스위치 스위치 ™	튜브	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MJE18		125 w	TO-220	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MJE18008OS	귀 99	8541.29.0095	50																										450 v	8 a	100µA			NPN	700mv @ 900ma, 4.5v	14 @ 1a, 5V	13MHz
fjv4107rmtf	-	RFQ	2253	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		fjv410		200 MW	SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																										50 v	100 MA	100NA (ICBO)			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	68 @ 5MA, 5V	200MHz	22 KOHMS	47 Kohms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (26937)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²