SIC
close

불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX84C4V7ET1 onsemi BZX84C4V7ET1 -
RFQ
 ECAD 3714 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C4 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
HUFA75307D3ST onsemi hufa75307d3st -
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 15A (TC) 10V 90mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 20 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 45W (TC)
NTLGF3402PT1G onsemi ntlgf3402pt1g -
RFQ
 ECAD 6416 0.00000000 온세미 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 NTLGF34 MOSFET (금속 (() 6-DFN (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.3A (TA) 2.5V, 4.5V 140mohm @ 2.7a, 4.5v 2V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 12V 350 pf @ 10 v - 1.14W (TA)
MJD117 onsemi MJD117 -
RFQ
 ECAD 7492 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD11 1.75 w DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 100 v 2 a 20µA pnp- 달링턴 3V @ 40MA, 4A 1000 @ 2a, 3v 25MHz
BC546ABU onsemi BC546ABU 0.3900
RFQ
 ECAD 2200 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC546 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
MUN5330DW1T1G onsemi mun5330dw1t1g 0.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 mun5330 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250mv @ 5ma, 10ma 3 @ 5ma, 10V - 1kohms 1kohms
2N6727 onsemi 2N6727 -
RFQ
 ECAD 4874 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-237AA 2N6727 1 W. TO-237 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 92PU51A 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 2 a - PNP 500mv @ 100ma, 1a 50 @ 1a, 1v 500MHz
MPSA43G onsemi MPSA43G -
RFQ
 ECAD 3204 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPSA43 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 200 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 25 @ 1ma, 10V 50MHz
BC307 onsemi BC307 -
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC307 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA PNP 500mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 130MHz
FDC655AN onsemi FDC655AN -
RFQ
 ECAD 9787 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC655 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6.3A (TA) 4.5V, 10V 27mohm @ 6.3a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V 830 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
MMSZ28VCF onsemi MMSZ28VCF -
RFQ
 ECAD 6778 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ28 1 W. SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 21 v 28 v 15 옴
PN3645_D75Z onsemi PN3645_D75Z -
RFQ
 ECAD 3729 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN364 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 60 v 800 MA 35NA PNP 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
BC328TFR onsemi BC328Tfr -
RFQ
 ECAD 6050 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC328 625 MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
MMSZ5234ET1 onsemi MMSZ5234ET1 -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5234 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
MTB50P03HDLT4 onsemi MTB50P03HDLT4 -
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MTB50 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 30 v 50A (TC) 25mohm @ 25a, 5V 2V @ 250µA 100 nc @ 5 v 4900 pf @ 25 v -
MM3Z3V9T1G onsemi MM3Z3V9T1G 0.2000
RFQ
 ECAD 2177 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MM3Z3 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
MBRA1H100T3G onsemi MBRA1H100T3G 0.9400
RFQ
 ECAD 2095 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA MBRA1H100 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 760 mV @ 1 a 40 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
SMUN5112T1G onsemi smun5112t1g 0.3400
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 smun5112 202 MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 250MV @ 300µA, 10MA 60 @ 5MA, 10V 22 KOHMS 22 KOHMS
NSBC114TPDXV6T1G onsemi NSBC114TPDXV6T1G 0.1051
RFQ
 ECAD 5702 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NSBC114 500MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250mv @ 1ma, 10ma 160 @ 5MA, 10V - 10kohms -
HUFA75337S3S onsemi HUFA75337S3S -
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB hufa75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 109 NC @ 20 v ± 20V 1775 pf @ 25 v - 175W (TC)
NTMSD6N303R2 onsemi NTMSD6N303R2 -
RFQ
 ECAD 5822 0.00000000 온세미 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMSD6 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 950 pf @ 24 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
BD435S onsemi BD435S -
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD435 36 w TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 32 v 4 a 100µA NPN 500mv @ 200ma, 2a 40 @ 10ma, 5V 3MHz
NSVMMUN2232LT1G onsemi NSVMMUN2232LT1G 0.3300
RFQ
 ECAD 830 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVMMUN2232 246 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 1ma, 10ma 15 @ 5ma, 10V 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BAT54A onsemi BAT54A -
RFQ
 ECAD 1852 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200ma 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C
2SA2125-TD-E onsemi 2SA2125-TD-E 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SA2125 3.5 w PCP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 2a 200 @ 100ma, 2v 390MHz
FCPF260N60E-F152 onsemi FCP260N60E-F152 -
RFQ
 ECAD 7741 0.00000000 온세미 Superfet® II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF260 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15A (TC) 260mohm @ 7.5a, 10V 3.5V @ 250µA 62 NC @ 10 v 2500 pf @ 25 v - 36W (TC)
NTQD6968NR2 onsemi NTQD6968NR2 -
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NTQD69 MOSFET (금속 (() 1.39W 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 6.2A 22mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 17NC @ 4.5V 630pf @ 16v 논리 논리 게이트
BF421ZL1 onsemi BF421ZL1 -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BF421 830 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
KSA733OBU onsemi KSA733OBU -
RFQ
 ECAD 5484 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA733 250 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 70 @ 1ma, 6V 180MHz
2N4921 onsemi 2N4921 -
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 2N4921 30 w TO-126 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 40 v 1 a 500µA NPN 600mv @ 100ma, 1a 30 @ 500ma, 1V 3MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다