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불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SFT1458-TL-H onsemi SFT1458-TL-H -
RFQ
 ECAD 8021 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SFT145 MOSFET (금속 (() DPAK/TP-FA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 700 n 채널 600 v 1A (TA) 10V 13ohm @ 500ma, 10V - 3.8 NC @ 10 v ± 30V 65 pf @ 20 v - 1W (TA), 38W (TC)
NRVBSS13HE onsemi NRVBSS13HE 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 NRVBSS13 Schottky SOD-323HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 5.6 ns 50 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 55pf @ 4V, 1MHz
MM3Z16VST1 onsemi MM3Z16VST1 -
RFQ
 ECAD 5910 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MM3Z1 200 MW SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16.18 v 40
EMD4DXV6T1G onsemi EMD4DXV6T1G 0.5000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMD4DXV6 500MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 47kohms, 10kohms 47kohms
SZMMBZ5257BLT1G onsemi SZMMBZ5257BLT1G 0.2600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZMMBZ5257 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
MMSZ5251BT1 onsemi MMSZ5251BT1 -
RFQ
 ECAD 7923 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ525 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
BC237BRL1 onsemi BC237BRL1 -
RFQ
 ECAD 6297 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BC237 350 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 200MHz
NVTFWS027N10MCLTAG onsemi NVTFWS027N10MCLTAG 1.0000
RFQ
 ECAD 7572 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 7.4A (TA), 28A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 7a, 10V 3V @ 38µA 11.5 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 46W (TC)
2SC3784 onsemi 2SC3784 0.1600
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1
NRVTS860EMFST1G onsemi NRVTS860EMFST1G -
RFQ
 ECAD 9314 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 NRVTS860 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1
MURS360BT3G onsemi MURS360BT3G 0.6100
RFQ
 ECAD 7475 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MURS360 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 3 a 75 ns 3 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
BZX84C5V6_D87Z onsemi BZX84C5V6_D87Z -
RFQ
 ECAD 2669 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 7% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
NVH4L015N065SC1 onsemi NVH4L015N065SC1 50.4100
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVH4L015N065SC1 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 142A (TC) 15V, 18V 18mohm @ 75a, 18V 4.3V @ 25MA 283 NC @ 18 v +22V, -8V 4790 pf @ 325 v - 500W (TC)
BZX85C5V1TR5K onsemi BZX85C5V1TR5K -
RFQ
 ECAD 3128 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C5 1 W. DO-41 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 2 v 5.1 v 10 옴
NTMFS4823NT3G onsemi NTMFS4823NT3G -
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 6.9A (TA), 30A (TC) 4.5V, 11.5V 10.6mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 13 NC @ 11.5 v ± 20V 795 pf @ 15 v - 860MW (TA), 32.5W (TC)
FLZ4V3B onsemi flz4v3b -
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 flz4 500MW SOD-80 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.2 v @ 200 ma 470 na @ 1 v 4.3 v 32 옴
NXH350N100H4Q2F2S1G onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G 256.7100
RFQ
 ECAD 7930 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 NXH350 276 W. 기준 42-PIM/Q2pack (93x47) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NXH350N100H4Q2F2S1G 귀 99 8541.29.0095 12 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 1000 v 303 a 2.3V @ 15V, 375A 1 MA 예 24.146 NF @ 20 v
FSBS5CH60 onsemi FSBS5CH60 -
RFQ
 ECAD 1936 0.00000000 온세미 spm® 3 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 27-powerdip ip (1.205 ", 30.60mm) IGBT FSBS5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 3 단계 5 a 600 v 2500VRMS
SZMM3Z3V0T1G onsemi szmm3z3v0t1g 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 szmm3 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 100 옴
SBRA301LT3 onsemi SBRA301LT3 0.0700
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 5,000
MMBD1201 onsemi MMBD1201 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD12 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 200 ma 4 ns 50 Na @ 50 v 150 ° C (°) 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
MCH6541-TL-E onsemi MCH6541-TL-E 0.5300
RFQ
 ECAD 955 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6541 550MW 6mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30V 700ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 190mv @ 10ma, 200ma / 220mv @ 10ma, 200ma 300 @ 50ma, 2v / 200 @ 10ma, 2v 540MHz, 520MHz
NTD4906N-1G onsemi NTD4906N-1G -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD49 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 10.3A (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1932 pf @ 15 v - 1.38W (TA), 37.5W (TC)
NTR3A085PZT1G onsemi ntr3a085pzt1g 0.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1
MMBZ5242ELT1G onsemi MMBZ5242ELT1G 0.3600
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5242 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
SZBZX84C3V3LT3G onsemi szbzx84c3v3lt3g 0.1800
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SZBZX84CXXXLT1G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
SQJ500EP onsemi sqj500ep -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 - - - SQJ500 - - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
FQA70N15 onsemi FQA70N15 -
RFQ
 ECAD 8966 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA70 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 150 v 70A (TC) 10V 28mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 10 v ± 25V 5400 pf @ 25 v - 330W (TC)
SZMM5Z7V5T1G onsemi szmm5z7v5t1g 0.5100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 SZMM5 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
1SMA5931BT3 onsemi 1SMA5931BT3 -
RFQ
 ECAD 2835 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5931 1.5 w SMA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 13.7 v 18 v 12 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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