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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | HUF75639S3S | - | ![]() | 5656 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 56A (TC) | 10V | 25mohm @ 56a, 10V | 4V @ 250µA | 130 nc @ 20 v | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V3040D3ST-F085C | 1.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | Ecospark® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | ISL9V3040 | 논리 | 150 W. | D-PAK (TO-252) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 300V, 1000ohm, 5V | 7 µs | - | 430 v | 21 a | 1.6V @ 4V, 6A | - | 17 NC | -/4µs | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTBL050N65S3H | 10.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | MOSFET (금속 (() | 8-HPSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NTBL050N65S3HTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 650 v | 49A (TC) | 10V | 50mohm @ 24.5a, 10V | 4V @ 4.8mA | 98 NC @ 10 v | ± 30V | 4880 pf @ 400 v | - | 305W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS2582 | 1.2700 | ![]() | 1019 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS25 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 4.1A (TA) | 6V, 10V | 66mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1290 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB633E | 0.3100 | ![]() | 5115 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 2156-2SB633E | 900 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVD6416ANT4G | - | ![]() | 2774 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVD641 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 10V | 81mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 25 v | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB110N15A | 5.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB110 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 92A (TC) | 10V | 11mohm @ 92a, 10V | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 4510 pf @ 75 v | - | 234W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqd4n20ltf | - | ![]() | 9653 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD4 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 3.2A (TC) | 5V, 10V | 1.35ohm @ 1.6a, 10V | 2V @ 250µA | 5.2 NC @ 5 v | ± 20V | 310 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4392LT1 | - | ![]() | 1285 | 0.00000000 | 온세미 | * | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | MMBF43 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTNS2K1P021ZTCG | 0.6000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | NTNS2 | MOSFET (금속 (() | 3-XDFN (0.42x0.62) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | p 채널 | 20 v | 127MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 5ohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 8V | 12800 pf @ 15 v | - | 125MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC3346DR2 | - | ![]() | 3261 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH4021-TL-H | - | ![]() | 3013 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 리드 | MCH4021 | 400MW | 4-mcph | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 17.5dB | 8V | 150ma | NPN | 60 @ 50MA, 5V | 16GHz | 1.2db @ 1GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fdpf4d5n10c | 6.3600 | ![]() | 948 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FDPF4 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-FDPF4D5N10C-488 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 128A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 310µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 5065 pf @ 50 v | - | 2.4W (TA), 37.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH3476-TL-H | - | ![]() | 4371 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-3 3 리드 | MCH3476 | MOSFET (금속 (() | SC-70FL/MCPH3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 125mohm @ 1a, 4.5v | - | 1.8 nc @ 4.5 v | ± 12V | 128 pf @ 10 v | - | 800MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP110N65F | 6.8600 | ![]() | 3605 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET®, SUPERFET® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FCP110 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 35A (TC) | 10V | 110mohm @ 17.5a, 10V | 5V @ 3.5mA | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 4895 pf @ 100 v | - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB9N25TM | - | ![]() | 2005 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB9 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 9.4A (TC) | 10V | 420mohm @ 4.7a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 700 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3951E | 0.3600 | ![]() | 8494 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 88 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | szmm3z10vst1g | 0.4800 | ![]() | 119 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | szmm3z10 | 300MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 500 na @ 6 v | 10 v | 15 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8852H | - | ![]() | 5906 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | NDS885 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 30V | 4.3a, 3.4a | 80mohm @ 3.4a, 10V | 2.8V @ 250µA | 25NC @ 10V | 300pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP104N60 | 6.2900 | ![]() | 345 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FCP104 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 37A (TC) | 10V | 104mohm @ 18.5a, 10V | 3.5V @ 250µA | 82 NC @ 10 v | ± 20V | 4165 pf @ 380 v | - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDV301N | 0.3400 | ![]() | 645 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FDV301 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 220MA (TA) | 2.7V, 4.5V | 4ohm @ 400ma, 4.5v | 1.06V @ 250µA | 0.7 nc @ 4.5 v | ± 8V | 9.5 pf @ 10 v | - | 350MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGL40N150DTU | - | ![]() | 4330 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | SGL40 | 기준 | 200 w | TO-264-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 300 ns | - | 1500 v | 40 a | 120 a | 4.7V @ 15V, 40A | - | 140 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBB10CH120DF | 38.5800 | ![]() | 3077 | 0.00000000 | 온세미 | spm® 3 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 27-powerdip ip (1.205 ", 30.60mm) | IGBT | FSBB10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 60 | 3 단계 | 10 a | 1.2kV | 2500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATP401-TL-H | - | ![]() | 2231 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | atpak (2 2+탭) | ATP401 | MOSFET (금속 (() | atpak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 50a, 10V | - | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 17000 pf @ 20 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH041N65F-F155 | - | ![]() | 8923 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET®, SUPERFET® II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FCH041 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 650 v | 76A (TC) | 10V | 41mohm @ 38a, 10V | 5V @ 7.6MA | 294 NC @ 10 v | ± 20V | 13020 pf @ 100 v | - | 595W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5355BG | 0.4900 | ![]() | 5190 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5355 | 5 w | 축 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 13.7 v | 18 v | 2.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C10LT3G | - | ![]() | 2492 | 0.00000000 | 온세미 | bzx84cxxxlt1g | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C10 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 200 na @ 7 v | 10 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP170N60 | 6.9700 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FCP170 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 22A (TC) | 10V | 170mohm @ 11a, 10V | 3.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 2860 pf @ 380 v | - | 227W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002 | 0.3500 | ![]() | 5307 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMJD012N06CLTWG | 0.7134 | ![]() | 4638 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | NVMJD012 | MOSFET (금속 (() | 3.2W (TA), 42W (TC) | 8-LFPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVMJD012N06CLTWGTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 11.5A (TA), 42A (TC) | 11.9mohm @ 25a, 10V | 2.2V @ 30µA | 11.5NC @ 10V | 792pf @ 25v | - |
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