SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2SB1215S-TL-E onsemi 2SB1215S-TL-E 0.9400
RFQ
ECAD 726 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SB1215 1 W. TP-FA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 700 100 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 150ma, 1.5a 140 @ 500ma, 5V 130MHz
NGTB60N60SWG onsemi NGTB60N60SWG -
RFQ
ECAD 9010 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB60 기준 298 w TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 10ohm, 15V 76 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 120 a 240 a 2.5V @ 15V, 60A 1.41mj (on), 600µJ (OFF) 173 NC 87ns/180ns
FDMD86100 onsemi FDMD86100 4.5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMD86 MOSFET (금속 (() 2.2W 8 파워 5x6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 100V 10A 10a, 10a, 10v 10.5mohm 4V @ 250µA 30NC @ 10V 2060pf @ 50V -
NDD60N360U1-35G onsemi NDD60N360U1-35G -
RFQ
ECAD 1499 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NDD60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 360mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 25V 790 pf @ 50 v - 114W (TC)
HUF75645S3ST onsemi HUF75645S3ST 3.2600
RFQ
ECAD 40 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75645 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 238 NC @ 20 v ± 20V 3790 pf @ 25 v - 310W (TC)
KSC1187OTA onsemi KSC1187ota -
RFQ
ECAD 3336 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSC1187 250 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 20 v 30 MA 100NA (ICBO) NPN - 70 @ 2MA, 10V 700MHz
SZBZX84C20ET1G onsemi szbzx84c20et1g 0.2400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
BZX79C13_T50R onsemi BZX79C13_T50R -
RFQ
ECAD 4221 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C13 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
BZX84C3V3LT3 onsemi BZX84C3V3LT3 0.0200
RFQ
ECAD 1227 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
NTD95N02RT4G onsemi NTD95N02RT4G -
RFQ
ECAD 1358 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD95 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 24 v 12A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V 2400 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 86W (TC)
KSE5742 onsemi KSE5742 -
RFQ
ECAD 2279 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSE57 80 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,200 400 v 8 a - npn-달링턴 3V @ 400ma, 8a 200 @ 4a, 5V -
NVJD4401NT1G onsemi NVJD4401NT1G 0.6200
RFQ
ECAD 52 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NVJD4401 MOSFET (금속 (() 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 630ma 375mohm @ 630ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 논리 논리 게이트
1N968B_T50R onsemi 1N968B_T50R -
RFQ
ECAD 9545 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N968 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 15.2 v 20 v 25 옴
MMFZ2V7T1G onsemi MMFZ2V7T1G -
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - 표면 표면 SOD-123 MMFZ2V 500MW SOD-123 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2.7 v
2N6042 onsemi 2N6042 -
RFQ
ECAD 5236 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2N6042 75 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 8 a 20µA pnp- 달링턴 2v @ 12ma, 3a 1000 @ 3A, 4V -
FDD8424H_F085 onsemi FDD8424H_F085 -
RFQ
ECAD 3278 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD FDD8424 MOSFET (금속 (() 1.3W TO-252 (DPAK) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 9a, 6.5a 24mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 1000pf @ 20V 논리 논리 게이트
MCH6421-TL-W onsemi MCH6421-TL-W -
RFQ
ECAD 6634 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MCH64 MOSFET (금속 (() SC-88FL/MCPH6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.5A (TA) 1.8V, 4.5V 38mohm @ 2a, 4.5v 1.3v @ 1ma 5.1 NC @ 4.5 v ± 12V 410 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
NDP4050L onsemi NDP4050L -
RFQ
ECAD 3280 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NDP405 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 45 n 채널 50 v 15A (TC) 5V, 10V 80mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 16V 600 pf @ 25 v - 50W (TC)
CPH6341-TL-E onsemi CPH6341-TL-E -
RFQ
ECAD 5608 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 CPH634 MOSFET (금속 (() 6-CPH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TA) 4V, 10V 59mohm @ 3a, 10V - 10 nc @ 10 v ± 20V 430 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
1PMT5920BT3G onsemi 1pmt5920bt3g -
RFQ
ECAD 9758 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5920 500MW Powermite 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.25 V @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 2 옴
FQPF10N20C onsemi FQPF10N20C 1.3400
RFQ
ECAD 2518 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF10 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9.5A (TC) 10V 360mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 38W (TC)
FQD3N40TF onsemi FQD3N40TF -
RFQ
ECAD 5889 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.4ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
1SMA5928BT3G onsemi 1SMA5928BT3G 0.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5928 1.5 w SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 7 옴
MJD210TF onsemi MJD210TF -
RFQ
ECAD 3901 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD21 1.4 w D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 25 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 1.8v @ 1a, 5a 45 @ 2A, 1V 65MHz
2N4403RL onsemi 2N4403RL -
RFQ
ECAD 7348 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) 2N4403 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 600 MA - PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
NJL4302DG onsemi NJL4302DG -
RFQ
ECAD 8088 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-5 NJL4302 230 w TO-264 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 25 350 v 15 a 100µA PNP 1V @ 800MA, 8A 80 @ 5a, 5V 35MHz
FQB5N60CTM-WS onsemi FQB5N60CTM-WS 1.4900
RFQ
ECAD 763 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB5N60 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 670 pf @ 25 v - 100W (TC)
2SA2126-E onsemi 2SA2126-E -
RFQ
ECAD 5471 0.00000000 온세미 - 가방 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SA2126 800MW TP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 520MV @ 100MA, 2A 200 @ 100ma, 2v 390MHz
NVMFD5489NLWFT3G onsemi NVMFD5489NLWFT3G -
RFQ
ECAD 6816 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5483 MOSFET (금속 (() 3W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 60V 4.5A 65mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 12.4NC @ 10V 330pf @ 25V 논리 논리 게이트
BZX84B4V7LT1G onsemi BZX84B4V7LT1G 0.2100
RFQ
ECAD 36 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.91% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고