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디스크리트 반도체(26937)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	테스트 조건	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	다이오드	전압 - 역방향(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
EFC8822R-X-TF	-	보상요청	2791	온세미	*	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우					EFC8822		-			-		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	5,000													-
2SC4983-6-TB-E	0.0600	보상요청	138	온세미	*	대부분	활동적인										-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	3,000
FQB34P10TM-F085	-	보상요청	8224	온세미	자동차, AEC-Q101, QFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	FQB34P10		MOSFET(금속)		D²PAK(TO-263)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800			P채널		100V	33.5A(Tc)	10V	60m옴 @ 16.75A, 10V	4V @ 250μA	110nC @ 10V	±25V	2910pF @ 25V	-	3.75W(Ta), 155W(Tc)
SMBD1106LT3	0.0200	보상요청	60	온세미	*	대부분	활동적인										-	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.39.0001	10,000
STD1059-001	0.2400	보상요청	15	온세미	*	대부분	활동적인										-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1
NZ9F2V4T5G	0.3200	보상요청	7	온세미	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOD-923	NZ9F2			250mW	SOD-923	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	8,000																		900mV @ 10mA		50μA @ 1V															2.4V	100옴
FDD120AN15A0	0.9100	보상요청	4813	온세미	파워트렌치®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	FDD120		MOSFET(금속)		TO-252AA	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널		150V	2.8A(Ta), 14A(Tc)	6V, 10V	120m옴 @ 4A, 10V	4V @ 250μA	14.5nC @ 10V	±20V	25V에서 770pF	-	65W(Tc)
NSV60201SMTWTBG	0.2218	보상요청	9297	온세미	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-WDFN옆패드	NSV60201			1.8W	6-WDFN(2x2)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	3,000																									60V	2A								100nA(ICBO)			NPN	250mV @ 200mA, 2A	150 @ 100mA, 2V	180MHz
FFSP1065B-F085	4.3700	보상요청	3091	온세미	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			스루홀	TO-220-2	FFSP1065		SiC(탄화규소) 쇼트키		TO-220-2	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2832-FFSP1065B-F085	EAR99	8541.10.0080	800		복구 시간 없음 > 500mA(Io)														650V		1.7V @ 10A	0ns	650V에서 40μA	-55°C ~ 175°C	10A	421pF @ 1V, 100kHz
SBRB81545CTT4G	-	보상요청	8063	온세미	스위치 모드™	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.			표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	SBRB81		쇼트키		D²PAK	다운로드	ROHS3 준수	2(1년)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	800		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													1쌍씩 시작됩니다	45V	7.5A	840mV @ 15A		45V에서 100μA	-65°C ~ 175°C
NTC040N120SC1	20.2120	보상요청	7383	온세미	-	쟁반	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	분수			SiCFET(탄화규소)		분수	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	488-NTC040N120SC1	EAR99	8541.29.0095	1			N채널		1200V	60A(Tc)	20V	56m옴 @ 35A, 20V	4.3V @ 10mA	106nC @ 20V	+25V, -15V	800V에서 1781pF	-	348W(Tc)
BC557BG	-	보상요청	6660	온세미	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	BC557			625mW	TO-92 (TO-226)	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	5,000																									45V	100mA								100nA			PNP	650mV @ 5mA, 100mA	180 @ 2mA, 5V	320MHz
2SK3748-1E	-	보상요청	9720	온세미	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	SC-94	2SK3748		MOSFET(금속)		TO-3PF-3	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30			N채널		1500V	4A(타)	10V	7옴 @ 2A, 10V	-	80nC @ 10V	±20V	30V에서 790pF	-	3W(Ta), 65W(Tc)
HUFA75823D3ST	-	보상요청	3972	온세미	UltraFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	HUFA75		MOSFET(금속)		TO-252AA	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널		150V	14A(TC)	10V	150m옴 @ 14A, 10V	4V @ 250μA	54nC @ 20V	±20V	25V에서 800pF	-	85W(Tc)
MUR3040	2.8500	보상요청	17	온세미	*	대부분	활동적인										다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.10.0080	1
BC640-016G	-	보상요청	3236	온세미	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	BC640			625mW	TO-92 (TO-226)	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	5,000																									80V	500mA								100nA(ICBO)			PNP	500mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 2V	150MHz
