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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
LFB01-CT1 onsemi LFB01-CT1 0.0200
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1
SZBZX84C36ET1G onsemi szbzx84c36et1g 0.2600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
MMSZ5226BT3 onsemi MMSZ5226BT3 -
RFQ
 ECAD 9202 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ522 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
SS9014CBU onsemi SS9014CBU -
RFQ
 ECAD 1199 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS9014 450 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 500NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 1ma, 5V 270MHz
MJD210TF onsemi MJD210TF -
RFQ
 ECAD 3901 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD21 1.4 w D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 25 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 1.8v @ 1a, 5a 45 @ 2A, 1V 65MHz
MSC2712GT1G onsemi MSC2712GT1G 0.2600
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MSC2712 200 MW SC-59 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA NPN 500mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 50MHz
BF959RL1 onsemi BF959RL1 -
RFQ
 ECAD 6210 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BF959 625MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 - 20V 100ma NPN 40 @ 20MA, 10V 700MHz 3DB @ 200MHz
KSC2310YTA onsemi KSC2310YTA -
RFQ
 ECAD 1743 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) KSC2310 800MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 150 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 120 @ 10ma, 5V 100MHz
HUF75645S3ST onsemi HUF75645S3ST 3.2600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75645 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 238 NC @ 20 v ± 20V 3790 pf @ 25 v - 310W (TC)
MJW18020G onsemi MJW18020G 9.1300
RFQ
 ECAD 6633 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MJW18020 250 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 450 v 30 a 100µA NPN 1.5V @ 4A, 20A 14 @ 3a, 5V 13MHz
MAC997B8RL1G onsemi MAC997B8RL1G -
RFQ
 ECAD 3531 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MAC997 TO-92 (TO-226) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 800 MA 2 v 8A @ 60Hz 3 MA
FCHD040N65S3-F155 onsemi FCHD040N65S3-F155 12.9500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCHD040 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 65A (TC) 10V 40mohm @ 32.5a, 10V 4.5V @ 1.7ma 136 NC @ 10 v ± 30V 4740 pf @ 400 v - 417W (TC)
SZBZX84C11ET1G onsemi szbzx84c11et1g 0.0358
RFQ
 ECAD 7112 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
NTTFS4943NTWG onsemi NTTFS4943NTWG -
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 8A (TA), 41A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 20.4 NC @ 10 v ± 20V 1386 pf @ 15 v - 840MW (TA), 22.3W (TC)
KSC1507O onsemi KSC1507O -
RFQ
 ECAD 4936 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSC1507 15 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 200 300 v 200 µA 100µA (ICBO) NPN 2V @ 5MA, 50MA 70 @ 10ma, 10V 80MHz
NVMFS6H848NT1G onsemi NVMFS6H848NT1G 0.6902
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 13A (TA), 57A (TC) 10V 9.4mohm @ 10a, 10V 4V @ 70µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1180 pf @ 40 v - 3.7W (TA), 73W (TC)
KSC2787OBU onsemi KSC2787OBU -
RFQ
 ECAD 8628 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 KSC2787 250 MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1ma, 10ma 70 @ 1ma, 6V 300MHz
KSH41CTM onsemi KSH41CTM -
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 KSH41 1.75 w D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 6 a 50µA NPN 1.5V @ 600MA, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
RHRG75120 onsemi RHRG75120 -
RFQ
 ECAD 5252 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 RHRG75 기준 TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.2 v @ 75 a 100 ns 250 µa @ 1200 v -65 ° C ~ 175 ° C 75a -
NVMFS6B05NLT3G onsemi NVMFS6B05NLT3G -
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 114A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 16V 3980 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 165W (TC)
FQPF10N60C onsemi FQPF10N60C 2.4300
RFQ
 ECAD 435 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF10 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.5A (TC) 10V 730mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 30V 2040 pf @ 25 v - 50W (TC)
1N968B_T50R onsemi 1N968B_T50R -
RFQ
 ECAD 9545 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N968 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 15.2 v 20 v 25 옴
MMFZ2V7T1G onsemi MMFZ2V7T1G -
RFQ
 ECAD 5932 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - 표면 표면 SOD-123 MMFZ2V 500MW SOD-123 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2.7 v
FDD8424H_F085 onsemi FDD8424H_F085 -
RFQ
 ECAD 3278 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD FDD8424 MOSFET (금속 (() 1.3W TO-252 (DPAK) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 9a, 6.5a 24mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 1000pf @ 20V 논리 논리 게이트
1N5378B onsemi 1N5378B -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 1N5378 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1N5378BOS 귀 99 8541.10.0050 1,000
FDZ1323NZ onsemi FDZ1323NZ 1.5000
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP FDZ1323 MOSFET (금속 (() 500MW 6-WLCSP (1.3x2.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 10A 13mohm @ 1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 24NC @ 10V 2055pf @ 10V 논리 논리 게이트
MMBZ5245BLT1 onsemi MMBZ5245BLT1 -
RFQ
 ECAD 9618 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
SBC856ALT1G onsemi SBC856ALT1G 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SBC856 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
NTMJS1D6N06CLTWG onsemi ntmjs1d6n06cltwg 4.7500
RFQ
 ECAD 9371 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 NTMJS1 MOSFET (금속 (() 8-LFPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 38A (TA), 250A (TC) 4.5V, 10V 1.36mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 91 NC @ 10 v ± 20V 6660 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 167W (TC)
FDPF5N50NZ onsemi FDPF5N50NZ 1.6500
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 온세미 Unifet-II ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF5 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.25a, ​​10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 25V 440 pf @ 25 v - 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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