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불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
KSA733CLBU onsemi KSA733CLBU -
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA733 250 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 350 @ 1ma, 6v 180MHz
FJN4311RTA onsemi FJN4311RTA -
RFQ
 ECAD 4756 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 FJN431 300MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 200MHz 22 KOHMS
MBR20L45CTG onsemi MBR20L45CTG 1.7000
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20L45 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 500 mV @ 10 a 500 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
NZ8F6V2SMX2WT5G onsemi nz8f6v2smx2wt5g 0.0456
RFQ
 ECAD 2634 0.00000000 온세미 NZ8F 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.26% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 2-xdfn 250 MW 2-x2dfnw (1x0.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NZ8F6V2SMX2WT5GTR 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 3 v 6.2 v 60 옴
1N5991B onsemi 1N5991B -
RFQ
 ECAD 5912 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5991 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 88 옴
1N6017B_T50A onsemi 1N6017B_T50A -
RFQ
 ECAD 3916 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6017 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 39 v 51 v 180 옴
1SMB5914BT3 onsemi 1SMB5914BT3 -
RFQ
 ECAD 5819 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5914 3 w SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 3.6 v 9 옴
1N5249B_T50A onsemi 1N5249B_T50A -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5249 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
MURS320T3 onsemi MURS320T3 -
RFQ
 ECAD 2778 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC murs32 기준 SMC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 890 mV @ 4 a 35 ns 5 µa @ 200 v 4a -
FDC638P onsemi FDC638P 0.6000
RFQ
 ECAD 1549 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC638 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TA) 2.5V, 4.5V 48mohm @ 4.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 1160 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
SPZT2222AT1G onsemi SPZT2222AT1G 0.7500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA SPZT2222 1.5 w SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
BC560ATA onsemi BC560ATA -
RFQ
 ECAD 3805 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC560 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
MM3Z6V2ST1 onsemi MM3Z6V2ST1 -
RFQ
 ECAD 6670 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MM3Z6 200 MW SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MM3Z6V2ST1OS 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
MURA110T3G onsemi MURA110T3G 0.5200
RFQ
 ECAD 7201 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA MURA110 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 875 mv @ 1 a 30 ns 2 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
FDB9403-F085 onsemi FDB9403-F085 4.4400
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB9403 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 110A (TC) 10V 1.2MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 213 NC @ 10 v ± 20V 12700 pf @ 25 v - 333W (TJ)
MMBZ5259BLT1G onsemi MMBZ5259BLT1G 0.2000
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5259 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 30 v 39 v 80 옴
1SMA5917BT3G onsemi 1SMA5917BT3G 0.4700
RFQ
 ECAD 4448 0.00000000 온세미 1SMA59XXBT3G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5917 1.5 w SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 2.5 µa @ 1.5 v 4.7 v 5 옴
NTSB40100CT-1G onsemi NTSB40100CT-1G -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA NTSB40100 Schottky I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 800 mV @ 20 a 12 µa @ 70 v -40 ° C ~ 150 ° C
FCPF20N60ST onsemi fcpf20n60st 3.5200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF20 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2832-FCPF20N60st-488 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) - - - -
MMUN2116LT1G onsemi mmun2116lt1g 0.1300
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMUN2116 246 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 250mv @ 1ma, 10ma 160 @ 5MA, 10V 4.7 Kohms
FEP16JTA onsemi fep16jta -
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 fep16 기준 TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 16A 1.5 v @ 8 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N5239C onsemi 1N5239C 0.1000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 1
1N5408 onsemi 1N5408 -
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5408 기준 Do-201ad 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 짐 1000 v 1.2 v @ 3 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
BZX55C56 onsemi BZX55C56 -
RFQ
 ECAD 7867 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55C56 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.3 v @ 100 ma 100 na @ 42 v 56 v 135 옴
BZX84C6V2 onsemi BZX84C6V2 -
RFQ
 ECAD 7357 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C6 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
MMSZ4689T3G onsemi MMSZ4689T3G 0.2000
RFQ
 ECAD 2846 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4689 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 3 v 5.1 v
BAV99T onsemi bav99t -
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-523 bav99 기준 SOT-523 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 85 v 75MA 1 V @ 50 ma 4 ns 2 µa @ 75 v 125 ° C (°)
NTHL015N065SC1 onsemi NTHL015N065SC1 39.8800
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NTHL015 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTHL015N065SC1 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 163A (TC) 15V, 18V 18mohm @ 75a, 18V 4.3V @ 25MA 283 NC @ 18 v +22V, -8V 4790 pf @ 325 v - 643W (TC)
SBT700-06RH-1EX onsemi SBT700-06RH-1EX 1.0000
RFQ
 ECAD 6174 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 1
SGH20N60RUFDTU onsemi sgh20n60rufdtu -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 sgh20n 기준 195 w to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 300V, 20A, 10ohm, 15V 95 ns - 600 v 32 a 60 a 2.8V @ 15V, 20A 524µJ (on), 473µJ (OFF) 55 NC 30ns/48ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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