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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BC640TA onsemi BC640TA 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC640 1 W. To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 100MHz
NSD914XV2T1G onsemi NSD914XV2T1G 0.3600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 NSD914 기준 SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
TIP42B onsemi TIP42B -
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 42 2 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 6 a 700µA PNP 1.5V @ 600MA, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
NTD95N02RT4G onsemi NTD95N02RT4G -
RFQ
 ECAD 1358 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD95 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 24 v 12A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V 2400 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 86W (TC)
KSE5742 onsemi KSE5742 -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSE57 80 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,200 400 v 8 a - npn-달링턴 3V @ 400ma, 8a 200 @ 4a, 5V -
NDP4050L onsemi NDP4050L -
RFQ
 ECAD 3280 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NDP405 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 45 n 채널 50 v 15A (TC) 5V, 10V 80mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 16V 600 pf @ 25 v - 50W (TC)
MPSA13ZL1 onsemi MPSA13ZL1 -
RFQ
 ECAD 5844 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPSA13 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
FDZ293P onsemi FDZ293P -
RFQ
 ECAD 4050 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-VFBGA FDZ29 MOSFET (금속 (() 9-BGA (1.5x1.6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.6A (TA) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 4.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V 754 pf @ 10 v - 1.7W (TA)
KSC1730OTA onsemi KSC1730ota -
RFQ
 ECAD 7871 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSC1730 250MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 - 15V 50ma NPN 70 @ 5MA, 10V 1.1GHz -
TN6725A_D75Z onsemi TN6725A_D75Z -
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) TN6725 1 W. TO-226 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 50 v 1.2 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 2MA, 1A 4000 @ 1a, 5V -
MMSZ4V7T1G onsemi MMSZ4V7T1G 0.2300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4V7 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
FQB5N15TM onsemi FQB5N15TM -
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB5 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 5.4A (TC) 10V 800mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 25V 230 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 54W (TC)
BAV103-G-ON onsemi bav103-g-on 0.0500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 2,500
3EZ4.3D5RLG onsemi 3EZ4.3D5RLG -
RFQ
 ECAD 8445 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ4.3 3 w 축 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.5 v @ 200 ma 30 µa @ 1 v 4.3 v 4.5 옴
MJD50T4G onsemi MJD50T4G 0.6900
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD50 1.56 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 1 a 200µA NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300ma, 10V 10MHz
EMG2DXV5T1 onsemi EMG2DXV5T1 -
RFQ
 ECAD 6645 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-553 EMG2DX 230MW SOT-553 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 47kohms 47kohms
MJE182STU onsemi MJE182STU -
RFQ
 ECAD 1949 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 MJE182 1.5 w TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2166-MJE182STU-488 귀 99 8541.29.0075 1,920 80 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 1.7V @ 600MA, 3A 50 @ 100MA, 1V 50MHz
MJD200T5G onsemi MJD200T5G -
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD20 1.4 w DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 8,000 25 v 5 a 100NA (ICBO) NPN 1.8v @ 1a, 5a 45 @ 2A, 1V 65MHz
FGH4L40T120LQD onsemi FGH4L40T120LQD 8.5200
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 기준 306 W. TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-FGH4L40T120LQD 귀 99 8541.29.0095 450 600V, 40A, 10ohm, 15V 59 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 160 a 1.8V @ 15V, 40A 1.04mj (on), 1.35mj (OFF) 227 NC 42ns/218ns
KSC1187OTA onsemi KSC1187ota -
RFQ
 ECAD 3336 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSC1187 250 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 20 v 30 MA 100NA (ICBO) NPN - 70 @ 2MA, 10V 700MHz
SZBZX84C20ET1G onsemi szbzx84c20et1g 0.2400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
MCH6421-TL-W onsemi MCH6421-TL-W -
RFQ
 ECAD 6634 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MCH64 MOSFET (금속 (() SC-88FL/MCPH6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.5A (TA) 1.8V, 4.5V 38mohm @ 2a, 4.5v 1.3v @ 1ma 5.1 NC @ 4.5 v ± 12V 410 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
2SA2126-E onsemi 2SA2126-E -
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 온세미 - 가방 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SA2126 800MW TP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 520MV @ 100MA, 2A 200 @ 100ma, 2v 390MHz
FQD7P06TM_NB82050 onsemi FQD7P06TM_NB82050 -
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 5.4A (TC) 10V 451mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 25V 295 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
FCH47N60 onsemi FCH47N60 -
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH47 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 70mohm @ 23.5a, 10V 5V @ 250µA 270 nc @ 10 v ± 30V 8000 pf @ 25 v - 417W (TC)
FQP65N06 onsemi FQP65N06 2.4400
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP65 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 65A (TC) 10V 16mohm @ 32.5a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 2410 pf @ 25 v - 150W (TC)
NVMFD5489NLWFT3G onsemi NVMFD5489NLWFT3G -
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5483 MOSFET (금속 (() 3W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 60V 4.5A 65mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 12.4NC @ 10V 330pf @ 25V 논리 논리 게이트
FQPF10N20C onsemi FQPF10N20C 1.3400
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF10 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9.5A (TC) 10V 360mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 38W (TC)
NTB22N06T4 onsemi NTB22N06T4 -
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB22 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 22A (TA) 10V 60mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 60W (TJ)
NTMFD016N06CT1G onsemi NTMFD016N06CT1G 3.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFD016 MOSFET (금속 (() 3.1W (TA), 36W (TC) 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 9A (TA), 32A (TC) 16.3mohm @ 5a, 10V 4V @ 25µA 6.9NC @ 10V 489pf @ 30v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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