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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | SBE002-TL-E | - | ![]() | 8483 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SBE002 | Schottky | 6-CPH | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 550 mV @ 1 a | 80 µa @ 25 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 52pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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sznz8f8v2smx2wt5g | 0.0490 | ![]() | 6844 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, NZ8F | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.32% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 2-xdfn | 250 MW | 2-x2dfnw (1x0.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-SZNZ8F8V2SMX2WT5GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 ma | 500 na @ 5 v | 8.2 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | ntmfs4c53nt1g | - | ![]() | 3996 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | - | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFD4901NFT1G | - | ![]() | 4879 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NTMFD4901 | MOSFET (금속 (() | 1.1W, 1.2W | 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8fl-dual-Asymmetrical) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널), Schottky | 30V | 10.3a, 17.9a | 6.5mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 250µA | 9.7NC @ 4.5V | 1150pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
FCP250N65S3R0L-F154 | 3.4500 | ![]() | 930 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCPF250 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 12A (TJ) | 10V | 250mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 290µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 1010 pf @ 400 v | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD2N80TF | - | ![]() | 7175 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD2 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 800 v | 1.8A (TC) | 10V | 6.3ohm @ 900ma, 10V | 5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 550 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAC97-008 | 0.0600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSV8100V | 0.7600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | FSV8100 | Schottky | TO-277-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 670 mV @ 8 a | 19.64 ns | 50 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 672pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | szmmsz11t1g | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | szmmsz11 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FDD8580 | - | ![]() | 9021 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD858 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 1445 pf @ 10 v | - | 49.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
flz5v1b | - | ![]() | 5256 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | flz5 | 500MW | SOD-80 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 v @ 200 ma | 190 NA @ 1.5 v | 5.1 v | 17 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVBS215FA | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123W | Schottky | SOD-123FA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 950 MV @ 2 a | 13 ns | 100 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 48pf @ 4V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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