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| BC214LC_J35Z | - | | 8880 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC214 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 v | 500 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 100ma | 140 @ 2MA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| sznz3f10vt1g | - | | 5392 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | sznz3 | 800MW | SOD-323FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.3 v @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 10 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCB290N80 | 6.7800 | | 6433 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® II | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FCB290 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 800 v | 17A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4.5V @ 1.7ma | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 3205 pf @ 100 v | - | 212W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SZBZX84C47ET1G | 0.2200 | | 29 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SZBZX84 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 32.9 v | 47 v | 170 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDD8874 | - | | 6600 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD887 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 18A (TA), 116A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 2990 pf @ 15 v | - | 110W (TC) |
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