NVTYS007N04CTWG	0.6142	보상요청	8578	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	SOT-1205, 8-LFPAK56			MOSFET(금속)		8-LFPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	488-NVTYS007N04CTWGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000			N채널		40V	14A(Ta), 49A(Tc)	10V	8.6m옴 @ 15A, 10V	3.5V @ 30μA	10nC @ 10V	±20V	25V에서 674pF	-	3.1W(Ta), 38W(Tc)
SZMMSZ5254ET1G	0.4600	보상요청	6889	온세미	자동차, AEC-Q101, SZMMSZ52xxxT1G	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	±5%	-55°C ~ 150°C	표면 실장	SOD-123	SZMMSZ52			500mW	SOD-123	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																		900mV @ 10mA		100nA @ 21V															27V	41옴
NTMFD0D9N02P1E	-	보상요청	2807	온세미	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN	NTMFD0D9		MOSFET(금속)	960mW(Ta), 1.04W(Ta)	8-PQFN(5x6)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	요청 시 REACH 정보 제공	2832-NTMFD0D9N02P1ETR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N채널(이중) 배열				30V, 25V	14A(타), 30A(타)		3m옴 @ 20A, 10V, 720μ옴 @ 41A, 10V	340μA에서 2V, 1mA에서 2V	9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V		1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V	-
CPH6444-TL-E	-	보상요청	2092	온세미	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6	CPH6444		MOSFET(금속)		6-CPH	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000			N채널		60V	4.5A(타)	4V, 10V	78m옴 @ 2A, 10V	-	10nC @ 10V	±20V	505pF @ 20V	-	1.6W(타)
FDM606P	-	보상요청	7714	온세미	파워트렌치®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SMD, 플랫 리드형 패드	FDM606		MOSFET(금속)		8-MLP, 마이크로FET(3x2)	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000			P채널		20V	6.8A(Tc)	1.8V, 4.5V	30m옴 @ 6.8A, 4.5V	250μA에서 1.5V	30nC @ 4.5V	±8V	10V에서 2200pF	-	1.92W(타)
FGA30T65SHD	4.8400	보상요청	1047	온세미	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	FGA30T65	기준		238W	TO-3PN	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	450				400V, 30A, 6옴, 15V															31.8ns					트렌치 필드스톱	650V	60A	90A	2.1V @ 15V, 30A	598μJ(켜짐), 167μJ(꺼짐)	54.7nC	14.4ns/52.8ns
FCP4N60	2.3200	보상요청	273	온세미	SuperFET™	튜브	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	FCP4		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널		600V	3.9A(Tc)	10V	1.2옴 @ 2A, 10V	5V @ 250μA	16.6nC @ 10V	±30V	25V에서 540pF	-	50W(Tc)
MMBZ5234BLT3G	-	보상요청	5115	온세미	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52			225mW	SOT-23-3(TO-236)	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	10,000																		900mV @ 10mA		4V에서 5μA															6.2V	7옴
NSS40200UW6T1G	-	보상요청	9307	온세미	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-WDFN옆패드	NSS40200			875mW	6-WDFN(2x2)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																									40V	2A								100nA(ICBO)			PNP	300mV @ 20mA, 2A	150 @ 1A, 2V	140MHz
RURP1560-F085	-	보상요청	1072	온세미	자동차, AEC-Q101	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	TO-220-2	RURP1560		기준		TO-220-2	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	800		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)														600V		1.5V @ 15A	70ns	600V에서 100μA	-55°C ~ 175°C	15A	-
1N5333BG	0.4900	보상요청	1304	온세미	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	T-18, 축	1N5333			5W	축방향	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	1,000																		1.2V @ 1A		300μA @ 1V															3.3V	3옴
MB10S	0.6000	보상요청	60	온세미	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-269AA, 4-BESOP	MB10		기준		4-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	3,000																		1V @ 500mA		1000V에서 5μA		500mA										단상	1kV
SMBZ1660LT1	0.0200	보상요청	123	온세미	*	대부분	활동적인										-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0050	3,000
NXH010P120MNF1PTG	179.9900	보상요청	4791	온세미	-	쟁반	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	기준기준	NXH010		실리콘 카바이드(SiC)	250W(티제이)	-	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	488-NXH010P120MNF1PTG	EAR99	8541.29.0095	28	2 N채널(이중) 둘째 소스				1200V(1.2kV)	114A(Tc)		14m옴 @ 100A, 20V	4.3V @ 40mA	454nC @ 20V		800V에서 4707pF	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(26937)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²