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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 최대 | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 -rds (on) | 저항 @ if, f | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | GBPC3510W | 5.8000 | ![]() | 283 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, GBPC-W | GBPC3510 | 기준 | GBPC-W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | GBPC3510WFS | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 17.5 a | 5 µa @ 1000 v | 35 a | 단일 단일 | 1kv | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC3501W | 5.8300 | ![]() | 200 | 0.00000000 | 온세미 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, GBPC-W | GBPC3501 | 기준 | GBPC-W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 17.5 a | 5 µa @ 100 v | 35 a | 단일 단일 | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5460G | - | ![]() | 2743 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 135 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2N5460 | 350 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2N5460GOS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | p 채널 | 7pf @ 15V | 40 v | 1 ma @ 15 v | 750 mV @ 1 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF5457LT1G | - | ![]() | 1979 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBF54 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 7pf @ 15V | 25 v | 1 ma @ 15 v | 500 mV @ 10 NA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J175 | - | ![]() | 1243 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | J175 | 350 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | J175FS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | p 채널 | - | 30 v | 7 ma @ 15 v | 3 V @ 10 NA | 125 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3820 | - | ![]() | 5354 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N3820 | 350 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | p 채널 | 32pf @ 10V | 20 v | 300 µa @ 10 v | 8 V @ 10 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR57 | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSR57 | 250 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | - | 40 v | 20 ma @ 15 v | 2 V @ 0.5 NA | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DF02M | - | ![]() | 9091 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) | DF02 | 기준 | 4-DIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 200 v | 1.5 a | 단일 단일 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5462_D27Z | - | ![]() | 2783 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N5462 | 350 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | p 채널 | 7pf @ 15V | 40 v | 4 ma @ 15 v | 1.8 V @ 1 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD301M3T5G | 0.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | SOT-723 | MMBD301 | SOT-723 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 200 MW | 1.5pf @ 15V, 1MHz | Schottky- 싱글 | 30V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB6412ANT4G | - | ![]() | 8424 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NTB64 | MOSFET (금속 (() | d²pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 58A (TC) | 10V | 18.2MOHM @ 58A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 3500 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDB10SS | - | ![]() | 6422 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | MDB10 | 기준 | 4 d sm/smd | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2832-MDB10SSTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1 V @ 1 a | 10 µa @ 1000 v | 1 a | 단일 단일 | 1kv | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGD3245G2-F085C | 2.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, ECOSPARK® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FGD3245 | 논리 | 150 W. | D-PAK (TO-252) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 300V, 6.5A, 1000ohm, 5V | - | 450 v | 23 a | 1.25V @ 4V, 6A | - | 23 NC | 0.9µs/5.4µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVR201MXT5G | 0.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2-xdfn | NSVR201 | 2-x2dfn (1x0.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 50 MA | 0.2pf @ 0V, 1MHz | Schottky- 싱글 | 2V | 18ohm @ 10ma, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J310_D26Z | - | ![]() | 8578 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 25 v | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | J310 | 450MHz | JFET | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | n 채널 | 60ma | 10 MA | - | 12db | 3db | 10 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTP125N02R | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | NTP125 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 24 v | 15.9A (TA) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 28 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3440 pf @ 20 v | 1.98W (TA), 113.6W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5830NLT3G | - | ![]() | 9367 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 29A (TA) | 4.5V, 10V | 2.3MOHM @ 20A, 10V | 2.4V @ 250µA | 113 NC @ 10 v | ± 20V | 5880 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 158W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZ1SMB5951BT3G | 0.2389 | ![]() | 2009 년 년 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SZ1SMB5951 | 3 w | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 91.2 v | 120 v | 380 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFT1345-TL-H | - | ![]() | 1112 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SFT1345 | MOSFET (금속 (() | TP-FA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 700 | p 채널 | 100 v | 11A (TA) | 4V, 10V | 275mohm @ 5.5a, 10V | - | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1020 pf @ 20 v | - | 1W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS7692A | - | ![]() | 3902 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS76 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 13.5A (TA), 28A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 13a, 10V | 3V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1350 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 27W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTTFS002N04CLTAG | 2.2000 | ![]() | 7157 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS002 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 28A (TA), 142A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 50a, 10V | 2V @ 90µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 2940 pf @ 25 v | - | 3.2W (TA), 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C410NWFT1G | - | ![]() | 4196 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 300A (TC) | 10V | 0.92mohm @ 50a, 10V | 3.5V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 20V | 6100 pf @ 25 v | - | 3.9W (TA), 166W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ffaf10u120dntu | - | ![]() | 8818 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | FFAF10 | 기준 | to-3pf | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 1200 v | 10A | 3.5 V @ 10 a | 100 ns | 10 µa @ 1200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76432S3S | - | ![]() | 7160 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | hufa76 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 59A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 59a, 10V | 3V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 16V | 1765 pf @ 25 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBT80-10JS | - | ![]() | 9284 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SBT80 | Schottky | TO-220ML | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 8a | 800 mv @ 3 a | 100 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5231C | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5231 | 500MW | DO-35 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 17 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5387Brlg | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5387 | 5 w | 축 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 144 v | 190 v | 450 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848CDW1T1G | 0.2600 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC848 | 380MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (() | 600mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF2N80 | 1.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF2 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-FQPF2N80 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 1.5A (TC) | 10V | 6.3ohm @ 750ma, 10V | 5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 550 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FLZ13VA | - | ![]() | 4870 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | FLZ13 | 500MW | SOD-80 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 10 v | 12.5 v | 11.4 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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