SIC
close

불연속 불연속 제품 (26937)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
NRVS1JFL onsemi nrvs1jfl 0.3900
RFQ
 ECAD 8825 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-123F NRVS1 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 4pf @ 4V, 1MHz
NVD5407NT4G onsemi NVD5407NT4G -
RFQ
 ECAD 5811 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD5407 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 7.6A (TA), 38A (TC) 5V, 10V 26mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 32 v - 2.9W (TA), 75W (TC)
NVMFS6H858NWFT1G onsemi NVMFS6H858NWFT1G 2.3500
RFQ
 ECAD 2397 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 8.4A (TA), 29A (TC) 10V 20.7mohm @ 5a, 10V 4V @ 30µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 510 pf @ 40 v - 3.5W (TA), 42W (TC)
NVTFS002N04CTAG onsemi NVTFS002N04CTAG 2.5800
RFQ
 ECAD 9496 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS002 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 27A (TA), 136A (TC) 10V 2.4mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 90µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2250 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 85W (TC)
NVTFS6H880NWFTAG onsemi NVTFS6H880NWFTAG 0.8000
RFQ
 ECAD 7085 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS6 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 6.3A (TA), 21A (TC) 10V 32mohm @ 5a, 10V 4V @ 20µA 6.9 NC @ 10 v ± 20V 370 pf @ 40 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
NVTFWS010N10MCLTAG onsemi NVTFWS010N10MCLTAG 0.7602
RFQ
 ECAD 7058 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFWS010 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 11.7A (TA), 57.8A (TC) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 15a, 10V 3V @ 85µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 50 v - 3.2W (TA), 77.8W (TC)
SZMM5Z33VT5G onsemi szmm5z33vt5g 0.1061
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 SZMM5 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 23.2 v 33 v 80 옴
FDU5N60NZTU onsemi fdu5n60nztu -
RFQ
 ECAD 6764 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA FDU5N60 MOSFET (금속 (() DPAK3 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 25V 600 pf @ 25 v - 83W (TC)
FGD1240G2 onsemi FGD1240G2 2.0300
RFQ
 ECAD 9540 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 FGD1240 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,500
MM5Z4V3T5G onsemi MM5Z4V3T5G 0.0297
RFQ
 ECAD 1660 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.98% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 MM5Z4 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
MM5Z6V2ST5G onsemi MM5Z6V2ST5G 0.0439
RFQ
 ECAD 9691 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.18% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 MM5Z6 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
MM5Z9V1ST5G onsemi mm5z9v1st5g 0.0420
RFQ
 ECAD 4245 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.09% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 MM5Z9 500MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
NRVTS8H120EMFST1G onsemi NRVTS8H120EMFST1G 0.5358
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NRVTS8 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 765 MV @ 8 a 50 µa @ 120 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
NSV60201SMTWTBG onsemi NSV60201SMTWTBG 0.2218
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 NSV60201 1.8 w 6-wdfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 60 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 200ma, 2a 150 @ 100MA, 2V 180MHz
NTMTS0D7N04CTXG onsemi NTMTS0D7N04CTXG 7.6500
RFQ
 ECAD 5375 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMTS0 MOSFET (금속 (() 8-DFNW (8.3x8.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 65A (TA), 420A (TC) 10V 0.67mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 9230 pf @ 25 v - 4.9W (TA), 205W (TC)
NTMTS0D7N06CTXG onsemi NTMTS0D7N06CTXG 12.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMTS0 MOSFET (금속 (() 8-DFNW (8.3x8.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 60.5A (TA), 464A (TC) 10V 0.72mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 152 NC @ 10 v ± 20V 11535 pf @ 30 v - 5W (TA), 294.6W (TC)
NTMYS2D9N04CLTWG onsemi NTMYS2D9N04CLTWG 1.7177
RFQ
