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디스크리트 반도체(26937)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 입력 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼진 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 전압 - 온상태(Vtm)(최대) 현재 - 일시적 상태(최대) SCR 유형 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
SZ1SMA5939BT3G onsemi SZ1SMA5939BT3G 0.8800
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 ECAD 3 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 DO-214AC, SMA SZ1SMA5939 1.5W SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5V @ 200mA 500nA @ 29.7V 39V 45옴
FDB8444TS onsemi FDB8444TS -
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 ECAD 6976 0.00000000 온세미 파워트렌치® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-6, D²Pak(5리드 + 탭), TO-263BA FDB844 MOSFET(금속) TO-263-5 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 40V 20A(Ta), 70A(Tc) 10V 5m옴 @ 70A, 10V 4V @ 250μA 338nC @ 20V ±20V 25V에서 8410pF - 181W(Tc)
NXH100B120H3Q0PTG onsemi NXH100B120H3Q0PTG 90.1200
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 ECAD 24 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 NXH100 186W 기준 22-PIM(55x32.5) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-NXH100B120H3Q0PTG EAR99 8541.29.0095 24 2개의 면 트렌치 필드스톱 1200V 50A 2.3V @ 15V, 50A 200μA 아니요 20V에서 9.075nF
NRVHP620MFDT1G onsemi NRVHP620MFDT1G 1.3700
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 ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 8파워TDFN NRVHP620 쇼트키 8-DFN(5x6) 이중 명칭(SO8FL-이중) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 2개의 면 200V 3A 1V @ 3A 25ns 200V에서 500nA -55°C ~ 175°C
SGB15N40CLT4 onsemi SGB15N40CLT4 1.1800
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 ECAD 8 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 SGB15N - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 800
NRTS860PFST3G onsemi NRTS860PFST3G 0.9100
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 ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-277, 3-PowerDFN NRTS860 쇼트키 TO-277-3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 5,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 640mV @ 8A 60V에서 70μA -55°C ~ 175°C 8A 870pF @ 1V, 1MHz
FGD3N60LSDTM onsemi FGD3N60LSDTM 1.3600
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 ECAD 7055 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 FGD3N60 기준 40W TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 480V, 3A, 470옴, 10V 234ns - 600V 6A 25A 1.5V @ 10V, 3A 250μJ(켜짐), 1mJ(꺼짐) 12.5nC 40ns/600ns
2SA2169-H-TL-E onsemi 2SA2169-H-TL-E -
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 ECAD 2785 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 2SA2169 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 488-2SA2169-H-TL-E EAR99 8541.29.0095 1
MBRS130T3H onsemi MBRS130T3H -
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 ECAD 2733 0.00000000 온세미 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 DO-214AA, SMB MBRS130 쇼트키 건축 - ROHS3 준수 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 600mV @ 1A 30V에서 1mA -65°C ~ 125°C 1A -
MBRS340 onsemi MBRS340 -
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 ECAD 1226 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 DO-214AB, SMC MBRS340 쇼트키 SMC (DO-214AB) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 525mV @ 3A 40V에서 2mA -65°C ~ 125°C 4A -
FFSH15120ADN-F155 onsemi FFSH15120ADN-F155 2000년 12월
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 ECAD 580 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-3 FFSH15120 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 450 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 1200V 8A(DC) 1.75V @ 8A 1200V에서 200μA -55°C ~ 175°C
NRVBB41H100CTT4G onsemi NRVBB41H100CTT4G -
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 ECAD 2400 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB NRVBB41 기준 D²PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 800 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍의 세션이 시작됩니다 100V 20A 40A에서 900mV 100V에서 10μA -65°C ~ 175°C
BZX84C10_S00Z onsemi BZX84C10_S00Z -
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 ECAD 4307 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C10 550mW SOT-23-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 200nA @ 7V 10.05V 10옴
1N5335BRLG onsemi 1N5335BRLG 0.4900
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 ECAD 1736년 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 T-18, 축 1N5335 5W 축방향 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 4,000 1.2V @ 1A 50μA @ 1V 3.9V 2옴
1N5233B_T50R onsemi 1N5233B_T50R -
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 ECAD 1051 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 1N5233 500mW DO-35 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2V @ 200mA 3.5V에서 5μA 6V 7옴
