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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MJF6668G onsemi MJF6668G -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MJF66 2 w TO-220FP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 10 a 10µA pnp- 달링턴 3V @ 100MA, 10A 3000 @ 3A, 4V -
FDD5680 onsemi FDD5680 1.3900
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD568 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 8.5A (TA) 6V, 10V 21mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1835 pf @ 30 v - 2.8W (TA), 60W (TC)
FGB30N6S2T onsemi FGB30N6S2T -
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FGB3 기준 167 w d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 390V, 12a, 10ohm, 15V - 600 v 45 a 108 a 2.5V @ 15V, 12a 55µJ (on), 110µJ (OFF) 23 NC 6ns/40ns
BC33816TA onsemi BC33816TA -
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC338 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
MJE700G onsemi MJE700G -
RFQ
 ECAD 6512 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 MJE700 40 W. TO-126 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJE700GOS 귀 99 8541.29.0095 500 60 v 4 a 100µA pnp- 달링턴 2.5V @ 30MA, 1.5A 750 @ 1.5a, 3v -
NTD4909NAT4G onsemi NTD4909NAT4G -
RFQ
 ECAD 8409 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD49 MOSFET (금속 (() DPAK - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.8A (TA), 41A (TC) 8mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 17.5 nc @ 10 v 1314 pf @ 15 v - -
MMBFJ211 onsemi MMBFJ211 0.4200
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 25 v 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBFJ2 - JFET SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 n 채널 20MA - - -
NVTFWS016N06CTAG onsemi NVTFWS016N06CTAG 0.6742
RFQ
 ECAD 7006 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFWS016 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVTFWS016N06CTAGTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 8A (TA), 32A (TC) 10V 16.3mohm @ 5a, 10V 4V @ 25µA 6.9 NC @ 10 v ± 20V 489 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 36W (TC)
FDD6606 onsemi FDD6606 -
RFQ
 ECAD 7076 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD660 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 75A (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 17a, 10V 3V @ 250µA 31 NC @ 5 v ± 20V 2400 pf @ 15 v - 71W (TC)
BC557B_J35Z onsemi BC557B_J35Z -
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC557 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
SCH1332-TL-W onsemi SCH1332-TL-W -
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SCH133 MOSFET (금속 (() SOT-563/SCH6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 1.8V, 4.5V 95mohm @ 1.5a, 4.5v 1.3v @ 1ma 4.6 NC @ 4.5 v ± 10V 375 pf @ 10 v - 1W (TA)
MMDL914T1 onsemi MMDL914T1 -
RFQ
 ECAD 3607 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-76, SOD-323 MMDL91 기준 SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
2SC3503ESTU onsemi 2SC3503ESTU -
RFQ
 ECAD 8115 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 2SC3503 7 W. TO-126-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 60 300 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 2ma, 20ma 100 @ 10ma, 10V 150MHz
FQD3P50TF onsemi FQD3P50TF -
RFQ
 ECAD 8782 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 500 v 2.1A (TC) 10V 4.9ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 660 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
FFPF30UP20DNTU onsemi ffpf30up20dntu -
RFQ
 ECAD 5298 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FFPF30 기준 TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 15a 1.15 V @ 15 a 45 ns 100 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C
2SB1203T-E onsemi 2SB1203T-E -
RFQ
 ECAD 4808 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SB1203 1 W. TP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 50 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 550MV @ 150MA, 3A 200 @ 500ma, 2v 130MHz
SS9013FTA onsemi ss9013fta -
RFQ
 ECAD 6478 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 SS9013 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 20 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 50ma, 500ma 78 @ 50MA, 1V -
BC183_D26Z onsemi BC183_D26Z -
RFQ
 ECAD 9271 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC183 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 40 @ 10µa, 5V 150MHz
MC1413DR2 onsemi MC1413DR2 -
RFQ
 ECAD 9347 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MC1413D - 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 50V 500ma - 7 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma 1000 @ 350MA, 2V -
BC560BU onsemi BC560BU -
RFQ
 ECAD 1526 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC560 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
FJY4013R onsemi fjy4013r -
RFQ
 ECAD 1972 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-89, SOT-490 fjy401 200 MW SC-89-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
BCP56-10T1G onsemi BCP56-10T1G 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 1.5 w SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 130MHz
2SC6098-E onsemi 2SC6098-E -
RFQ
 ECAD 3142 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SC6098 800MW TP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 80 v 2.5 a 1µA (ICBO) NPN 165MV @ 50MA, 1A 300 @ 100MA, 5V 350MHz
BSS84LT1 onsemi BSS84LT1 -
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 250µA 30 pf @ 5 v -
NTZD3154NT1H onsemi ntzd3154nt1h -
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NTZD3154 MOSFET (금속 (() 250MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 540ma 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V -
NRVBS240LT3G-VF01 onsemi NRVBS240LT3G-VF01 -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB NRVBS24 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 430 mv @ 2 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MURB1660CT onsemi murb1660ct -
RFQ
 ECAD 5986 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB murb16 기준 d²pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 8a 1.5 v @ 8 a 60 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C
1N5236B_T50R onsemi 1N5236B_T50R -
RFQ
 ECAD 5749 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5236 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
FJA4313OTU onsemi fja4313otu 4.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FJA4313 130 W. 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 30 250 v 17 a 500NA (ICBO) NPN 3V @ 800ma, 8a 35 @ 7a, 5V 30MHz
BC32825_J35Z onsemi BC32825_J35Z -
RFQ
 ECAD 5662 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC328 625 MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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