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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBZ5262BLT1G | - |  | 3065 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 39 v | 51 v | 125 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KSD1589YTU | - | | 2265 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | KSD1589 | 1.5 w | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 5 a | 1µA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.5V @ 3MA, 3A | 5000 @ 3A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTD3055L170-001 | - | | 2262 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NTD30 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 9A (TA) | 5V | 170mohm @ 4.5a, 5V | 2V @ 250µA | 10 nc @ 5 v | ± 15V | 275 pf @ 25 v | - | 1.5W (TA), 28.5W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQI12N60TU | - | | 5885 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | FQI1 | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 10.5A (TC) | 10V | 700mohm @ 5.3a, 10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 30V | 1900 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 180W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | flz6v8c | - | | 2739 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | flz6 | 500MW | SOD-80 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1.1 µa @ 3.5 v | 6.8 v | 6.6 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SS9013GTA | - | | 8345 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | SS9013 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 20 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 50ma, 500ma | 112 @ 50MA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TN6714A_D26Z | - | | 2899 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | TN6714 | 1 W. | TO-226 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100ma, 1a | 50 @ 1a, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MBRS120T3 | - | | 6090 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | MBRS120 | Schottky | SMB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 600 mV @ 1 a | 1 ma @ 20 v | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTA123E | 0.0200 | | 60 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | DTA123 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA63_D26Z | - | | 6945 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | MPSA63 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | pnp- 달링턴 | 1.5V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4746A_T50R | - | | 3050 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4746 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 5 µa @ 13.7 v | 18 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS750RLRAG | - | | 4245 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | MPS750 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200ma, 2a | 75 @ 1a, 2v | 75MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| fjn3308rbu | - | | 1893 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | fjn330 | 300MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 56 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47 Kohms | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVATS4A101PZT4G | - | | 8903 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVATS4 | MOSFET (금속 (() | atpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 27A (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 13a, 10V | 2.6v @ 1ma | 18.5 nc @ 10 v | ± 20V | 875 pf @ 10 v | - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTLJD2105LTBG | - | | 2677 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | NTLJD21 | MOSFET (금속 (() | 520MW | 6-wdfn (2x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 8V | 2.5A | 50mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MUR3020WTG | - | | 7332 | 0.00000000 | 온세미 | 스위치 스위치 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MUR3020 | 기준 | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 a | 35 ns | 10 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NSS60200DMTTBG | - | | 4753 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | NSS60200 | 6-wdfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 100NA (ICBO) | 2 PNP (() | 450MV @ 200MA, 2A | 150 @ 100MA, 2V | 155MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SMB5916BT3G | 0.4300 | | 9779 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 1SMB5916 | 3 w | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 6 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 5HN02C-TB-E | 0.1000 | | 45 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ntljs4114ntag | 0.6900 | | 2 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | NTLJS4114 | MOSFET (금속 (() | 6-wdfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.6A (TA) | 1.8V, 4.5V | 35mohm @ 2a, 4.5v | 1V @ 250µA | 13 nc @ 4.5 v | ± 12V | 650 pf @ 15 v | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4750A-T50A | 0.4000 | | 13 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4750 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 20.6 v | 27 v | 35 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FSBF3CH60B | - | | 7535 | 0.00000000 | 온세미 | Motion-SPM® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 27-powerdip ip (1.205 ", 30.60mm) | IGBT | FSBF3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 | 3 a | 600 v | 2500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN200A_D74Z | - | | 3114 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | PN200 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 500 MA | 50NA | PNP | 400mv @ 20ma, 200ma | 300 @ 10ma, 1v | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3566 | - | | 5653 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN356 | 625 MW | To-92-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | PN3566-NDR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 30 v | 600 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 1V @ 10MA, 100MA | 150 @ 10ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NRVS2M | 0.4900 | | 8080 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 기준 | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 1000 v | 1.15 V @ 2 a | 2 µs | 1 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-16LT3G | 0.1500 | | 46 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBD1015LT1 | 0.0200 | | 27 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCH099N65S3-F155 | 7.4200 | | 425 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FCH099 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 650 v | 30A (TC) | 10V | 99mohm @ 15a, 10V | 4.5V @ 3MA | 61 NC @ 10 v | ± 30V | 2480 pf @ 400 v | - | 227W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MJD210RLG | 0.6400 | | 348 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MJD210 | 1.4 w | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,800 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1.8v @ 1a, 5a | 45 @ 2A, 1V | 65MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5262BLT1 | - | | 1171 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 39 v | 51 v | 125 옴 |
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