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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
NXV65HR82DS2 onsemi NXV65HR82DS2 31.1900
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 16-ssip 노출 ip, 형성 된 리드 MOSFET 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NXV65HR82DS2 귀 99 8542.39.0001 72 h 브리지 26 a 650 v 5000VRMS
GFA00KA-L09W-PRD onsemi GFA00KA-L09W-PRD -
RFQ
 ECAD 5998 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 488-GFA00KA-L09W-PRD 쓸모없는 1
NVTFS8D1N08HTAG onsemi NVTFS8D1N08HTAG 1.3000
RFQ
 ECAD 6564 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-nvtfs8d1n08htagtr 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 14A (TA), 61A (TC) 6V, 10V 8.3mohm @ 16a, 10V 4V @ 270µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1450 pf @ 40 v - 3.8W (TA), 75W (TC)
NTMFSC010N08M7 onsemi NTMFSC010N08M7 1.6500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 온세미 듀얼 듀얼 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6.15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12.5A (TA), 61A (TC) 10V 10MOHM @ 10A, 10V 4.5V @ 120µA 38 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 40 v - 3.3W (TA), 78.1W (TC)
PCRU3060W onsemi PCRU3060W -
RFQ
 ECAD 9604 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-PCRU3060W 귀 99 8541.29.0095 1
FDWS86381-F085 onsemi FDWS86381-F085 -
RFQ
 ECAD 2367 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FDWS86381-F085TR 3,000
PCG20N60A4W onsemi PCG20N60A4W -
RFQ
 ECAD 6515 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-PCG20N60A4W 귀 99 8541.29.0095 1
FDMS3622SF121 onsemi FDMS3622SF121 -
RFQ
 ECAD 3882 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 FDMS3622 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 -
PCISL9R860W onsemi PCISL9R860W -
RFQ
 ECAD 1386 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
RHRD660S9A-S2515P onsemi RHRD660S9A-S2515P -
RFQ
 ECAD 8243 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 눈사태 TO-252AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 488-RHRD660S9A-S2515PTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 v @ 6 a 35 ns 100 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
RHRP860-R4647P onsemi RHRP860-R4647P -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 눈사태 TO-220-2L - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 488-RHRP860-R4647PTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 V @ 8 a 35 ns 100 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
NTSAF545T3G onsemi NTSAF545T3G -
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 Schottky SMA-FL 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 488-NTSAF545T3GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 5 a 9.5 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a -
NSR15406NXT5G onsemi NSR15406NXT5G -
RFQ
 ECAD 7693 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1
FQB7P20TM-F085P onsemi FQB7P20TM-F085P -
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FQB7P20TM-F085PTR 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 7.3A (TC) 10V 690mohm @ 3.65a, 10V 5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 770 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 90W (TC)
SBR50-16JS onsemi SBR50-16JS 1.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-SBR50-16JS-488 1
NRVBA210LT3G onsemi NRVBA210LT3G -
RFQ
 ECAD 1786 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky SMA 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-NRVBA210LT3G-488 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 10 v 350 mV @ 2 a 700 µa @ 10 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
NGTB50N120FL2WAG onsemi NGTB50N120FL2WAG 1.0000
RFQ
 ECAD 8914 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-NGTB50N120FL2WAG-488 1
CPH6424-TL-E onsemi CPH6424-TL-E 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-CPH6424-TL-E-488 1
NCG225L75NF8M1 onsemi NCG225L75NF8M1 -
RFQ
 ECAD 3294 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 NCG225 기준 웨이퍼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NCG225L75NF8M1TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 225A, 2ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 750 v 225 a 675 a 1.75V @ 15V, 200a - 690 NC 104ns/122ns
NTMFS4983NBFT1G onsemi NTMFS4983NBFT1G -
RFQ
 ECAD 4386 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTMFS4983NBFT1GTR 쓸모없는 1,500
NVH4L022N120M3S onsemi NVH4L022N120M3S 42.4100
RFQ
 ECAD 8966 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NVH4L022N120M3S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 68A (TC) 18V 30mohm @ 40a, 18V 4.4V @ 20MA 151 NC @ 18 v +22V, -10V 3175 pf @ 800 v - 352W (TC)
DSF10TE-BT onsemi DSF10TE-BT 0.0600
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-DSF10TE-BT-488 1
DFD05TG-BT onsemi DFD05TG-BT 0.0200
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-DFD05TG-BT-488 1
DFD05TL-BT onsemi DFD05TL-BT 0.0200
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-DFD05TL-BT-488 1
PCFG75N60SMF onsemi PCFG75N60SMF -
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 488-PCFG75N60SMFTR 쓸모없는 2,500
PCG30N60A4W onsemi PCG30N60A4W -
RFQ
 ECAD 3253 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 488-PCG30N60A4WTR 쓸모없는 2,500
NTPF360N65S3H onsemi NTPF360N65S3H 5.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 10A (TJ) 10V 360mohm @ 5a, 10V 4V @ 700µA 17.5 nc @ 10 v ± 30V 916 pf @ 400 v - 26W (TC)
NTMT190N65S3H onsemi NTMT190N65S3H 5.4500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 Superfet® III 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn MOSFET (금속 (() 4-TDFN (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTMT190N65S3HTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 16A (TC) 10V 190mohm @ 8a, 10V 4V @ 1.4ma 31 NC @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 400 v - 129W (TC)
SSVPZT75111G onsemi SSVPZT75111G -
RFQ
 ECAD 5548 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-SSVPZT75111GTR 쓸모없는 1,000
SZMM5Z43VT1G onsemi szmm5z43vt1g 0.0598
RFQ
 ECAD 1169 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SZMM5ZXXXT1G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.98% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 500MW SOD-523 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-szmm5z43vt1gtr 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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