SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
EFC4630R-TR onsemi EFC4630R-TR -
RFQ
ECAD 9188 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA EFC4630 MOSFET (금속 (() 1.6W EFCP1313-4CC-037 - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 24V 6A (TA) 45mohm @ 3a, 4.5v 1.3v @ 1ma 7NC @ 4.5V - 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
NVMFS5C646NLWFT1G onsemi NVMFS5C646NLWFT1G -
RFQ
ECAD 2207 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 20A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 20V 2164 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
J304_D26Z onsemi J304_D26Z -
RFQ
ECAD 2792 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 30 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J304 - JFET To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 n 채널 15MA - - -
NHPM120T3G onsemi NHPM120T3G 0.3900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-216AA NHPM120 기준 Powermite 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 25 ns 500 na @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
HUF75339P3 onsemi HUF75339P3 1.9500
RFQ
ECAD 142 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 HUF75339 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2166-HUF75339P3-488 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 12MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 130 nc @ 20 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 200W (TC)
NTMFS5C677NLT1G onsemi ntmfs5c677nlt1g 4.8059
RFQ
ECAD 5192 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 11A (TA), 36A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 2V @ 25µA 9.7 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 3.5W (TA), 37W (TC)
SFT1341-C-TL-E onsemi SFT1341-C-TL-E -
RFQ
ECAD 7694 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SFT134 MOSFET (금속 (() DPAK/TP-FA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 10A (TA) 112mohm @ 5a, 4.5v 1.4V @ 1mA 8 NC @ 4.5 v 650 pf @ 20 v - 1W (TA), 15W (TC)
FSV10150V onsemi FSV10150V 0.8100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn FSV10150 Schottky TO-277-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 840 mV @ 10 a 20 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BD180 onsemi BD180 -
RFQ
ECAD 8678 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD180 30 w TO-126 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 80 v 3 a 1MA (ICBO) PNP 800mv @ 100ma, 1a 40 @ 150ma, 2v 3MHz
NRVBSS34FA onsemi NRVBSS34FA 0.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F NRVBSS34 Schottky SOD-123FL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 12 ns 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 152pf @ 4V, 1MHz
J175_D75Z onsemi J175_D75Z -
RFQ
ECAD 7943 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J175 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 - 30 v 7 ma @ 15 v 3 V @ 10 NA 125 옴
FLZ18VB onsemi FLZ18VB -
RFQ
ECAD 3040 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 FLZ18 500MW SOD-80 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.2 v @ 200 ma 133 na @ 13 v 17.3 v 19.4 옴
HUF75545S3S onsemi HUF75545S3S -
RFQ
ECAD 5219 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10v 4V @ 250µA 235 NC @ 20 v ± 20V 3750 pf @ 25 v - 270W (TC)
SGR15N40LTM onsemi sgr15n40ltm -
RFQ
ECAD 2330 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SGR15 기준 45 W. TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 - 도랑 400 v 130 a 8V @ 4.5V, 130A - -
FDMS2D5N08C onsemi FDMS2D5N08C 3.0200
RFQ
ECAD 2462 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS2D5 MOSFET (금속 (() 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 166A (TC) 6V, 10V 2.7mohm @ 68a, 10V 4V @ 380µA 84 NC @ 10 v ± 20V 6240 pf @ 40 v - 138W (TC)
CPH3341-TL-E onsemi CPH3341-TL-E 0.2500
RFQ
ECAD 53 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 MOSFET (금속 (() 3-cph 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TA) 45mohm @ 2.5a, 10V - 21.8 nc @ 10 v 1115 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
MBR8H100MFST1G onsemi MBR8H100MFST1G 0.7800
RFQ
ECAD 8929 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MBR8H100 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 8 a 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
NVTFWS052P04M8LTAG onsemi NVTFWS052P04M8LTAG 0.9100
RFQ
ECAD 8917 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFWS052 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 40 v 4.7A (TA), 13.2A (TC) 4.5V, 10V 69mohm @ 5a, 10V 2.4V @ 95µA 6.3 NC @ 10 v ± 20V 424 pf @ 20 v - 2.9W (TA), 23W (TC)
SZ1SMB5934BT3G onsemi SZ1SMB5934BT3G 0.8300
RFQ
ECAD 5678 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SZ1SMB5934 3 w SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
SZMM5Z8V2T5G onsemi szmm5z8v2t5g 0.4300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 SZMM5 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
FQD10N20CTM onsemi FQD10N20CTM -
RFQ
ECAD 2561 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD10N20 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 7.8A (TC) 10V 360mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 50W (TC)
NTHL040N65S3F onsemi NTHL040N65S3F 16.7100
RFQ
ECAD 8407 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NTHL040 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 65A (TC) 10V 40mohm @ 32.5a, 10V 5V @ 6.5MA 158 NC @ 10 v ± 30V 5940 pf @ 400 v - 446W (TC)
NGTB20N120IHLWG onsemi ngtb20n120ihlwg -
RFQ
ECAD 8923 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB20 기준 192 w TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 20A, 10ohm, 15V - 1200 v 40 a 200a 2.2V @ 15V, 20A 700µJ (OFF) 200 NC -/235ns
1SMA5923BT3 onsemi 1SMA5923BT3 -
RFQ
ECAD 1863 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5923 1.5 w SMA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 2.5 µa @ 6.5 v 8.2 v 3.5 옴
MCH6336-TL-E-ON onsemi MCH6336-TL-E-ON 0.1600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() SC-88FL/ MCPH6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 3,000 p 채널 12 v 5A (TA) 43mohm @ 3a, 4.5v 1.4V @ 1mA 6.9 NC @ 4.5 v ± 10V 660 pf @ 6 v - 1.5W (TA)
FDPF18N50 onsemi FDPF18N50 3.0600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF18 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 18A (TC) 10V 265mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 30V 2860 pf @ 25 v - 38.5W (TC)
FMBS5551 onsemi FMBS5551 -
RFQ
ECAD 7112 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FMBS5 700 MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
FCPF190N65FL1-F154 onsemi FCPF190N65FL1-F154 4.7500
RFQ
ECAD 971 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® II 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF190 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 20.6A (TC) 190mohm @ 10a, 10V 5V @ 2MA 78 NC @ 10 v ± 20V 3055 PF @ 100 v - 39W (TC)
BZX55C2V4_T50A onsemi BZX55C2V4_T50A -
RFQ
ECAD 9564 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55C2 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.3 v @ 100 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
FQA18N50V2 onsemi FQA18N50V2 -
RFQ
ECAD 9188 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 265mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 30V 3290 pf @ 25 v - 277W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고