SIC
close

불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MBRA1H100T3G onsemi MBRA1H100T3G 0.9400
RFQ
 ECAD 2095 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA MBRA1H100 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 760 mV @ 1 a 40 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
SMUN5112T1G onsemi smun5112t1g 0.3400
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 smun5112 202 MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 250MV @ 300µA, 10MA 60 @ 5MA, 10V 22 KOHMS 22 KOHMS
NSBC114TPDXV6T1G onsemi NSBC114TPDXV6T1G 0.1051
RFQ
 ECAD 5702 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NSBC114 500MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250mv @ 1ma, 10ma 160 @ 5MA, 10V - 10kohms -
HUFA75337S3S onsemi HUFA75337S3S -
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB hufa75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 109 NC @ 20 v ± 20V 1775 pf @ 25 v - 175W (TC)
NTMSD6N303R2 onsemi NTMSD6N303R2 -
RFQ
 ECAD 5822 0.00000000 온세미 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMSD6 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 950 pf @ 24 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
NSVMMUN2232LT1G onsemi NSVMMUN2232LT1G 0.3300
RFQ
 ECAD 830 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVMMUN2232 246 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 1ma, 10ma 15 @ 5ma, 10V 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BAT54A onsemi BAT54A -
RFQ
 ECAD 1852 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200ma 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C
2SA2125-TD-E onsemi 2SA2125-TD-E 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SA2125 3.5 w PCP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 2a 200 @ 100ma, 2v 390MHz
FCPF260N60E-F152 onsemi FCP260N60E-F152 -
RFQ
 ECAD 7741 0.00000000 온세미 Superfet® II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF260 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15A (TC) 260mohm @ 7.5a, 10V 3.5V @ 250µA 62 NC @ 10 v 2500 pf @ 25 v - 36W (TC)
NTQD6968NR2 onsemi NTQD6968NR2 -
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NTQD69 MOSFET (금속 (() 1.39W 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 6.2A 22mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 17NC @ 4.5V 630pf @ 16v 논리 논리 게이트
BF421ZL1 onsemi BF421ZL1 -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BF421 830 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
KSA733OBU onsemi KSA733OBU -
RFQ
 ECAD 5484 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA733 250 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 70 @ 1ma, 6V 180MHz
2N4921 onsemi 2N4921 -
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 2N4921 30 w TO-126 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 40 v 1 a 500µA NPN 600mv @ 100ma, 1a 30 @ 500ma, 1V 3MHz
FJN4301RTA onsemi fjn4301rta -
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 fjn430 300MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
NTB75N06LT4 onsemi NTB75N06LT4 -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB75 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTB75N06LT4OS 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 75A (TA) 5V 11mohm @ 37.5a, 5V 2V @ 250µA 92 NC @ 5 v ± 20V 4370 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 214W (TJ)
BD680AG onsemi BD680AG 0.4473
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD680 40 W. TO-126 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 80 v 4 a 500µA pnp- 달링턴 2.8V @ 40MA, 2A 750 @ 2a, 3v -
NSTB1002DXV5T1 onsemi NSTB1002DXV5T1 -
RFQ
 ECAD 9047 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-553 NSTB10 500MW SOT-553 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 50V, 40V 100ma, 200ma 500NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 250mv @ 300µa, 10ma / 400mv @ 5ma, 50ma 80 @ 5ma, 10v / 100 @ 1ma, 10V 250MHz 47kohms 47kohms
FDS4072N3 onsemi FDS4072N3 -
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 FDS40 MOSFET (금속 (() 8- flmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 12.4A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 13.7a, 10v 3V @ 250µA 46 NC @ 4.5 v ± 12V 4299 pf @ 20 v - 3W (TA)
BC850BLT1G onsemi BC850BLT1G 0.1200
RFQ
 ECAD 171 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
MJL3281A onsemi MJL3281A -
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA MJL32 200 w TO-264 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 25 260 v 15 a 50µA (ICBO) NPN 3v @ 1a, 10a 75 @ 5a, 5V 30MHz
KSA1142YSTU onsemi KSA1142YSTU -
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 KSA11 1.2 w TO-126-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 60 180 v 100 MA 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 160 @ 10ma, 5V 180MHz
RURG3020CC onsemi RURG3020CC 5.1700
RFQ
 ECAD 2999 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 Rurg3020 기준 TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 RURG3020CC-NDR 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 30A 1 V @ 30 a 50 ns 250 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
SMBZ1442LT1 onsemi SMBZ1442LT1 0.0200
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000
2N3905TFR onsemi 2N3905Tfr -
RFQ
 ECAD 2171 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N3905 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 40 v 200 MA - PNP 400mv @ 5ma, 50ma 50 @ 10ma, 1v -
MPSA42RLRA onsemi MPSA42RLRA -
RFQ
 ECAD 6990 0.00000000 온세미 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 MPSA42 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000
FJP5321TU onsemi FJP5321TU -
RFQ
 ECAD 8157 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FJP532 100 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 500 v 5 a 100µA (ICBO) NPN 1V @ 600MA, 3A 15 @ 600ma, 5V 14MHz
BS170-D75Z onsemi BS170-D75Z 0.4100
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BS170 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 10 v - 830MW (TA)
IRFR220BTM_FP001 onsemi IRFR220BTM_FP001 -
RFQ
 ECAD 5654 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 4.6A (TC) 10V 800mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 30V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 40W (TC)
FJNS3202RTA onsemi FJNS3202RTA -
RFQ
 ECAD 1817 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 fjns32 300MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BD1366STU onsemi BD1366STU -
RFQ
 ECAD 1937 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD136 1.25 w TO-126-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 45 v 1.5 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다