- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
불연속 불연속 제품 (26937)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTLJS3D9N03CTAG | - |  | 8227 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerwdfn | ntljs3 | MOSFET (금속 (() | 6-pqfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 10.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 4.9mohm @ 10a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 14.7 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1565 pf @ 15 v | - | 860MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SBT80-10Y-E | - | | 9897 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SBT80 | Schottky | SMP-FD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 8a | 800 mv @ 3 a | 100 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MPQ6842 | 1.0100 | | 8 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDS8878-F123 | 0.2800 | | 2 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1,154 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FSB50550TB | - | | 1241 | 0.00000000 | 온세미 | spm® 5 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 23-powerdip ip (0.748 ", 19.00mm) | MOSFET | FSB505 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 15 | 3 단계 | 1.8 a | 500 v | 1500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDPF12N60NZ | 2.4000 | | 3850 | 0.00000000 | 온세미 | Unifet-II ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FDPF12 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 650mohm @ 6a, 10V | 5V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 30V | 1676 pf @ 25 v | - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQD9N25TM-F085 | 0.5160 | | 2891 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, QFET® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD9N25 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 250 v | 7.4A (TC) | 10V | 420mohm @ 3.7a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 700 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDP3651U | 2.3900 | | 1 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FDP36 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 10V | 18mohm @ 80a, 10V | 5.5V @ 250µA | 69 NC @ 10 v | ± 20V | 5522 pf @ 25 v | - | 255W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N964B | - | | 5801 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N964 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µa @ 9.9 v | 13 v | 13 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ4680ET1 | - | | 2007 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ46 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 4 µa @ 1 v | 2.2 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF75333S3ST | - | | 3547 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 66A (TC) | 10V | 16mohm @ 66a, 10V | 4V @ 250µA | 85 NC @ 20 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MURD620CT1 | - | | 1872 | 0.00000000 | 온세미 | 스위치 스위치 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | murd62 | 기준 | DPAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 75 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 3A | 1 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FSS145-TL-E | 1.0400 | | 23 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMC8015L-L701 | 0.7235 | | 1251 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8MLP (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-FDMC8015L-L701TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 7A (TA), 18A (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 945 pf @ 20 v | - | 2.3W (TA), 24W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | KBP02M | - | | 3804 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBPM | KBP0 | 기준 | KBPM | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | KBP02MFS | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 200 v | 1.5 a | 단일 단일 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SZ1SMB5930BT3G | 0.8700 | | 9319 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SZ1SMB5930 | 3 w | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 12.2 v | 16 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS21_D87Z | - | | 7343 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS21 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 250 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 v | 150 ° C (°) | 200ma | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6304P-X | - | | 5137 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | - | FDG6304 | - | - | - | - | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MZP4746ARLG | - | | 6872 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | MZP47 | 1 W. | 축 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 13.7 v | 18 v | 20 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDZ493P | - | | 8609 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-WFBGA | FDZ49 | MOSFET (금속 (() | 9-BGA (1.55x1.55) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 46mohm @ 4.6a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 12V | 754 pf @ 10 v | - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBD1488LT3G | 0.0200 | | 30 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 15,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1pmt5923BT1 | - | | 1999 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5923 | 3.2 w | Powermite | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1pmt5923BT1OS | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.25 V @ 200 ma | 5 µa @ 6.5 v | 8.2 v | 3.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MBR1035H | - | | 2676 | 0.00000000 | 온세미 | 스위치 스위치 ™ | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | MBR103 | Schottky | TO-220-2 | - | Rohs3 준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 840 mV @ 20 a | 100 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N747A | - | | 2804 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N747 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.5 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 3.6 v | 24 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NSS60200SMTTBG | 0.2120 | | 4608 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | NSS60200 | 1.8 w | 6-wdfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 60 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 450MV @ 200MA, 2A | 150 @ 100MA, 2V | 155MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5251B_D87Z | - | | 3592 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDS9933A | 1.1400 | | 2 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS99 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 3.8a | 75mohm @ 3.8a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 600pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5229B | - | | 1332 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 22 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCP13N60N | 4.5300 | | 737 | 0.00000000 | 온세미 | Supremos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FCP13N60 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 258mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 250µA | 39.5 nc @ 10 v | ± 30V | 1765 pf @ 100 v | - | 116W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTMT150N65S3HF | 6.8800 | | 2 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III, FRFET® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | MOSFET (금속 (() | 4-pqfn (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 150mohm @ 12a, 10V | 5V @ 540µA | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1985 pf @ 400 v | - | 192W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)