| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 대책악 | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQB27N25TM-F085 | - | ![]() | 1227 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB27 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 250V | 25.5A(Tc) | 10V | 131m옴 @ 25.5A, 10V | 5V @ 250μA | 49nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1800pF | - | 417W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6513_D74Z | - | ![]() | 5083 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | MPS651 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 30V | 200mA | 50nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 50mA | 90 @ 2mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5502TU | 1.6600 | ![]() | 9864 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | KSC5502 | 50W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 488-KSC5502TU | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 600V | 2A | 100μA | NPN | 1.5V @ 200mA, 1A | 12 @ 500mA, 2.5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4737A_T50R | - | ![]() | 2243 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1N4737 | 1W | DO-41 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 5V에서 10μA | 7.5V | 4옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP41C | - | ![]() | 6309 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TIP41 | 65W | TO-220-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 100V | 6A | 700μA | NPN | 1.5V @ 600mA, 6A | 15 @ 3A, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRM140T3H | - | ![]() | 3289 | 0.00000000 | 온세미 | POWERMITE® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | DO-216AA | MBRM140 | 쇼트키 | 파워마이트 | - | ROHS3 준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 40V | 550mV @ 1A | 40V에서 500μA | -55°C ~ 125°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ653 | 2.8500 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 2SJ65 | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRD650CT1 | - | ![]() | 8491 | 0.00000000 | 온세미 | 스위치 모드™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MBRD650 | 쇼트키 | DPAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍씩 시작됩니다 | 50V | 3A | 700mV @ 3A | 50V에서 100μA | -65°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH40N65UFDTU | - | ![]() | 8281 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | FGH40 | 기준 | 290W | TO-247-3 | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10옴, 15V | 45ns | 필드스톱 | 650V | 80A | 120A | 2.4V @ 15V, 40A | 1.19mJ(켜짐), 460μJ(꺼짐) | 120nC | 24ns/112ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LSMBT1005LT1 | 0.0800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVBC143JPDXV6T1G | - | ![]() | 7104 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | NSVBC143 | 357mW | SOT-563 | 다운로드 | 488-NSVBC143JPDXV6T1GTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 500nA | NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) | 300μA, 10mA에서 250mV | 80 @ 5mA, 10V | - | 2.2k옴, 47k옴 | 47k옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N757A_S00Z | - | ![]() | 4548 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 1N757 | 500mW | DO-35 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.5V @ 200mA | 100nA @ 1V | 9.1V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTTFS4800NTAG | - | ![]() | 7570 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | NTTFS4 | MOSFET(금속) | 8-WDFN(3.3x3.3) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 30V | 5A(Ta), 32A(Tc) | 4.5V, 11.5V | 20m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 16.6nC @ 10V | ±20V | 15V에서 964pF | - | 860mW(Ta), 33.8W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ7V5T1G | 0.2100 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-123 | MMSZ7V5 | 500mW | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 5V에서 1μA | 7.5V | 15옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J113 | 0.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | J113 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | J113FS | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N채널 | - | 35V | 2mA @ 15V | 500mV @ 1μA | 100옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FLZ5V1A | - | ![]() | 7900 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±3% | -65°C ~ 175°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | FLZ5 | 500mW | SOD-80 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2V @ 200mA | 190nA @ 1.5V | 4.9V | 17옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB5N60UNDF | - | ![]() | 6364 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | FGB5N60 | 기준 | 73.5W | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 5A, 10옴, 15V | 35ns | NPT | 600V | 10A | 15A | 2.4V @ 15V, 5A | 80μJ(켜짐), 70μJ(꺼짐) | 12.1nC | 5.4ns/25.4ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP14TA | - | ![]() | 1165 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | KSP14 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1.5V @ 100μA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAC4DSM-001 | - | ![]() | 4860 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MAC4 | 아이팩 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 75 | 하나의 | 15mA | 논리 - 기억카드 | 600V | 4A | 1.3V | 40A @ 60Hz | 10mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5818RL | - | ![]() | 5714 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1N5818 | 쇼트키 | 축방향 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 550mV @ 1A | 30V에서 1mA | -65°C ~ 125°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4983NFT3G | - | ![]() | 1771년 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerTDFN, 5리드 | NTMFS4983 | MOSFET(금속) | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 22A(Ta), 106A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.1m옴 @ 30A, 10V | 2.3V @ 1mA | 47.9nC @ 10V | ±20V | 3250pF @ 15V | - | 1.7W(Ta), 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR58 | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSR58 | 250mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | - | 40V | 15V에서 8mA | 800mV @ 0.5nA | 60옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBE805-TL-E | - | ![]() | 4411 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-74A, SOT-753 | SBE805 | 쇼트키 | 5-CPH | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 2개의 면 | 30V | 500mA | 550mV @ 500mA | 10ns | 15V에서 30μA | -55°C ~ 125°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMD8260LET60 | - | ![]() | 8771 | 0.00000000 | 온세미 | 파워트렌치® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 12-PowerWDFN | FDMD8260 | MOSFET(금속) | 1.1W | 12-전력3.3x5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 15A | 5.8m옴 @ 15A, 10V | 3V @ 250μA | 68nC @ 10V | 5245pF @ 30V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PCISL9R860W | - | ![]() | 1386 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTD10N10ELT4 | - | ![]() | 3508 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MTD10 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 10A(TC) | 5V | 220m옴 @ 5A, 5V | 2V @ 250μA | 15nC @ 5V | ±15V | 25V에서 1040pF | - | 1.75W(Ta), 40W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTH11 | - | ![]() | 5460 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBTH11 | 225mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 25V | 50mA | NPN | 60 @ 4mA, 10V | 650MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5339BG | 0.4900 | ![]() | 3915 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | T-18, 축 | 1N5339 | 5W | 축방향 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2V @ 1A | 1μA @ 2V | 5.6V | 1옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMBZ5231BLT1 | 0.0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225mW | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 5μA @ 2V | 5.1V | 17옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF3N80 | - | ![]() | 5645 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | FQPF3 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 800V | 1.8A(Tc) | 10V | 5옴 @ 900mA, 10V | 5V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±30V | 25V에서 690pF | - | 39W(Tc) |

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