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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) |
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![]() | FQD2P40TF_F080 | - | ![]() | 4009 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD2 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 400 v | 1.56A (TC) | 10V | 6.5ohm @ 780ma, 10V | 5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TIP31C | - | ![]() | 2704 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 팁 31 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 3 a | 300µA | NPN | 1.2v @ 375ma, 3a | 10 @ 3a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | tip31cg | 0.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 팁 31 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 3 a | 300µA | NPN | 1.2v @ 375ma, 3a | 10 @ 3a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||
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![]() | fqpf5n50ct | - | ![]() | 1095 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF5 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 625 pf @ 25 v | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||
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![]() | NVMFS5C430NAFT3G | 1.2543 | ![]() | 6246 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 35A (TA), 185a (TC) | 10V | 1.7mohm @ 50a, 10V | 3.5V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 3300 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 106W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS3212RTA | - | ![]() | 4468 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 | fjns32 | 300MW | 92S | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300mv @ 1ma, 10ma | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 47 Kohms |
일일 평균 RFQ 볼륨
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