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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | BC857BTT1 | - | ![]() | 9102 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | BC857 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 1SMB5934BT3G | 0.5200 | ![]() | 6156 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 1SMB5934 | 3 w | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 18.2 v | 24 v | 19 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FJX3904TF | - | ![]() | 5669 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | FJX390 | 350 MW | SOT-323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 200 MA | - | NPN | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PZT2907A | - | ![]() | 3468 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | PZT290 | 1 W. | SOT-223-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 60 v | 800 MA | 20NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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flz6v2b | - | ![]() | 5196 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | flz6 | 500MW | SOD-80 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 v @ 200 ma | 3.3 µa @ 3 v | 6.1 v | 8.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FDMB2307NZ | 0.9400 | ![]() | 5961 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | FDMB2307 | MOSFET (금속 (() | 800MW | 6MLP (2x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | FDMB2307NZFSTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | - | - | - | - | 28NC @ 5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fjn965bu | - | ![]() | 6651 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | fjn965 | 750 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 20 v | 5 a | 1µA | NPN | 1V @ 100MA, 3A | 230 @ 500ma, 2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6013B | - | ![]() | 3077 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N6013 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 27 v | 36 v | 95 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | KSE702STU | - | ![]() | 3983 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | KSE70 | 40 W. | TO-126-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,920 | 80 v | 4 a | 100µA | pnp- 달링턴 | 2.5V @ 30MA, 1.5A | 750 @ 1.5a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | NVGS3441T1G | - | ![]() | 7207 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | NVGS3441 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.65A (TA) | 90mohm @ 3.3a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | 480 pf @ 5 v | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCJ010-TL-E | - | ![]() | 7889 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DCJ010 | 기준 | 3MCP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 연결 연결 시리즈 | 20 v | 100ma | 1 V @ 10 ma | 100 na @ 15 v | 125 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ffl60u60dntu | - | ![]() | 3046 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | FFL60 | 기준 | TO-264-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 600 v | 60a | 2.2 V @ 60 a | 90 ns | 25 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6513_D74Z | - | ![]() | 5083 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | MPS651 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 30 v | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 5ma, 50ma | 90 @ 2MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MGSF2N02ELT3G | - | ![]() | 6580 | 0.00000000 | 온세미 | * | 쓸모없는 | MGSF2 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4485T-An | 0.1500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXH80T120L2Q0PG | - | ![]() | 5569 | 0.00000000 | 온세미 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 맞는를 누르십시오 | 기준 기준 | NXH80T | 146 w | 기준 | Q0pack180AA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | NXH80T120L2Q0PGOS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | t- 타입 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 65 a | 2.8V @ 15V, 80A | 100 µa | 예 | 1.99 NF @ 20 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
KSC2688OSTU | - | ![]() | 4662 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | KSC2688 | 1.25 w | TO-126 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 60 | 300 v | 200 MA | 100µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 5MA, 50MA | 60 @ 10ma, 10V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqpf8n80cydtu | - | ![]() | 1034 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 형성 된 리드 | FQPF8 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 (Y- 형성) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 800 v | 8A (TC) | 10V | 1.55ohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 30V | 2050 pf @ 25 v | - | 59W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ksa1015grta-on | 0.0300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 400MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10ma, 100ma | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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