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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 - 최대 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MMBZ5223B onsemi MMBZ5223B -
RFQ
ECAD 9027 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
FGPF70N33BTTU onsemi FGPF70N33BTTU -
RFQ
ECAD 2476 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FGPF7 기준 48 W. TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 도랑 330 v 220 a 1.7V @ 15V, 70A - 49 NC -
NVD5C478NLT4G onsemi NVD5C478NLT4G 0.8800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD5C478 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 14A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 7.7mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 30µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 3W (TA), 30W (TC)
BTB16-800BW3G onsemi BTB16-800BW3G 1.0000
RFQ
ECAD 2737 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220AB 다운로드 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 60 MA 기준 800 v 16 a 1.1 v 170A @ 60Hz 50 MA
NGTB15N120FL2WG onsemi NGTB15N120FL2WG 5.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB15 기준 294 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 15a, 10ohm, 15V 110 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 30 a 60 a 2.4V @ 15V, 15a 1.2mj (on), 370µj (OFF) 109 NC 64ns/132ns
FGB3040CS onsemi FGB3040C -
RFQ
ECAD 2453 0.00000000 온세미 Ecospark® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB FGB3040 논리 150 W. d²pak-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 300V, 1KOHM, 5V - 430 v 21 a 1.6V @ 4V, 6A - 15 NC -/4.7µs
NVMFS5C410NAFT3G onsemi NVMFS5C410NAFT3G 2.2143
RFQ
ECAD 6931 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 46A (TA), 300A (TC) 10V 0.92mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 166W (TC)
HUFA76619D3S onsemi hufa76619d3s -
RFQ
ECAD 5578 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa76 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 18A (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 16V 767 pf @ 25 v - 75W (TC)
FQD6N50CTM onsemi fqd6n50ctm -
RFQ
ECAD 4710 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD6N50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 61W (TC)
FDMS6681Z onsemi FDMS6681Z -
RFQ
ECAD 6341 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS6681 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 21.1A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 22.1a, 10V 3V @ 250µA 241 NC @ 10 v ± 25V 10380 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 73W (TC)
NTD3817N-35G onsemi NTD3817N-35G -
RFQ
ECAD 1011 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK NTD38 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 16 v 7.6A (TA), 34.5A (TC) 4.5V, 10V 13.9mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 10.5 nc @ 4.5 v ± 16V 702 pf @ 12 v - 1.2W (TA), 25.9W (TC)
FDPC8014AS onsemi FDPC8014AS -
RFQ
ECAD 6026 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDPC8014 MOSFET (금속 (() 2.1W, 2.3W 파워 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 25V 20A, 40A 3.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 35NC @ 10V 2375pf @ 13v -
2SC3398-TB-E onsemi 2SC3398-TB-E 0.2000
RFQ
ECAD 311 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 5,997
1N5335BRLG onsemi 1N5335BRLG 0.4900
RFQ
ECAD 1736 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5335 5 w 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.9 v 2 옴
DZB18C onsemi DZB18C 0.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0050 1
SMSZ1600-35T3DS onsemi SMSZ1600-35T3DS 0.0200
RFQ
ECAD 100 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 10,000
MMBZ5236BLT1G onsemi MMBZ5236BLT1G 0.1500
RFQ
ECAD 131 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5236 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
MM3Z51VC onsemi MM3Z51VC 0.0488
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F MM3Z51 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 35.7 v 51 v 169 옴
MMSZ5226ET1 onsemi MMSZ5226ET1 -
RFQ
ECAD 4756 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ522 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
NRVBS3200NT3G onsemi NRVBS3200NT3G 0.5900
RFQ
ECAD 6794 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB NRVBS3200 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 840 mV @ 3 a 1 ma @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
NZ9F6V8T5G onsemi NZ9F6V8T5G 0.3200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 NZ9F6 250 MW SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
2SC4454Q onsemi 2SC4454Q 0.0700
RFQ
ECAD 4842 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 366
NTSJ20100CTG onsemi NTSJ20100CTG -
RFQ
ECAD 7529 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NTSJ20 Schottky TO-220-2 풀 -2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 830 mv @ 10 a 800 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
SMBD1106LT3 onsemi SMBD1106LT3 0.0200
RFQ
ECAD 60 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 10,000
FDH055N15A onsemi FDH055N15A 7.6000
RFQ
ECAD 26 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FDH055 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 158A (TC) 10V 5.9mohm @ 120a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 20V 9445 pf @ 75 v - 429W (TC)
MUN5213T1 onsemi MUN5213T1 0.0400
RFQ
ECAD 288 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 mun5213 202 MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V 47 Kohms 47 Kohms
FFPF60B150DSTU onsemi FFPF60B150DSTU -
RFQ
ECAD 5116 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) TO-220-3 3 팩 FFPF60 TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 20 a - 표준 -1 쌍 1 연결 1500V, 600V -
NTB6412ANG onsemi NTB6412ANG -
RFQ
ECAD 7893 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB64 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 58A (TC) 10V 18.2MOHM @ 58A, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 167W (TC)
FLZ16VC onsemi FLZ16VC -
RFQ
ECAD 1781 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 FLZ16 500MW SOD-80 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.2 v @ 200 ma 133 na @ 12 v 16.1 v 15.2 옴
NRVTS8120EMFST1G onsemi NRVTS8120EMFST1G 0.7400
RFQ
ECAD 9368 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NRVTS8120 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 880 mV @ 8 a 50 µa @ 120 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고