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불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
MR752RLG onsemi MR752RLG -
RFQ
 ECAD 8156 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 버튼, 방향 축 MR75 기준 마이크로드 마이크로드 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 짐 200 v 900 mV @ 6 a 25 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
NST3946DXV6T5 onsemi NST3946DXV6T5 -
RFQ
 ECAD 9819 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NST3946 500MW SOT-563 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 40V 200ma - NPN, PNP 300mv @ 5ma, 50ma / 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz, 250MHz
KSD1691YS onsemi KSD1691YS 0.7800
RFQ
 ECAD 5469 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 KSD1691 1.3 w TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 60 v 5 a 10µA (ICBO) NPN 300mv @ 200ma, 2a 160 @ 2a, 1V -
MJE521 onsemi MJE521 -
RFQ
 ECAD 2640 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 MJE521 40 W. TO-126 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 40 v 4 a 100µA (ICBO) NPN - 40 @ 1a, 1v -
MMBT2907AK onsemi MMBT2907AK -
RFQ
 ECAD 5851 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2907 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
SMUN2114T1G onsemi smun2114t1g 0.2400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 smun2114 230MW SC-59 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V 10 KOHMS 47 Kohms
2N5401G onsemi 2N5401G -
RFQ
 ECAD 6126 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2N5401 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
MMBZ5240ELT1G onsemi MMBZ5240ELT1G -
RFQ
 ECAD 4078 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
KSH2955TF onsemi KSH2955TF -
RFQ
 ECAD 7354 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 KSH29 1.75 w D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 60 v 10 a 50µA PNP 8V @ 3.3A, 10A 20 @ 4a, 4v 2MHz
NDS9933 onsemi NDS9933 -
RFQ
 ECAD 3099 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS993 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 3.2A 110mohm @ 3.2a, 4.5v 1V @ 250µA 20NC @ 4.5V 870pf @ 10V 논리 논리 게이트
BC307ABU onsemi BC307ABU -
RFQ
 ECAD 6793 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC307 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 MA 15NA PNP 500mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 130MHz
MMBT5087LT1 onsemi MMBT5087LT1 -
RFQ
 ECAD 8758 0.00000000 온세미 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 MMBT5087 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
MCH6337-TL-E onsemi MCH6337-TL-E -
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MCH63 MOSFET (금속 (() SC-88FL/MCPH6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCH6337-TL-EOS 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 49mohm @ 3a, 4.5v 1.3v @ 1ma 7.3 NC @ 4.5 v ± 10V 670 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
BC637_D26Z onsemi BC637_D26Z -
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC637 1 W. To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 100MHz
SMUN5313DW1T3G onsemi smun5313dw1t3g 0.4100
RFQ
 ECAD 9679 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 smun5313 187MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 47kohms 47kohms
DTA115EET1 onsemi dta115eet1 -
RFQ
 ECAD 3929 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA115 200 MW SC-75, SOT-416 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V 100 KOHMS 100 KOHMS
MBT3906DW1T1 onsemi MBT3906DW1T1 -
RFQ
 ECAD 6904 0.00000000 온세미 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 MBT3906 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
EMT1DXV6T5 onsemi EMT1DXV6T5 -
RFQ
 ECAD 2056 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMT1 500MW SOT-563 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 60V 100ma 500NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
2N7002KT3G onsemi 2N7002KT3G -
RFQ
 ECAD 4099 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 320MA (TA) 4.5V, 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.3V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 20V 24.5 pf @ 20 v - 350MW (TA)
KSP10BU onsemi KSP10BU 0.3200
RFQ
 ECAD 680 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSP10 350MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 - 25V - NPN 60 @ 4ma, 10V 650MHz -
FDG6318PZ onsemi FDG6318PZ -
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG6318 MOSFET (금속 (() 300MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 500ma 780mohm @ 500ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.62NC @ 4.5V 85.4pf @ 10V 논리 논리 게이트
MPS6561 onsemi MPS6561 -
RFQ
 ECAD 3119 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPS656 625 MW To-92-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 20 v 600 MA 100NA NPN 500mv @ 35ma, 350ma 50 @ 350MA, 1V 60MHz
MC1413BPG onsemi MC1413BPG -
RFQ
 ECAD 3909 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) MC1413B - 16-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 50V 500ma - 7 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma 1000 @ 350MA, 2V -
KSD1273QYDTU onsemi KSD1273QYDTU -
RFQ
 ECAD 1149 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 형성 된 리드 KSD1273 2 w TO-220F-3 (Y- 형성) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 60 v 3 a 100µA NPN 1V @ 50MA, 2A 500 @ 500ma, 4V 30MHz
FDMC8878 onsemi FDMC8878 1.3200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMC88 MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9.6A (TA), 16.5A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 9.6a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 31W (TC)
NTMS4920NR2G onsemi NTMS4920NR2G -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMS4920 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 30 v 10.6A (TA) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 58.9 NC @ 10 v ± 20V 4068 pf @ 25 v - 820MW (TA)
NTP18N06L onsemi NTP18N06L -
RFQ
 ECAD 5242 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP18N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 15A (TC) 5V 100mohm @ 7.5a, 5V 2V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 10V 440 pf @ 25 v - 48.4W (TC)
BZX79C51-T50A onsemi BZX79C51-T50A -
RFQ
 ECAD 8603 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C51 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 500 NA @ 35.7 v 51 v 180 옴
MBR20H100CTG onsemi MBR20H100CTG -
RFQ
 ECAD 8193 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20H100 Schottky TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
1N5259B_T50R onsemi 1N5259B_T50R -
RFQ
 ECAD 4966 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5259 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 30 v 39 v 80 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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