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불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
XNSV12200LT1G onsemi XNSV12200LT1G -
RFQ
 ECAD 3621 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 XNSV12200 - 488-XNSV12200LT1G 쓸모없는 1
1N5374BRLG onsemi 1N5374BRLG 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 축 1N5374 5 w 축 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 56 v 75 v 45 옴
SB10-03A2-BT onsemi SB10-03A2-BT -
RFQ
 ECAD 3858 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SB10 Schottky DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 30 ns 1 ma @ 30 v 150 ° C (°) 1A -
FJP5021RV onsemi FJP5021RV -
RFQ
 ECAD 1402 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 fjp5021 50 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 500 v 5 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 600MA, 3A 15 @ 600ma, 5V 18MHz
ECH8654-TL-H onsemi ECH8654-TL-H 0.7900
RFQ
 ECAD 196 년 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 ECH8654 MOSFET (금속 (() 1.5W 8- 초 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 5a 3A @ 3A, 4.5V - 11nc @ 4.5v 960pf @ 10V 논리 논리 게이트
NTS1260MFST1G onsemi NTS1260MFST1G -
RFQ
 ECAD 7590 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTS1260 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTS1260MFST1GTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 600 mV @ 12 a 90 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
2SA1520-TB-E onsemi 2SA1520-TB-E -
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-cp - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-2SA1520-TB-E-488 1 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 50 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
NZ8F5V6MX2WT5G onsemi NZ8F5V6MX2WT5G 0.0428
RFQ
 ECAD 6209 0.00000000 온세미 NZ8F 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 2-xdfn 250 MW 2-x2dfnw (1x0.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NZ8F5V6MX2WT5GTR 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2.5 v 5.6 v 60 옴
SZMMSZ47T1G onsemi szmmsz47t1g -
RFQ
 ECAD 3968 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 SZMMSZ47 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
FDS8882 onsemi FDS8882 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS88 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 940 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
1N5253B_S00Z onsemi 1N5253B_S00Z -
RFQ
 ECAD 4555 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5253 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 19 v 25 v 35 옴
NTMJS0D7N03CGTWG onsemi NTMJS0D7N03CGTWG 6.9400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 MOSFET (금속 (() 8-LFPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 59A (TA), 410A (TC) 10V 0.65mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 280µA 147 NC @ 10 v ± 20V 12300 pf @ 15 v - 4W (TA), 188W (TC)
2SK303-3-TB-E onsemi 2SK303-3-TB-E 0.1900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
SZBZX84C15LT3G onsemi SZBZX84C15LT3G 0.1800
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 20 옴
2SC536F-SPA onsemi 2SC536F-SPA 0.2500
RFQ
 ECAD 4252 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1,000
FDFMA2P853 onsemi FDFMA2P853 -
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDFMA2 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 120mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 8V 435 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.4W (TA)
S110FA onsemi S110FA 0.3900
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W S110 Schottky SOD-123FA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 55pf @ 4V, 1MHz
FSB50825B onsemi FSB50825B -
RFQ
 ECAD 5150 0.00000000 온세미 spm® 5 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 23-powerdip ip (0.551 ", 14.00mm) MOSFET FSB50825 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2156-FSB50825B-488 귀 99 8542.39.0001 270 3 상 인버터 3.6 a 250 v 1500VRMS
SB10-05A2-AT1 onsemi SB10-05A2-AT1 -
RFQ
 ECAD 1743 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SB10 Schottky DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 580 mV @ 1 a 30 ns 1 ma @ 50 v 125 ° C (°) 1A -
HUF75637S3_NR4895 onsemi HUF75637S3_NR4895 -
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 44A (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 250µA 108 NC @ 20 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 155W (TC)
FTD2019S-TL-E onsemi FTD2019S-TL-E 0.4700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
M1MA151WAT1G onsemi M1MA151WAT1G 0.0362
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 M1MA151 기준 SC-59 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 40 v 100MA (DC) 1.2 v @ 100 ma 10 ns 100 na @ 35 v 150 ° C (°)
SZMMBZ5249BLT1G onsemi SZMMBZ5249BLT1G 0.2300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZMMBZ5249 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
2N4123RLRM onsemi 2N4123RLRM -
RFQ
 ECAD 8604 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) 2N4123 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 50 @ 2MA, 1V 250MHz
NTB65N02RG onsemi NTB65N02RG -
RFQ
 ECAD 6164 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB65 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 25 v 65A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 9.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1330 pf @ 20 v - 1.04W (TA), 62.5W (TC)
NVTFS024N06CTAG onsemi NVTFS024N06CTAG 1.1300
RFQ
 ECAD 4527 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS024 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 7A (TA), 24A (TC) 10V 22.6MOHM @ 3A, 10V 4V @ 20µA 5.7 NC @ 10 v ± 20V 333 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
FNA40860B2 onsemi FNA40860B2 -
RFQ
 ECAD 8516 0.00000000 온세미 SPM® 45 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (1.024 ", 26.00mm) IGBT FNA40860 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 3 단계 8 a 600 v 2000VRMS
NTLUS3A40PZTBG onsemi ntlus3a40pztbg -
RFQ
 ECAD 1329 0.00000000 온세미 µCool ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 ntlus3 MOSFET (금속 (() 6-udfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.5V, 4.5V 29mohm @ 6.4a, 4.5v 1V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 8V 2600 pf @ 15 v - 700MW (TA)
FDB86363-F085 onsemi FDB86363-F085 4.9600
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB86363 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 110A (TC) 10V 2.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 40 v - 300W (TC)
SBT150-04J onsemi SBT150-04J -
RFQ
 ECAD 7984 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SBT150 Schottky TO-220ML 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 869-1031 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 15a 550 mV @ 6 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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