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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | BZX85C24 온 | 0.0300 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FAM65CR51ADZ2 | 38.7000 | ![]() | 3263 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 12-ssip 노출 ip, 형성 된 리드 | MOSFET | FAM65 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-FAM65CR51ADZ2 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 반 반 | 41 a | 650 v | 5000VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | NTP165N65S3H | 4.4800 | ![]() | 543 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NTP165N65S3H | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 19A (TC) | 10V | 165mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 1.6MA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1808 pf @ 400 v | - | 142W (TC) |
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