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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NSVMMBT5087LT3G onsemi NSVMMBT5087LT3G 0.0560
RFQ
ECAD 9762 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVMMBT5087 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 50 MA 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 1ma, 10ma 250 @ 100µa, 5V 40MHz
BS170 onsemi BS170 0.4300
RFQ
ECAD 9294 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BS170 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 10 v - 830MW (TA)
FPN560A_D27Z onsemi FPN560A_D27Z -
RFQ
ECAD 6113 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 FPN5 1 W. To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 200ma, 2a 250 @ 500ma, 2V 75MHz
2SB1216T-H onsemi 2SB1216T-H -
RFQ
ECAD 4015 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SB1216 1 W. TP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 100 v 4 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 200 @ 500ma, 5V 130MHz
MPSA56_D26Z onsemi MPSA56_D26Z -
RFQ
ECAD 9872 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPSA56 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 80 v 500 MA 100NA PNP 200mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 50MHz
BSS84 onsemi BSS84 0.3800
RFQ
ECAD 1563 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 BSS84 MOSFET (금속 (() 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 4.5V, 10V 8ohm @ 150ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.3 NC @ 5 v ± 20V 73 pf @ 25 v - 225MW (TA)
NJV4031NT1G onsemi njv4031nt1g 0.6500
RFQ
ECAD 270 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NJV4031 2 w SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 300ma, 3a 200 @ 1a, 1v 215MHz
ISL9K30120G3 onsemi ISL9K30120G3 -
RFQ
ECAD 3791 0.00000000 온세미 스텔스 ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 ISL9 기준 TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 300 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 30A 3.3 v @ 30 a 100 ns 100 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRD330RLG onsemi MBRD330RLG 0.4368
RFQ
ECAD 2401 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD330 Schottky DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mV @ 3 a 200 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
2N4402TFR onsemi 2N4402Tfr -
RFQ
ECAD 7527 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N4402 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 40 v 600 MA - PNP 750mv @ 50ma, 500ma 50 @ 150ma, 2v -
BC637_D26Z onsemi BC637_D26Z -
RFQ
ECAD 9829 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC637 1 W. To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 100MHz
MBR2045EMFST3G onsemi MBR2045EMFST3G -
RFQ
ECAD 9420 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MBR2045 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 640 mV @ 20 a 400 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
FJN4313RTA onsemi FJN4313RTA -
RFQ
ECAD 5922 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 FJN431 300MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
FZT749 onsemi FZT749 -
RFQ
ECAD 6412 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT7 2 w SOT-223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 25 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 300ma, 3a 100 @ 1a, 2v 100MHz
MJW0281A onsemi MJW0281A -
RFQ
ECAD 7943 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MJW02 150 W. TO-247-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJW0281AOS 귀 99 8541.29.0075 3,000 260 v 15 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 500MA, 5A 75 @ 3a, 5V 30MHz
MPS6560 onsemi MPS6560 0.0500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 MPS656 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000
TIP36CG onsemi tip36cg 3.6900
RFQ
ECAD 7957 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 36 125 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 100 v 25 a 1MA PNP 4V @ 5A, 25A 15 @ 15a, 4v 3MHz
TIP142FTU onsemi tip142ftu -
RFQ
ECAD 4627 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 팁 142 125 w to-3pf 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 100 v 10 a 2MA npn-달링턴 3V @ 40MA, 10A 1000 @ 5a, 4V -
FGA70N30TDTU onsemi fga70n30tdtu -
RFQ
ECAD 4576 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fga70 기준 201 W. 3pn 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - 21 ns 도랑 300 v 160 a 1.5V @ 15V, 20A - 125 NC -
TIP127G onsemi TIP127G 1.4400
RFQ
ECAD 32 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 127 2 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 500µA pnp- 달링턴 4V @ 20MA, 5A 1000 @ 3A, 3V -
MMSZ4698T1G onsemi MMSZ4698T1G 0.2200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4698 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 8.4 v 11 v
2SA1481E-AC onsemi 2SA1481E-AC 0.0500
RFQ
ECAD 72 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1
2N6076_D75Z onsemi 2N6076_D75Z -
RFQ
ECAD 7937 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N6076 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 25 v 500 MA 100NA PNP 250mv @ 1ma, 10ma 100 @ 10ma, 1v -
MPS6652G onsemi MPS6652G -
RFQ
ECAD 1893 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPS665 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MPS6652GOS 귀 99 8541.21.0075 5,000 40 v 1 a 100NA PNP 600mv @ 100ma, 1a 50 @ 500ma, 1V 100MHz
MJE13005 onsemi MJE13005 -
RFQ
ECAD 6304 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MJE13 2 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJE13005OS 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 4 a - NPN 1v @ 1a, 4a 8 @ 2a, 5V 4MHz
KSD288YTU onsemi KSD288YTU -
RFQ
ECAD 9436 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSD288 25 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 55 v 3 a 50µA (ICBO) NPN 1V @ 100MA, 1A 120 @ 500ma, 5V -
BDX34CG onsemi BDX34CG -
RFQ
ECAD 2215 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BDX34 70 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 10 a 500µA pnp- 달링턴 2.5V @ 6MA, 3A 750 @ 3a, 3v -
1N5365BRLG onsemi 1N5365BRLG 0.4900
RFQ
ECAD 2163 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5365 5 w 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 27.4 v 36 v 11 옴
NTMFD4C50NT3G onsemi ntmfd4c50nt3g -
RFQ
ECAD 8208 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powertdfn NTMFD4 - 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8fl-dual-Asymmetrical) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 - 12A (TA) - - - -
MPS4124G onsemi MPS4124G -
RFQ
ECAD 6731 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPS412 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 25 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 120 @ 2MA, 1V 170MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고