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불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 전류 전류 (ID) - 최대
KSD471ACYBU onsemi KSD471ACYBU 0.4200
RFQ
 ECAD 5239 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSD471 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 1V 130MHz
2SC6098-TL-E onsemi 2SC6098-TL-E -
RFQ
 ECAD 9169 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SC6098 800MW TP-FA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 700 80 v 2.5 a 1µA (ICBO) NPN 165MV @ 50MA, 1A 300 @ 100MA, 5V 350MHz
NVMFS5C670NLWFT3G onsemi NVMFS5C670NLWFT3G -
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 17A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 6.1mohm @ 35a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 61W (TC)
FGY120T65SPD-F085 onsemi FGY120T65SPD-F085 15.4300
RFQ
 ECAD 406 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 fgy120 기준 882 w TO-247-3 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 120A, 5ohm, 15V 123 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 240 a 378 a 1.85V @ 15V, 120A 6.8µJ (on), 3.5µJ (OFF) 162 NC 53ns/102ns
SZMM3Z5V6T1G onsemi szmm3z5v6t1g 0.3500
RFQ
 ECAD 9341 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 szmm3 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
SZMMSZ4711T1G onsemi szmmsz4711t1g 0.3700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 SZMMSZ4711 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 NA @ 20.4 v 27 v
BC856BLT3 onsemi BC856BLT3 -
RFQ
 ECAD 1745 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi fga25n120antdtu-f109 -
RFQ
 ECAD 7814 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FGA25N120 기준 312 w to-3p 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 350 ns npt와 트렌치 1200 v 50 a 90 a 2.65V @ 15V, 50A 4.1mj (on), 960µJ (OFF) 200 NC 50ns/190ns
2N6341G onsemi 2N6341G -
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 2N6341 200 w To-204 (To-3) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 100 150 v 25 a 50µA NPN 1.8V @ 2.5A, 25A 50 @ 500ma, 2v 40MHz
BZX79C24 onsemi BZX79C24 -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C24 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BZX79C24-488 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
BF246A_J35Z onsemi BF246A_J35Z -
RFQ
 ECAD 6753 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BF246 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 - 30 v 30 ma @ 15 v 600 mV @ 100 NA
KSC3488GTA onsemi KSC3488GTA -
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 KSC3488 300MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 25 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 30ma, 300ma 200 @ 50MA, 1V -
CPH5905G-TL-E onsemi CPH5905G-TL-E -
RFQ
 ECAD 9918 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 50V NPN, 15V N- 채널 범용 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 CPH5905 5-CPH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150ma npn, 50ma n- 채널 NPN, N-,
MCH3383-TL-W onsemi MCH3383-TL-W -
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MCH3383 MOSFET (금속 (() SC-70FL/MCPH3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 3.5A (TA) 0.9V, 2.5V 69mohm @ 1.5a, 2.5v 800mv @ 1ma 6.2 NC @ 2.5 v ± 5V 1010 pf @ 6 v - 1W (TA)
2SK3666-3-TB-E onsemi 2SK3666-3-TB-E -
RFQ
 ECAD 2574 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK3666 200 MW SMCP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 4pf @ 10V 1.2 ma @ 10 v 180 mV @ 1 µA 200 옴 10 MA
DTA143Z onsemi DTA143Z 0.0200
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 DTA143 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0095 1
NVMFS5A140PLZT3G onsemi NVMFS5A140PLZT3G -
RFQ
 ECAD 5188 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 20A (TA), 140A (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 50a, 10V 2.6v @ 1ma 136 NC @ 10 v ± 20V 7400 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
NSVMMUN2135LT1G onsemi NSVMMUN2135LT1G 0.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVMMUN2135 246 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V 2.2 Kohms 47 Kohms
FDS6892AZ onsemi FDS6892AZ -
RFQ
 ECAD 7342 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS68 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 7.5A 18mohm @ 7.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 1286pf @ 10V 논리 논리 게이트
NRVBAF2H100T3G onsemi NRVBAF2H100T3G -
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 NRVBAF2H100 - 488-NRVBAF2H100T3GTR 귀 99 8541.10.0080 1
MPS651RLRB onsemi MPS651RLRB 0.0700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0095 2,000
KBU6M onsemi KBU6M -
RFQ
 ECAD 8807 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU6 기준 KBU 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 6 a 5 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
MMSZ5223BT1G onsemi MMSZ5223BT1G 0.2400
RFQ
 ECAD 248 0.00000000 온세미 MMSZ52XXXT1G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ522 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
NVMFS021N10MCLT1G onsemi NVMFS021N10MCLT1G 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 8.4A (TA), 31A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 7a, 10V 3V @ 42µA 13 nc @ 10 v ± 20V 850 pf @ 50 v - 3.6W (TA), 49W (TC)
2SD1060R-1E onsemi 2SD1060R-1E -
RFQ
 ECAD 8067 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2SD1060 1.75 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 50 v 5 a 100µA (ICBO) NPN 300mv @ 300ma, 3a 100 @ 1a, 2v 30MHz
NDF06N60ZG onsemi NDF06N60ZG -
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NDF06 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 100µa 47 NC @ 10 v ± 30V 1107 pf @ 25 v - 35W (TC)
MMSZ5236BT1 onsemi MMSZ5236BT1 -
RFQ
 ECAD 3446 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ523 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
2SB1225 onsemi 2SB1225 0.4300
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
NSBA113EDXV6T1G onsemi NSBA113EDXV6T1G 0.0698
RFQ
 ECAD 1848 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NSBA113 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 250mv @ 5ma, 10ma 3 @ 5ma, 10V - 1kohms 1kohms
SBE002-TL-W onsemi SBE002-TL-W -
RFQ
 ECAD 2447 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-23-6 SBE002 Schottky 6-CPH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 550 mV @ 1 a 10 ns 80 µa @ 25 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 52pf @ 10V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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