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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NVTFS5C680NLWFTAG onsemi nvtfs5c680nlwftag 1.1400
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS5 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 7.82A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 26.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 20V 327 pf @ 25 v - 3W (TA), 20W (TC)
MBT3906DW1T3 onsemi MBT3906DW1T3 0.0200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000
CPH6414-TL-E onsemi CPH6414-TL-E 0.1700
RFQ
 ECAD 444 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
NVTFS5C478NLTAG onsemi NVTFS5C478NLTAG 1.0500
RFQ
 ECAD 1811 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS5 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 26A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 20µA 8 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 20W (TC)
MTD5N25ET4 onsemi MTD5N25ET4 0.2600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500
FDT434P onsemi FDT434P -
RFQ
 ECAD 4813 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FDT43 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 20 v 6A (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 8V 1187 pf @ 10 v - 3W (TA)
6LN04MH-TL-E onsemi 6LN04MH-TL-E 0.0700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
NZ9F7V5T5G onsemi NZ9F7V5T5G -
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 NZ9F 250 MW SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 500 mV @ 4 a 500 na @ 4 v 7.5 v 30 옴
3LN02C-TB-E onsemi 3LN02C-TB-E 0.0600
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
FQI3N90TU onsemi fqi3n90tu -
RFQ
 ECAD 9599 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI3 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 4.25ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 910 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 130W (TC)
FLZ36VB onsemi FLZ36VB -
RFQ
 ECAD 6031 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 FLZ36 500MW SOD-80 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.2 v @ 200 ma 133 NA @ 27 v 33.6 v 63 옴
SZMMBZ5253BLT1G onsemi SZMMBZ5253BLT1G 0.0276
RFQ
 ECAD 2015 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SZMMBZ5253 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 19 v 25 v 35 옴
NTB004N10G onsemi NTB004N10G 6.9600
RFQ
 ECAD 1634 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB004 MOSFET (금속 (() D²PAK-3 (TO-263-3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTB004N10GTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 201a (TA) 10V 4.2MOHM @ 100A, 10V 4V @ 500µA 175 NC @ 10 v ± 20V 11900 pf @ 50 v - 340W (TC)
NSVBCP68T1G onsemi NSVBCP68T1G 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 20 v 1 a 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V 60MHz
TS85_BZX84C12 onsemi TS85_BZX84C12 -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TS85 550 MW SOT-23 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 8 v 12.15 v
NTNS3CS94NZT5G onsemi NTNS3CS94NZT5G 0.1100
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-NTNS3CS94NZT5G-488 1
FDD1600N10ALZD onsemi FDD1600N10ALZD -
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD FDD160 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 6.8A (TC) 5V, 10V 160mohm @ 3.4a, 10V 2.8V @ 250µA 3.61 NC @ 10 v ± 20V 225 pf @ 50 v - 14.9W (TC)
MJK31CTWG onsemi MJK31CTWG 1.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK MJK31 2.7 w LFPAK4 (5x6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 100 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 25 @ 1a, 4v 3MHz
BC237BZL1 onsemi BC237BZL1 -
RFQ
 ECAD 8263 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BC237 350 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 200MHz
MJD31CTF onsemi MJD31CTF -
RFQ
 ECAD 9198 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD31 1.56 w D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 100 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
IRFP450B onsemi IRFP450B -
RFQ
 ECAD 5077 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IRFP4 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 390mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 30V 3800 pf @ 25 v - 205W (TC)
SZMM5Z5V1ST5G onsemi szmm5z5v1st5g 0.0932
RFQ
 ECAD 9136 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.16% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 SZMM5 500MW SOD-523 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-szmm5z5v1st5gtr 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
ATP213-TL-H onsemi ATP213-TL-H -
RFQ
 ECAD 4018 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP213 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 50A (TA) 4V, 10V 16mohm @ 25a, 10V - 58 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 20 v - 50W (TC)
NTHL095N65S3H onsemi NTHL095N65S3H 7.7900
RFQ
 ECAD 433 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NTHL095N65S3H 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 95mohm @ 15a, 10V 4V @ 2.8ma 58 NC @ 10 v ± 30V 2833 pf @ 400 v - 208W (TC)
NSR20206NXT5G onsemi NSR20206NXT5G 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 0603 (1608 메트릭) Schottky 2-DSN (1.6x0.8) 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-NSR20206NXT5G 귀 99 8541.10.0070 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 490 mV @ 2 a 75 ns 150 µa @ 20 v 150 ° C 2A 140pf @ 0V, 1MHz
SB360 onsemi SB360 -
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB36 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 740 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 125 ° C 3A 180pf @ 4V, 1MHz
5HP02M-TL-E onsemi 5HP02M-TL-E 0.0500
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
MMSZ5245ET1G onsemi MMSZ5245ET1G 0.4400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 온세미 MMSZ52XXXT1G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ524 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
SBE809-TL-E onsemi SBE809-TL-E 0.1500
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 3,000
MUN5335DW1T2 onsemi MUN5335DW1T2 0.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 mun53 - SC-88/SC70-6/SOT-363 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) - 80 @ 5ma, 10V - 2.2kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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