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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 - 최대 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SJ661-DL-1E onsemi 2SJ661-DL-1E -
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 2SJ661 MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 38A (TA) 4V, 10V 39mohm @ 19a, 10V - 80 nc @ 10 v ± 20V 4360 pf @ 20 v - 1.65W (TA), 65W (TC)
NTD3055L170-001 onsemi NTD3055L170-001 -
RFQ
 ECAD 2262 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD30 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 9A (TA) 5V 170mohm @ 4.5a, 5V 2V @ 250µA 10 nc @ 5 v ± 15V 275 pf @ 25 v - 1.5W (TA), 28.5W (TJ)
NVATS4A101PZT4G onsemi NVATS4A101PZT4G -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVATS4 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 27A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 13a, 10V 2.6v @ 1ma 18.5 nc @ 10 v ± 20V 875 pf @ 10 v - 36W (TC)
HUF75939P3 onsemi HUF75939P3 -
RFQ
 ECAD 4485 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 HUF75 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 200 v 22A (TC) 10V 125mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 152 NC @ 20 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 180W (TC)
FCP260N65S3 onsemi FCP260N65S3 1.7783
RFQ
 ECAD 5173 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP260 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 260mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 1.2MA 24 nc @ 10 v ± 30V 1010 pf @ 400 v - 90W (TC)
NVMFS5C628NLT1G onsemi NVMFS5C628NLT1G 2.9800
RFQ
 ECAD 1748 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 150A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 50a, 10V 2V @ 135µA 52 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 110W (TC)
NVMFS5C410NWFAFT3G onsemi NVMFS5C410NWFAFT3G 2.3725
RFQ
 ECAD 1316 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 46A (TA), 300A (TC) 10V 0.92mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 166W (TC)
FDB075N15A-F085 onsemi FDB075N15A-F085 4.4100
RFQ
 ECAD 220 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB075 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 110A (TC) 10V 7.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5595 pf @ 75 v - 333W (TC)
FQB5N50CFTM onsemi fqb5n50cftm -
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 온세미 FRFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB5 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.55ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 96W (TC)
MMBD770T1 onsemi MMBD770T1 -
RFQ
 ECAD 9607 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 MMBD77 SC-70-3 (SOT323) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 MA 120 MW 1pf @ 20V, 1MHz Schottky- 싱글 70V -
MPS6562_D75Z onsemi MPS6562_D75Z -
RFQ
 ECAD 6164 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPS656 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 25 v 1 a 100NA PNP 500mv @ 50ma, 500ma 50 @ 500ma, 1V 60MHz
3LP01M-TL-E onsemi 3LP01M-TL-E -
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 3LP01 MOSFET (금속 (() MCP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 10.4ohm @ 50ma, 4v - 1.43 NC @ 10 v ± 10V 7.5 pf @ 10 v - 150MW (TA)
NSVMMBT5551M3T5G onsemi NSVMMBT5551M3T5G 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 NSVMMBT5551 265 MW SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 160 v 60 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V -
MTB50P03HDLG onsemi MTB50P03HDLG -
RFQ
 ECAD 3212 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MTB50 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 30 v 50A (TC) 5V 25mohm @ 25a, 5V 2V @ 250µA 100 nc @ 5 v ± 15V 4900 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 125W (TC)
MMSZ2V7T1 onsemi MMSZ2V7T1 -
RFQ
 ECAD 1447 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ2V 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
NDB4050 onsemi NDB4050 -
RFQ
 ECAD 7568 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NDB405 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 50 v 15A (TC) 10V 100mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 50W (TC)
NTMD4N03R2G onsemi NTMD4N03R2G 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMD4 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 4a 60mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 16NC @ 10V 400pf @ 20V 논리 논리 게이트
MMBT5401WT1G onsemi MMBT5401WT1G 0.4100
RFQ
 ECAD 530 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBT5401 400MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 500 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
NSBC143ZPDXV6T1 onsemi NSBC143ZPDXV6T1 0.0600
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 NSBC14 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000
NTMFD5C650NLT1G onsemi ntmfd5c650nlt1g 8.3800
RFQ
 ECAD 1126 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFD5 MOSFET (금속 (() 3.5W (TA), 125W (TC) 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 21A (TA), 111A (TC) 4.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 98µA 37NC @ 10V 2546pf @ 25v -
SZMMSZ5241BT1G onsemi SZMMSZ5241BT1G 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SZMMSZ52XXXT1G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 SZMMSZ52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
SMUN5215T1G onsemi smun5215t1g 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 smun5215 202 MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 1ma, 10ma 160 @ 5MA, 10V 10 KOHMS
FDP18N20F onsemi FDP18N20F -
RFQ
 ECAD 5018 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP18 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2156-FDP18N20F-488 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 145mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 1180 pf @ 25 v - 100W (TC)
BF393ZL1 onsemi BF393ZL1 -
RFQ
 ECAD 6706 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BF393 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 2V @ 2MA, 20MA 40 @ 10ma, 10V 50MHz
NDD60N550U1-35G onsemi NDD60N550U1-35G -
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NDD60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 8.2A (TC) 10V 550mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 25V 540 pf @ 50 v - 94W (TC)
NTD85N02R-1G onsemi NTD85N02R-1g -
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD85 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 = ntd85n02r 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 24 v 12A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 5.2MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 17.7 NC @ 5 v ± 20V 2050 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 78.1W (TC)
NSBC144WDP6T5G onsemi NSBC144WDP6T5G 0.0672
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-963 NSBC144 408MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 250mv @ 5ma, 10ma 80 @ 5ma, 10V - 47kohms 22kohms
MMBZ5248BLT1G onsemi MMBZ5248BLT1G 0.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5248 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 18 v 21 옴
MMFT2406T1 onsemi MMFT2406T1 -
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 온세미 - Digi-Reel® 쓸모없는 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MMFT24 MOSFET (금속 (() SOT-223 (TO-261) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 700ma (TC) 6ohm @ 500ma, 10V 2V @ 1mA 125 pf @ 25 v -
FDS7064N onsemi FDS7064N -
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 FDS70 MOSFET (금속 (() 8- flmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V 7.5mohm @ 16a, 4.5v 2V @ 250µA 48 NC @ 4.5 v ± 12V 3355 pf @ 15 v - 3W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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