 ECAD 3623 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK ntmys2 MOSFET (금속 (() LFPAK4 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2832-ntmys2d9n04cltwgtr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 27A (TA), 110A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 40a, 10V 2V @ 11µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 20 v - 3.7W (TA), 68W (TC)
NVC6S5A444NLZT2G onsemi NVC6S5A444NLZT2G -
RFQ
 ECAD 4625 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 NVC6S5 MOSFET (금속 (() 6-CPH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 3.5A (TA) 4.5V, 10V 78mohm @ 2a, 10V 2.6v @ 1ma 10 nc @ 10 v ± 20V 505 pf @ 20 v - 970MW (TA)
NVB150N65S3F onsemi NVB150N65S3F 4.2100
RFQ
 ECAD 7952 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NVB150 MOSFET (금속 (() D²PAK-3 (TO-263-3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 150mohm @ 12a, 10V 5V @ 540µA 43 NC @ 10 v ± 30V 1999 pf @ 400 v 192w
NVMJS2D5N06CLTWG onsemi NVMJS2D5N06CLTWG 2.7500
RFQ
 ECAD 8333 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 NVMJS2 MOSFET (금속 (() 8-LFPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 31A (TA), 164A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 50a, 10V 2V @ 135µA 52 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 113W (TC)
ISL9V3040D3STV onsemi ISL9V3040D3STV 1.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, ECOSPARK® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ISL9V3040 논리 150 W. DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 6.5A, 470OHM, 5V 2.1 µs - 400 v 21 a 1.65V @ 4V, 6A - 17 NC 700ns/4.8µs
BSS138-G onsemi BSS138-G 0.5100
RFQ
 ECAD 6971 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 220MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 1mA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 27 pf @ 25 v - 360MW (TA)
NTMFSC0D9N04CL onsemi NTMFSC0D9N04CL 5.0500
RFQ
 ECAD 8318 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 8-powertdfn NTMFSC0 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 313A (TC) 4.5V, 10V - 2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 20V 8500 pf @ 20 v - 83W (TA)
NTMTS1D5N08H onsemi NTMTS1D5N08H 6.8100
RFQ
 ECAD 1385 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ntmts1d MOSFET (금속 (() 8-DFNW (8.3x8.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 36A (TA), 255A (TC) 6V, 10V 1.5mohm @ 90a, 10V 4V @ 490µA 125 nc @ 10 v ± 20V 8220 pf @ 40 v - 4.2W (TA), 208W (TC)
NVMFSC0D9N04CL onsemi NVMFSC0D9N04CL 5.5200
RFQ
 ECAD 7458 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn NVMFSC0 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6.15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 50A (TA), 316A (TC) 10V 0.87mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 4.1W (TA), 166W (TC)
NVMFS015N10MCLT1G onsemi NVMFS015N10MCLT1G 1.3200
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS015 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 10.5A (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 12.2mohm @ 14a, 10V 2.2V @ 282µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1338 pf @ 50 v - 3W (TA), 79W (TC)
BVSS138LT3G onsemi BVSS138LT3G -
RFQ
 ECAD 4834 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BVSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 3.5ohm @ 200ma, 5V 1.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
FGHL40S65UQ onsemi FGHL40S65UQ -
RFQ
 ECAD 1753 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGHL40 기준 231 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 FGHL40S65UQOS 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 6ohm, 15V 319 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 120 a 1.7V @ 15V, 40A 1.76mj (on), 362µJ (OFF) 306 NC 32ns/260ns
FGH25N120FTDS onsemi fgh25n120ftds -
RFQ
 ECAD 8509 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGH25 기준 313 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-fgh25n120ftds 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 535 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 75 a 2V @ 15V, 25A 1.42mj (on), 1.16mj (OFF) 169 NC 26ns/151ns
FCA36N60NF onsemi fca36n60nf -
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 온세미 FRFET®, Supremos® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FCA36N60 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-FCA36N60NF 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 34.9A (TC) 10V 95mohm @ 18a, 10V 5V @ 250µA 112 NC @ 10 v ± 30V 4245 pf @ 100 v - 312W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다