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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | EFC4630R-TR | - | ![]() | 9188 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA | EFC4630 | MOSFET (금속 (() | 1.6W | EFCP1313-4CC-037 | - | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 24V | 6A (TA) | 45mohm @ 3a, 4.5v | 1.3v @ 1ma | 7NC @ 4.5V | - | 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C646NLWFT1G | - | ![]() | 2207 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 20A (TA), 93A (TC) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 33.7 NC @ 10 v | ± 20V | 2164 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J304_D26Z | - | ![]() | 2792 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 30 v | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | J304 | - | JFET | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | n 채널 | 15MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SFT1341-C-TL-E | - | ![]() | 7694 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SFT134 | MOSFET (금속 (() | DPAK/TP-FA | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 10A (TA) | 112mohm @ 5a, 4.5v | 1.4V @ 1mA | 8 NC @ 4.5 v | 650 pf @ 20 v | - | 1W (TA), 15W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLZ18VB | - | ![]() | 3040 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | FLZ18 | 500MW | SOD-80 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 13 v | 17.3 v | 19.4 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75545S3S | - | ![]() | 5219 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 75A (TC) | 10V | 10mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250µA | 235 NC @ 20 v | ± 20V | 3750 pf @ 25 v | - | 270W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | sgr15n40ltm | - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SGR15 | 기준 | 45 W. | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | 도랑 | 400 v | 130 a | 8V @ 4.5V, 130A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS2D5N08C | 3.0200 | ![]() | 2462 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS2D5 | MOSFET (금속 (() | 56 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 166A (TC) | 6V, 10V | 2.7mohm @ 68a, 10V | 4V @ 380µA | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 6240 pf @ 40 v | - | 138W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3341-TL-E | 0.2500 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | MOSFET (금속 (() | 3-cph | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 5A (TA) | 45mohm @ 2.5a, 10V | - | 21.8 nc @ 10 v | 1115 pf @ 10 v | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR8H100MFST1G | 0.7800 | ![]() | 8929 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | MBR8H100 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 900 mV @ 8 a | 2 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVTFWS052P04M8LTAG | 0.9100 | ![]() | 8917 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFWS052 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | p 채널 | 40 v | 4.7A (TA), 13.2A (TC) | 4.5V, 10V | 69mohm @ 5a, 10V | 2.4V @ 95µA | 6.3 NC @ 10 v | ± 20V | 424 pf @ 20 v | - | 2.9W (TA), 23W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZ1SMB5934BT3G | 0.8300 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SZ1SMB5934 | 3 w | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 18.2 v | 24 v | 19 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | szmm5z8v2t5g | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.1% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | SZMM5 | 500MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD10N20CTM | - | ![]() | 2561 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD10N20 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 7.8A (TC) | 10V | 360mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 30V | 510 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTHL040N65S3F | 16.7100 | ![]() | 8407 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | NTHL040 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 65A (TC) | 10V | 40mohm @ 32.5a, 10V | 5V @ 6.5MA | 158 NC @ 10 v | ± 30V | 5940 pf @ 400 v | - | 446W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ngtb20n120ihlwg | - | ![]() | 8923 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | NGTB20 | 기준 | 192 w | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 20A, 10ohm, 15V | - | 1200 v | 40 a | 200a | 2.2V @ 15V, 20A | 700µJ (OFF) | 200 NC | -/235ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MCH6336-TL-E-ON | 0.1600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MOSFET (금속 (() | SC-88FL/ MCPH6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 5A (TA) | 43mohm @ 3a, 4.5v | 1.4V @ 1mA | 6.9 NC @ 4.5 v | ± 10V | 660 pf @ 6 v | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF18N50 | 3.0600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FDPF18 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 18A (TC) | 10V | 265mohm @ 9a, 10V | 5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 30V | 2860 pf @ 25 v | - | 38.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMBS5551 | - | ![]() | 7112 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | FMBS5 | 700 MW | SUPERSOT ™ -6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 160 v | 600 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 200mv @ 5ma, 50ma | 80 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF190N65FL1-F154 | 4.7500 | ![]() | 971 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET®, SUPERFET® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCPF190 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 20.6A (TC) | 190mohm @ 10a, 10V | 5V @ 2MA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 3055 PF @ 100 v | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C2V4_T50A | - | ![]() | 9564 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | BZX55C2 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.3 v @ 100 ma | 50 µa @ 1 v | 2.4 v | 85 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA18N50V2 | - | ![]() | 9188 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA1 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 500 v | 20A (TC) | 10V | 265mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 30V | 3290 pf @ 25 v | - | 277W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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