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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f 등급 자격
FDS6673BZ-G onsemi FDS6673BZ-G 0.6600
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2832-FDS6673BZ-GTR 귀 99 8541.29.0095 758 p 채널 30 v 14.5A (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 14.5a, 10V 3V @ 250µA 65 nc @ 5 v ± 25V 4700 pf @ 15 v - 1W (TA)
NVMFWS021N10MCLT1G onsemi NVMFWS021N10MCLT1G 0.4169
RFQ
 ECAD 2968 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVMFWS021N10MCLT1GTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 8.4A (TA), 31A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 7a, 10V 3V @ 42µA 13 nc @ 10 v ± 20V 850 pf @ 50 v - 3.6W (TA), 49W (TC)
ISL9V3036S3ST-F085C onsemi ISL9V3036S3ST-F085C -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 온세미 - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 논리 150 W. D²PAK-3 (TO-263-3) - 488-ISL9V3036S3ST-F085C 귀 99 8541.29.0095 1 - 2.1 µs - 360 v 21 a 1.6V @ 4V, 6A - 17 NC 700ns/4.8µs 자동차 AEC-Q101
FDBL9401-F085T6 onsemi FDBL9401-F085T6 8.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL9401 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FDBL9401-F085T6TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 58.4A (TA), 240A (TC) 0.67mohm @ 50a, 10V 4V @ 290µA 148 NC @ 10 v +20V, -16V 10000 pf @ 25 v - 4.3W (TA), 180.7W (TC)
FDS9435A-NBAD008 onsemi FDS9435A-NBAD008 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2832-FDS9435A-NBAD008tr 귀 99 8541.29.0095 2,273 p 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 25V 528 pf @ 15 v - 1W (TA)
FDS6676AS-G onsemi FDS6676AS-G 0.5600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2832-FDS6676AS-GTR 귀 99 8541.29.0095 893 n 채널 30 v 14.5A (TA) 4.5V, 10V 6MOHM @ 14.5A, 10V 3V @ 1mA 63 NC @ 10 v ± 20V 2510 pf @ 15 v - 1W (TA)
NVHL040N60S5F onsemi NVHL040N60S5F 10.7100
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NVHL040 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVHL040N60S5F 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 59A (TC) 10V 40mohm @ 29.5a, 10V 4.8V @ 7.2MA 115 NC @ 10 v ± 30V 6318 pf @ 400 v - 347W (TC)
NTC020N120SC1 onsemi NTC020N120SC1 -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 온세미 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 sicfet ((카바이드) 주사위 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NTC020N120SC1 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 103A (TC) 20V 28mohm @ 60a, 20V 4.3v @ 20ma 203 NC @ 20 v +25V, -15V 2890 pf @ 800 v - 535W (TC)
NTTFSS1D1N02P1E onsemi NTTFSS1D1N02P1E 1.0303
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-powerwdfn NTTFSS1 MOSFET (금속 (() 9-WDFN (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTTFSS1D1N02P1etr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 39A (TA), 264A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 27a, 10V 2V @ 934µA 60 nc @ 10 v ± 16V 4360 pf @ 13 v - 2W (TA), 89W (TC)
FDMS86369 onsemi FDMS86369 -
RFQ
 ECAD 6020 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFNW (5.2x6.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FDMS86369tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 65A (TC) 10V 7.5mohm @ 65a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 2470 pf @ 40 v - 107W (TC)
FDD86081-F085 onsemi FDD86081-F085 -
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 6.7A (TA), 21.4A (TC) 10V 31.5mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 36µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 493 pf @ 50 v - 3W (TA), 31.3W (TC)
NVTFS003N04CTAG onsemi NVTFS003N04CTAG 1.7000
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS003 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 22A (TA), 103A (TC) 10V 3.5mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 60µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 69W (TC)
NVMFS5833NLT1G onsemi NVMFS5833NLT1G -
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5833 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 16A (TA) 10V 7.5mohm @ 40a, 10V 3.5V @ 250µA 32.5 nc @ 10 v ± 20V 1714 pf @ 25 v - 3.7W (TA)
MPQ7091 onsemi MPQ7091 0.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1
NVMFS5C442NWFET1G onsemi NVMFS5C442NWFET1G 1.0181
RFQ
 ECAD 1941 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVMFS5C442NWFET1GTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 29A (TA), 140A (TC) 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 90µA 32 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 83W (TC)
NVD5890NLT4G-VF01 onsemi NVD5890NLT4G-VF01 -
RFQ
 ECAD 6667 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVD5890NLT4G-VF01TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 24A (TA), 123A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 20V 4760 pf @ 25 v - 4W (TA), 107W (TC)
BVSS84LT3G onsemi BVSS84LT3G -
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BVSS84 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 250µA 2.2 NC @ 10 v ± 20V 36 pf @ 5 v - 225MW (TA)
NVMFS5C430NLWFET1G onsemi NVMFS5C430NLWFET1G 1.3058
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVMFS5C430NLWFET1GTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 38A (TA), 200a (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
MV2109RLRAG onsemi MV2109RLRAG -
RFQ
 ECAD 1961 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) MV210 To-92 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 36.3pf @ 4V, 1MHz 하나의 30 v 3.2 C2/C30 200 @ 4V, 50MHz
FDMS86255ET150 onsemi FDMS86255ET150 6.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS86255 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 10A (TA), 63A (TC) 6V, 10V 12.4mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 4480 pf @ 75 v - 3.3W (TA), 136W (TC)
NTLJS3180PZTAG onsemi NTLJS3180PZTAG -
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 NTLJS31 MOSFET (금속 (() 6-wdfn (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 1.5V, 4.5V 3A @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 19.5 nc @ 4.5 v ± 8V 1100 pf @ 16 v - 700MW (TA)
MCH6331-TL-W onsemi MCH6331-TL-W -
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MCH63 MOSFET (금속 (() SC-88FL/MCPH6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TA) 4V, 10V 98mohm @ 1.5a, 10V 2.6v @ 1ma 5 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
MMBZ5257BLT3G onsemi MMBZ5257BLT3G -
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
1N966B_T50A onsemi 1N966B_T50A -
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N966 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 12.2 v 16 v 17 옴
FDD8770 onsemi FDD8770 -
RFQ
 ECAD 4139 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD877 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 35A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 73 NC @ 10 v ± 20V 3720 pf @ 13 v - 115W (TC)
1SMA5918BT3G onsemi 1SMA5918BT3G 0.4700
RFQ
 ECAD 5226 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5918 1.5 w SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 2.5 µa @ 2 v 5.1 v 4 옴
1N5228B_T50R onsemi 1N5228B_T50R -
RFQ
 ECAD 2847 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5228 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
1N5243B onsemi 1N5243B 0.1800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5243 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
1N6016B_T50A onsemi 1N6016B_T50A -
RFQ
 ECAD 8912 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6016 500MW DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 36 v 47 v 170 옴
BZX79C11-T50A onsemi BZX79C11-T50A 0.1700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C11 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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