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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 전류 전류 (ID) - 최대
FDN028N20 onsemi FDN028N20 0.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN028 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.1A (TC) 2.5V, 4.5V 28mohm @ 5.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 12V 600 pf @ 10 v - 1.5W (TC)
2SC6082 onsemi 2SC6082 -
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SC6082 2 w TO-220ML 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 100 50 v 15 a 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 375ma, 7.5a 200 @ 330ma, 2v 195MHz
1N959BTR onsemi 1N959BTR -
RFQ
ECAD 4865 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N959 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 50 µa @ 6.2 v 8.2 v 6.5 옴
SPS8549RLRPG onsemi SPS8549RLRPG 0.0500
RFQ
ECAD 26 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1
PN3646_D75Z onsemi PN3646_D75Z -
RFQ
ECAD 6141 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN364 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 15 v 300 MA 500NA NPN 500mv @ 3ma, 300ma 30 @ 30MA, 400MV -
1N4736A-T50R onsemi 1N4736A-T50R 0.2900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4736 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 4 v 6.8 v 3.5 옴
SZBZX84C22LT1 onsemi SZBZX84C22LT1 0.0500
RFQ
ECAD 18 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
FLZ12VB onsemi FLZ12VB -
RFQ
ECAD 5472 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 FLZ12 500MW SOD-80 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.2 v @ 200 ma 133 na @ 9 v 11.7 v 9.5 옴
BZX79C56_T50R onsemi BZX79C56_T50R -
RFQ
ECAD 1517 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C56 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 100 ma 50 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
CPH3910-TL-E onsemi CPH3910-TL-E 0.6100
RFQ
ECAD 5464 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH3910 400MW 3-cph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25 v 6pf @ 5V 25 v 20 ma @ 5 v 1.8 V @ 100 µA 50 MA
EMT2DXV6T5 onsemi EMT2DXV6T5 0.0500
RFQ
ECAD 96 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000
MURS360T3G onsemi MURS360T3G 0.6200
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC MURS360 기준 SMC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
1N971B onsemi 1N971B -
RFQ
ECAD 7729 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N971 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 20.6 v 27 v 41 옴
KST2222AMTF onsemi KST2222AMTF -
RFQ
ECAD 6083 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST22 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
MMSZ30T1 onsemi MMSZ30T1 -
RFQ
ECAD 9491 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ30 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
1N746A_S00Z onsemi 1N746A_S00Z -
RFQ
ECAD 6439 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N746 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
SMBZ1441LT1 onsemi SMBZ1441LT1 0.0200
RFQ
ECAD 93 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000
SSRD8620CTRG-VF01 onsemi ssrd8620ctrg-vf01 -
RFQ
ECAD 3134 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SSRD8620 기준 DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 3A 1.15 V @ 3 a 75 ns 1 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
1N758A_S00Z onsemi 1N758A_S00Z -
RFQ
ECAD 5033 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N758 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 10 v 17 옴
NVMFS5844NLT1G onsemi NVMFS5844NLT1G -
RFQ
ECAD 8946 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5844 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 11.2A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 107W (TC)
MPSA56 onsemi MPSA56 -
RFQ
ECAD 5839 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 MPSA56 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000
NZT6728 onsemi NZT6728 -
RFQ
ECAD 8566 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-3 NZT67 1 W. SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 60 v 1.2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 250ma 50 @ 250ma, 1V -
MURS160T3 onsemi MURS160T3 -
RFQ
ECAD 8499 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB murs16 기준 SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v 2A -
MM3Z3V6ST1G onsemi MM3Z3V6ST1G -
RFQ
ECAD 9859 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 MM3Z3 300MW SOD-323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
DTA143TXV3T1 onsemi DTA143TXV3T1 0.0500
RFQ
ECAD 96 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 DTA143 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 6,662
BZX79C5V1 onsemi BZX79C5V1 0.2400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C5 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
1SMA5914BT3 onsemi 1SMA5914BT3 -
RFQ
ECAD 8007 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5914 1.5 w SMA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 35.5 µa @ 1 v 3.6 v 9 옴
2SC3399 onsemi 2SC3399 0.0500
RFQ
ECAD 29 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1
2SK2624LS-CD11 onsemi 2SK2624LS-CD11 0.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
NSR0240V2T1G onsemi NSR0240V2T1G 0.4900
RFQ
ECAD 169 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 NSR0240 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 700 mv @ 200 ma 3 ns 10 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 250ma 4pf @ 5V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고