MMBZ5243ELT1G onsemi MMBZ5243ELT1G -
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 ECAD 5105 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -55°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225mW SOT-23-3(TO-236) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 500nA @ 9.9V 13V 13옴
MCR218-006 onsemi MCR218-006 -
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 ECAD 2884 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 스루홀 TO-220-3 MCR21 TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 500 30mA 400V 8A 1.5V 100A @ 60Hz 25mA 1.8V 10μA 표준화된 치료
NTBG025N065SC1 onsemi NTBG025N065SC1 22.3500
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 ECAD 800 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA NTBG025 SiCFET(탄화규소) D2PAK-7 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 650V 106A(Tc) 15V, 18V 28.5m옴 @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164nC @ 18V +22V, -8V 325V에서 3480pF - 395W(Tc)
NVTFS5C471NLWFTAG onsemi NVTFS5C471NLWFTAG 1.6200
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 ECAD 4474 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN NVTFS5 MOSFET(금속) 8-WDFN(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 40V 41A (Tc) 4.5V, 10V 9m옴 @ 10A, 10V 2.2V @ 20μA 5.5nC @ 4.5V ±20V 25V에서 660pF - 30W(Tc)
NTMFS5C628NLT1G onsemi NTMFS5C628NLT1G 5.1200
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 ECAD 426 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerTDFN, 5리드 NTMFS5 MOSFET(금속) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 60V 15A(Tc) 4.5V, 10V 2.4m옴 @ 50A, 10V 2V @ 135μA 52nC @ 10V ±20V 3600pF @ 25V - 3.7W(Ta), 110W(Tc)
ISL9V5045S3S onsemi ISL9V5045S3S -
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 ECAD 3700 0.00000000 온세미 EcoSPARK® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB ISL9 논리 300W D²PAK(TO-263) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 300V, 1k옴, 5V - 480V 51A 1.6V @ 4V, 10A - 32nC -/10.8μs
MMSZ5222BT1 onsemi MMSZ5222BT1 -
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 ECAD 6757 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123 MMSZ522 500mW SOD-123 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 100μA @ 1V 2.5V 30옴
1SMA5920BT3G onsemi 1SMA5920BT3G 0.4700
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 ECAD 1158 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 DO-214AC, SMA 1SMA5920 1.5W SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5V @ 200mA 2.5μA @ 4V 6.2V 2옴
MBRM120ET1G onsemi MBRM120ET1G 0.6400
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 ECAD 4792 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-216AA MBRM120 쇼트키 파워마이트 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 530mV @ 1A 20V에서 10μA -65°C ~ 150°C 1A -
BC327TFR onsemi BC327TFR -
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 ECAD 7850 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 327년 625mW TO-92-3 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 800mA 100nA PNP 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
1N979B_T50A onsemi 1N979B_T50A -
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 ECAD 6127 0.00000000 온세미 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 1N979 500mW DO-35 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 5,000 42.6V에서 5μA 56V 150옴
MCH6321-TL-W onsemi MCH6321-TL-W -
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 ECAD 6194 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 MCH63 MOSFET(금속) 6-MCPH 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4A(타) 1.8V, 4.5V 83m옴 @ 2A, 4.5V - 4.6nC @ 4.5V ±10V 10V에서 375pF - 1.5W(타)
FQB17P06TM onsemi FQB17P06TM -
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 ECAD 8772 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB FQB1 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 P채널 60V 17A(TC) 10V 120m옴 @ 8.5A, 10V 4V @ 250μA 27nC @ 10V ±25V 25V에서 900pF - 3.75W(Ta), 79W(Tc)
FYP2010DNTU onsemi FYP2010DNTU -
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 ECAD 4766 0.00000000 온세미 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 2010년도 쇼트키 TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 100V 20A 770mV @ 10A 100V에서 100μA -65°C ~ 150°C
SBAS21LT3G onsemi SBAS21LT3G 0.3500
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 ECAD 57 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SBAS21 기준 SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 10,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 250V 1.25V @ 200mA 50ns 200V에서 100nA -55°C ~ 150°C 200mA 5pF @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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