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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
MJH11019G onsemi MJH11019G 4.9900
RFQ
ECAD 5018 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MJH11019 150 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 200 v 15 a 1MA pnp- 달링턴 4V @ 150MA, 15a 400 @ 10a, 5V 3MHz
FDS6898A onsemi FDS6898A 1.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS6898 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 9.4A 14mohm @ 9.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 23NC @ 4.5V 1821pf @ 10V 논리 논리 게이트
NSV40302PDR2G onsemi NSV40302PDR2G 0.9500
RFQ
ECAD 2615 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NSV40302 653MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,500 40V 3A 100NA (ICBO) NPN, PNP 115mv @ 200ma, 2a 180 @ 1a, 2v 100MHz
SFGH15T120SMD-F155 onsemi SFGH15T120SMD-F155 -
RFQ
ECAD 5875 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 SFGH15 - 488-SFGH15T120SMD-F155 귀 99 8541.29.0095 1
NTMFS4846NT3G onsemi NTMFS4846NT3G -
RFQ
ECAD 4432 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 12.7A (TA), 100A (TC) 4.5V, 11.5V 3.4mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 53 NC @ 11.5 v ± 20V 3250 pf @ 12 v - 890MW (TA), 55.5W (TC)
BC237B_S00Z onsemi BC237B_S00Z -
RFQ
ECAD 4436 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC237 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 250MHz
MCR12LD onsemi MCR12LD -
RFQ
ECAD 2392 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 MCR12 TO-220 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 20 MA 400 v 12 a 800 MV 100A @ 60Hz 8 MA 2.2 v 7.6 a 10 µA 표준 표준
NDS8434A onsemi NDS8434A -
RFQ
ECAD 6009 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS843 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 7.8A (TA) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 7.9a, 4.5v 1V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 8V 1730 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
MPSA64G onsemi MPSA64G -
RFQ
ECAD 9306 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPSA64 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MPSA64GOS 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
HUF76013P3 onsemi HUF76013P3 -
RFQ
ECAD 6946 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 huf76 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 20 v 20A (TC) 5V, 10V 22MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 624 pf @ 20 v - 50W (TC)
FJN3309RTA onsemi fjn3309rta -
RFQ
ECAD 6873 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 fjn330 300MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
2SA2205-TL-E onsemi 2SA2205-TL-E -
RFQ
ECAD 8966 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SA2205 800MW TP-FA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 700 100 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 240mv @ 100ma, 1a 200 @ 100ma, 5V 300MHz
SBC846BDW1T1G onsemi SBC846BDW1T1G 0.4800
RFQ
ECAD 41 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SBC846 380MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
KSA910OBU onsemi KSA910OBU -
RFQ
ECAD 3725 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 KSA910 800MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 6,000 150 v 50 MA 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1ma, 10ma 70 @ 10ma, 5V 100MHz
MBRB2515L onsemi MBRB2515L -
RFQ
ECAD 6684 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB2515 Schottky d²pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 15 v 450 mV @ 25 a 15 ma @ 15 v 100 ° C (() 25A -
1N4153TR onsemi 1N4153tr -
RFQ
ECAD 1469 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4153 기준 DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 30,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 880 mV @ 20 ma 4 ns 50 Na @ 50 v 175 ° C (°) 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
1N5403 onsemi 1N5403 -
RFQ
ECAD 6474 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5403 기준 Do-201ad 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 300 v 1.2 v @ 3 a 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
BCV26_L99Z onsemi BCV26_L99Z -
RFQ
ECAD 6285 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV26 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 220MHz
FGB40N6S2T onsemi FGB40N6S2T -
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FGB4 기준 290 W. d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 390V, 20A, 3OHM, 15V - 600 v 75 a 180 a 2.7V @ 15V, 20A 115µJ (on), 195µJ (OFF) 35 NC 8ns/35ns
FSBS10CH60 onsemi FSBS10CH60 -
RFQ
ECAD 3201 0.00000000 온세미 Motion-SPM® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 27-powerdip ip (1.205 ", 30.60mm) IGBT FSBS10 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 3 단계 10 a 600 v 2500VRMS
SBC846BLT1G onsemi SBC846BLT1G 0.3100
RFQ
ECAD 83 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SBC846 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC308ATF onsemi BC308ATF -
RFQ
ECAD 6942 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC308 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 100 MA 15NA PNP 500mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 130MHz
TIP117TU onsemi tip117tu -
RFQ
ECAD 9829 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 tip117 2 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 100 v 2 a 2MA pnp- 달링턴 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4v -
KST5088MTF onsemi KST5088MTF -
RFQ
ECAD 1180 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST50 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 50 MA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 300 @ 100µa, 5V 50MHz
MBR1535CTG onsemi MBR1535CTG 1.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1535 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 7.5A 840 mV @ 15 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
MMUN2232LT1 onsemi MMUN2232LT1 -
RFQ
ECAD 6959 0.00000000 온세미 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 MMUN2232 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
KSB1151YSTSSTU onsemi KSB1151YSTSSTU -
RFQ
ECAD 2248 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 KSB11 1.3 w TO-126-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 60 v 5 a 10µA (ICBO) PNP 300mv @ 200ma, 2a 160 @ 2a, 1V -
1N4729A_T50R onsemi 1N4729A_T50R -
RFQ
ECAD 9570 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4729 1 W. DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 µa @ 1 v 3.6 v 10 옴
SZMMSZ5267BT1G onsemi SZMMSZ5267BT1G 0.3700
RFQ
ECAD 2842 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SZMMSZ52XXXT1G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 SZMMSZ52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 56 v 75 v 270 옴
KSC2383OTA onsemi KSC2383OTA 0.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) KSC2383 900 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 160 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 200ma, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고