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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
KST4124MTF onsemi KST4124MTF -
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST41 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 120 @ 2MA, 1V 300MHz
NSR05T40XV2T5G onsemi NSR05T40XV2T5G 0.3500
RFQ
 ECAD 6588 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 NSR05 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 640 mV @ 500 mA 20 ns 55 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 70pf @ 1v, 1MHz
FJV3115RMTF onsemi fjv3115rmtf -
RFQ
 ECAD 8763 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 fjv311 200 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
NTRV4101PT1G onsemi ntrv4101pt1g 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTRV4101 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.8A (TA) 1.8V, 4.5V 85mohm @ 1.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 8V 675 pf @ 10 v - 420MW (TA)
NTHD4N02FT1 onsemi NTHD4N02FT1 -
RFQ
 ECAD 5829 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 nthd4n MOSFET (금속 (() Chipfet ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 nthd4n02ft1os 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.9A (TJ) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 2.9a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 12V 300 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 910MW (TJ)
BZX84C16LT1 onsemi BZX84C16LT1 -
RFQ
 ECAD 3488 0.00000000 온세미 bzx84cxxxlt1g 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C16 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
SZMMSZ4688T1G onsemi szmmsz4688t1g 0.3700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 SZMMSZ4688 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 3 v 4.7 v
NTMFS4927NT1G onsemi NTMFS4927NT1G 0.6200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4927 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 7.9A (TA), 38A (TC) 4.5V, 10V 7.3MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 913 pf @ 15 v - 920MW (TA), 20.8W (TC)
NRVBB2535CTLT4G onsemi NRVBB2535CTLT4G -
RFQ
 ECAD 8134 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NRVBB2535 Schottky d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 12.5A 470 mV @ 12.5 a 10 ma @ 35 v -65 ° C ~ 125 ° C
MMBV3401LT3G onsemi MMBV3401LT3G -
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBV34 SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 200 MW 1pf @ 20V, 1MHz 핀 - 단일 35V 700mohm @ 10ma, 100mhz
FDFMA3N109 onsemi FDFMA3N109 -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDFMA3 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.9A (TC) 2.5V, 4.5V 123mohm @ 2.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3 NC @ 4.5 v ± 12V 220 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 1.5W (TA)
NDP7050 onsemi NDP7050 -
RFQ
 ECAD 4475 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NDP705 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NDP7050-NDR 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 50 v 75A (TC) 10V 13mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 150W (TC)
FCD5N60TF onsemi FCD5N60TF -
RFQ
 ECAD 3951 0.00000000 온세미 Superfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FCD5 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 4.6A (TC) 10V 950mohm @ 2.3a, 10V 5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 54W (TC)
FFSP1665A onsemi FFSP1665A 6.0600
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 FFSP1665 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.75 V @ 16 a 0 ns 200 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 16A 887pf @ 1v, 100khz
BDX54BG onsemi BDX54BG -
RFQ
 ECAD 7646 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BDX54 65 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 8 a 500µA pnp- 달링턴 2v @ 12ma, 3a 750 @ 3a, 3v -
NVMFS5C404NT1G onsemi NVMFS5C404NT1G 7.0000
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 378A (TC) 10V 0.7mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 128 NC @ 10 v ± 20V 8400 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 200W (TC)
BDX33CG onsemi BDX33CG 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BDX33 70 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 10 a 500µA npn-달링턴 2.5V @ 6MA, 3A 750 @ 3a, 3v -
NVMFS5C450NAFT1G onsemi NVMFS5C450NAFT1G 1.5700
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 24A (TA), 102A (TC) 10V 3.3mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 65µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 68W (TC)
FQU5N40TU onsemi fqu5n40tu 1.2300
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu5n40 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 400 v 3.4A (TC) 10V 1.6ohm @ 1.7a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
FDG8850NZ onsemi FDG8850NZ 0.5800
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG8850 MOSFET (금속 (() 300MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 750ma 400mohm @ 750ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.44NC @ 4.5V 120pf @ 10V 논리 논리 게이트
MR856G onsemi MR856G -
RFQ
 ECAD 3984 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 MR856 기준 축 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 3 a 300 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 125 ° C 3A -
FQPF27P06 onsemi FQPF27P06 2.1300
RFQ
 ECAD 2125 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF27 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 17A (TC) 10V 70mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 25V 1400 pf @ 25 v - 47W (TC)
NDC7002N_SB9G007 onsemi NDC7002N_SB9G007 -
RFQ
 ECAD 6205 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 NDC7002 MOSFET (금속 (() 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 510ma 2ohm @ 510ma, 10V 2.5V @ 250µA 1NC @ 10V 20pf @ 25V 논리 논리 게이트
FQA35N40 onsemi FQA35N40 -
RFQ
 ECAD 3372 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 400 v 35A (TC) 10V 105mohm @ 17.5a, 10V 5V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 30V 5600 pf @ 25 v - 310W (TC)
FJX4004RTF onsemi FJX4004RTF -
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 fjx400 200 MW SOT-323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 200MHz 47 Kohms 47 Kohms
BSR18A onsemi BSR18A -
RFQ
 ECAD 9921 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSR18 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
HUF76619D3S onsemi HUF76619D3S -
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 huf76 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 18A (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 16V 767 pf @ 25 v - 75W (TC)
FQB1P50TM onsemi FQB1P50TM 1.4000
RFQ
 ECAD 5732 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB1P50 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 500 v 1.5A (TC) 10V 10.5ohm @ 750ma, 10V 5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 63W (TC)
FDA28N50F onsemi FDA28N50F 5.1700
RFQ
 ECAD 206 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FDA28 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 28A (TC) 10V 175mohm @ 14a, 10V 5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 30V 5387 pf @ 25 v - 310W (TC)
NVMD6N04R2G onsemi NVMD6N04R2G -
RFQ
 ECAD 9864 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NVMD6 MOSFET (금속 (() 1.29W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 4.6a 34mohm @ 5.8a, 10V 3V @ 250µA 30NC @ 10V 900pf @ 32v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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