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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
BC33825BU onsemi BC33825BU -
RFQ
 ECAD 7747 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC338 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 25 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
NTMFS5C426NT1G onsemi ntmfs5c426nt1g 4.0600
RFQ
 ECAD 8569 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 41A (TA), 235A (TC) 10V 1.3mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 128W (TC)
NSV20101JT1G onsemi NSV20101JT1G 0.6530
RFQ
 ECAD 2407 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 NSV20101 255 MW SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 220mv @ 100ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 350MHz
2N4126TFR onsemi 2N4126Tfr -
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N4126 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 2MA, 1V 250MHz
FQB17P10TM onsemi FQB17P10TM -
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB1 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 16.5A (TC) 10V 190mohm @ 8.25a, ​​10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 100W (TC)
FFSP1665A onsemi FFSP1665A 6.0600
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 FFSP1665 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.75 V @ 16 a 0 ns 200 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 16A 887pf @ 1v, 100khz
BDX33CG onsemi BDX33CG 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BDX33 70 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 10 a 500µA npn-달링턴 2.5V @ 6MA, 3A 750 @ 3a, 3v -
NTP6411ANG onsemi ntp6411ang -
RFQ
 ECAD 7148 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP641 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 77A (TC) 10V 14mohm @ 72a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 25 v - 217W (TC)
FDG8850NZ onsemi FDG8850NZ 0.5800
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG8850 MOSFET (금속 (() 300MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 750ma 400mohm @ 750ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.44NC @ 4.5V 120pf @ 10V 논리 논리 게이트
CPH3356-TL-H onsemi CPH3356-TL-H -
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH3356 MOSFET (금속 (() 3-cph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 1.8V, 4.5V 137mohm @ 1a, 4.5v - 3.3 NC @ 4.5 v ± 10V 250 pf @ 10 v - 1W (TA)
FCD900N60Z onsemi FCD900N60Z 1.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Superfet® II 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FCD900 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 900mohm @ 2.3a, 10V 3.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 720 pf @ 25 v - 52W (TC)
MMBV2108LT1 onsemi MMBV2108LT1 -
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBV21 SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 29.7pf @ 4V, 1MHz 하나의 30 v 3.2 C2/C30 300 @ 4V, 50MHz
HGTP12N60A4 onsemi HGTP12N60A4 -
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 HGTP12N60 기준 167 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 390V, 12a, 10ohm, 15V - 600 v 54 a 96 a 2.7V @ 15V, 12a 55µJ (on), 50µJ (OFF) 78 NC 17ns/96ns
MTW16N40E onsemi MTW16N40E 1.2300
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
FQA70N10 onsemi FQA70N10 2.9800
RFQ
 ECAD 4309 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA70 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 70A (TC) 10V 23mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 3300 pf @ 25 v - 214W (TC)
FQPF45N15V2 onsemi FQPF45N15V2 -
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF4 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 45A (TC) 10V 40mohm @ 22.5a, 10V 4V @ 250µA 94 NC @ 10 v ± 30V 3030 pf @ 25 v - 66W (TC)
MUR1640CT onsemi MUR1640CT -
RFQ
 ECAD 4631 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MUR16 기준 TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 8a 1.3 V @ 8 a 60 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C
NVMFS5844NLWFT3G onsemi NVMFS5844NLWFT3G -
RFQ
 ECAD 7207 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 11.2A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 107W (TC)
NVMFS5C404NT1G onsemi NVMFS5C404NT1G 7.0000
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 378A (TC) 10V 0.7mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 128 NC @ 10 v ± 20V 8400 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 200W (TC)
FQU5N40TU onsemi fqu5n40tu 1.2300
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu5n40 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 400 v 3.4A (TC) 10V 1.6ohm @ 1.7a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
MURHD560W1T4G onsemi murhd560w1t4g 2.2400
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 온세미 Megahertz ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 murhd560 기준 DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.7 V @ 5 a 30 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 5a -
MTD4N20E1 onsemi MTD4N20E1 0.1200
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,435
SBS005-TL-E onsemi SBS005-TL-E 0.0900
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 SBS005 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 3,000
RGF1K onsemi RGF1K 0.4300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RGF1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
FCH072N60F onsemi FCH072N60F 9.3300
RFQ
 ECAD 1350 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® II 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH072 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 52A (TC) 10V 72mohm @ 26a, 10V 5V @ 250µA 215 NC @ 10 v ± 20V 8660 pf @ 100 v - 481W (TC)
MBR1100 onsemi MBR1100 -
RFQ
 ECAD 7812 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MBR1100 Schottky 축 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MBR1100OS 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 790 MV @ 1 a 500 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
MMSZ5232CT1G onsemi MMSZ5232CT1G 0.5000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 온세미 MMSZ52XXXT1G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ523 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
BCW68GLT1 onsemi BCW68GLT1 0.0200
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 BCW68 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
MUR460FFG onsemi mur460ffg -
RFQ
 ECAD 9315 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 축 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.28 V @ 4 a 75 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 4a -
2SA1700E-E onsemi 2SA1700E-E 0.2800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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