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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 전원 - 출력 얻다 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NVTA7002NT1G onsemi NVTA7002NT1G 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 NVTA7002 MOSFET (금속 (() SC-75, SOT-416 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 154MA (TJ) 2.5V, 4.5V 7ohm @ 154ma, 4.5v 1.5V @ 100µa ± 10V 20 pf @ 5 v - 300MW (TJ)
PCFA3612D onsemi PCFA3612d -
RFQ
 ECAD 6354 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-PCFA3612DTR 쓸모없는 3,000
FDP20N50 onsemi FDP20N50 -
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 230mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 59.5 nc @ 10 v ± 30V 3120 pf @ 25 v - 250W (TC)
FSBF10CH60BT onsemi FSBF10CH60BT -
RFQ
 ECAD 1964 0.00000000 온세미 spm® 3 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 27-powerdip ip (1.205 ", 30.60mm) IGBT FSBF1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 3 단계 10 a 600 v 2500VRMS
SMBT1231LT1G onsemi SMBT1231LT1G 0.0200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0050 3,000
MMBT100A onsemi MMBT100A -
RFQ
 ECAD 9140 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT10 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 50NA NPN 400mv @ 20ma, 200ma 300 @ 10ma, 1v 250MHz
MMBZ5232ELT1 onsemi MMBZ5232ELT1 -
RFQ
 ECAD 3026 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MMBZ5232ELT1OS 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
2SD1816T-TL-E onsemi 2SD1816T-TL-E 1.0400
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1816 1 W. TP-FA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 700 100 v 4 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 200ma, 2a 200 @ 500ma, 5V 180MHz
NVTJD4001NT2G onsemi nvtjd4001nt2g -
RFQ
 ECAD 1790 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NVTJD40 MOSFET (금속 (() 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 250ma 1.5ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa 1.3NC @ 5V 33pf @ 5v -
FQPF17N08 onsemi FQPF17N08 -
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 11.2A (TC) 10V 115mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 450 pf @ 25 v - 30W (TC)
SZMMSZ4699T1G onsemi szmmsz4699t1g 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 SZMMSZ4699 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 9.1 v 12 v
MBRF30L45CTG onsemi MBRF30L45CTG 1.5600
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MBRF30 Schottky TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 500 mV @ 15 a 650 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
KSC1008OBU onsemi KSC1008obu -
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC1008 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2832-KSC1008OBU 귀 99 8541.21.0095 10,000 60 v 700 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 70 @ 50MA, 2V 50MHz
MMBT5401LT3G onsemi MMBT5401LT3G 0.2000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5401 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 150 v 500 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
FGH20N6S2 onsemi FGH20N6S2 -
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 fgh20 기준 125 w TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 150 390V, 7A, 25ohm, 15V - 600 v 28 a 40 a 2.7V @ 15V, 7A 25µJ (on), 58µJ (OFF) 30 NC 7.7ns/87ns
DTA114EM3T5G onsemi DTA114EM3T5G 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA114 260 MW SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 250MV @ 300µA, 10MA 35 @ 5MA, 10V 10 KOHMS 10 KOHMS
FDMS5672 onsemi FDMS5672 3.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMS56 MOSFET (금속 (() 8-mlp (5x6), 파워 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 10.6A (TA), 22A (TC) 6V, 10V 11.5mohm @ 10.6a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 78W (TC)
NTDV5805NT4G onsemi NTDV5805NT4G -
RFQ
 ECAD 8395 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTDV58 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 51A (TC) 5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1725 pf @ 25 v - -
2N7002LT7H onsemi 2N7002LT7H -
RFQ
 ECAD 4571 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,500 n 채널 60 v 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
2SC2812-5-TB-E onsemi 2SC2812-5-TB-E 0.0200
RFQ
 ECAD 387 0.00000000 온세미 * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
SZMMSZ9V1T1G onsemi szmmsz9v1t1g 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 szmmsz9 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
BF245A_D75Z onsemi BF245A_D75Z -
RFQ
 ECAD 1505 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 30 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BF245 - JFET To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 6.5MA - - -
FJT44TF onsemi fjt44tf 0.5400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA fjt44 2 w SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 400 v 300 MA 500NA NPN 750mv @ 5ma, 50ma 50 @ 10ma, 10V -
MMSZ5247BT3G onsemi MMSZ5247BT3G 0.3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ524 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
2N5460_D27Z onsemi 2N5460_D27Z -
RFQ
 ECAD 6564 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5460 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 7pf @ 15V 40 v 1 ma @ 15 v 750 mV @ 1 µA
HUF75309D3ST onsemi huf75309d3st -
RFQ
 ECAD 9421 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 HUF75 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 19A (TC) 10V 70mohm @ 19a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 20 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 55W (TC)
NSVBAV70TT1 onsemi NSVBAV70TT1 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 3,000
SZBZX84B8V2LT1G onsemi szbzx84b8v2lt1g 0.2400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
FDMC86102 onsemi FDMC86102 2.2700
RFQ
 ECAD 2256 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMC86 MOSFET (금속 (() Power33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7A (TA), 20A (TC) 6V, 10V 24mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 965 pf @ 50 v - 2.3W (TA), 41W (TC)
NVMTS0D6N04CLTXG onsemi NVMTS0D6N04CLTXG 8.4200
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - NVMTS0 MOSFET (금속 (() - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 78.9A (TA), 554.5A (TC) 4.5V, 10V 0.42mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 265 NC @ 10 v ± 20V 16013 PF @ 20 v - 5W (TA), 245W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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