| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MCH3211-TL-E | 0.1600 | ![]() | 510 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUN2231T1G | 0.0257 | ![]() | 1676년 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MUN2231 | 338mW | SC-59 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250mV @ 5mA, 10mA | 8 @ 5mA, 10V | 2.2kΩ | 2.2kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFD1D1N02X | 0.9602 | ![]() | 9844 | 0.00000000 | 온세미 | 파워트렌치® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | NTMFD1 | MOSFET(금속) | 960mW(Ta), 27W(Tc), 1W(Ta), 44W(Tc) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 488-NTMFD1D1N02XTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 25V | 14A(Ta), 75A(Tc), 27A(Ta), 178A(Tc) | 3m옴 @ 20A, 10V, 870μ옴 @ 37A, 10V | 2.1V @ 240μA, 2.1V @ 850μA | 15nC @ 10V, 59nC @ 10V | 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NJVMD45H11T4G | - | ![]() | 9873 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | NJVMD45H11 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 488-NJVMD45H11T4GTR | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH5704-TL-E | 0.3000 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N916TR | - | ![]() | 8224 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 1N916 | 기준 | DO-35 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 100V | 1V @ 10mA | 4ns | 75V에서 5μA | -55°C ~ 175°C | 200mA | 2pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBT1587T1G | 0.2814 | ![]() | 1801 | 0.00000000 | 온세미 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | SMBT1587 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MVB50P03HDLT4G | - | ![]() | 3058 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MVB50 | MOSFET(금속) | D²PAK | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 30V | 50A(Tc) | 5V | 25m옴 @ 25A, 5V | 2V @ 250μA | 100nC @ 5V | ±15V | 25V에서 4900pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMBZ5242BLT1 | 0.0700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225mW | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 4,438 | 900mV @ 10mA | 9.1V에서 1μA | 12V | 30옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH6660-TL-H | - | ![]() | 4980 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-SMD, 플랫 리드 | MCH6660 | MOSFET(금속) | 800mW | 6-MCPH | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N 및 P 채널 | 20V | 2A, 1.5A | 136m옴 @ 1A, 4.5V | - | 1.8nC @ 4.5V | 128pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTPF360N65S3H | 5.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | SuperFET® III | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 10A(티제이) | 10V | 360m옴 @ 5A, 10V | 700μA에서 4V | 17.5nC @ 10V | ±30V | 400V에서 916pF | - | 26W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNB50560TD1 | - | ![]() | 4179 | 0.00000000 | 온세미 | 모션 SPM® 55 | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 20-PowerDIP 모듈(1.220", 31.00mm) | IGBT | FNB50 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2832-FNB50560TD1 | EAR99 | 8542.39.0001 | 78 | 3상 인버터 | 5A | 600V | 1500Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FYV0704SMTF | - | ![]() | 6003 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FYV07 | 쇼트키 | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 40V | 480mV @ 750mA | 40V에서 100μA | -65°C ~ 150°C | 750mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FLZ10VA | - | ![]() | 2526 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±3% | -65°C ~ 175°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | FLZ10 | 500mW | SOD-80 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2V @ 200mA | 110nA @ 7V | 9.4V | 6.6옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HBL2050RP | - | ![]() | 3619 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 488-HBL2050RP | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS0D8N02P1ET1G | 3.5900 | ![]() | 4352 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerTDFN, 5리드 | NTMFS0 | MOSFET(금속) | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 25V | 55A(Ta), 365A(Tc) | 4.5V, 10V | 0.68m옴 @ 46A, 10V | 2V @ 2mA | 52nC @ 4.5V | +16V, -12V | 8600pF @ 13V | - | 3.2W(Ta), 139W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTLJS7D2P02P8ZTAG | 0.8700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-파워WDFN | NTLJS7 | MOSFET(금속) | 6-PQFN(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 7.9A(타) | 2.5V, 4.5V | 9m옴 @ 10A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 26.7nC @ 4.5V | ±8V | 2790pF @ 10V | - | 860mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE210STU | - | ![]() | 9643 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | KSE21 | 15W | TO-126-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,920 | 25V | 5A | 100nA(ICBO) | PNP | 1.8V @ 1A, 5A | 45 @ 2A, 1V | 65MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4008R | - | ![]() | 6810 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-89, SOT-490 | FJY400 | 200mW | SC-89-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 68 @ 5mA, 5V | 200MHz | 47kΩ | 22kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NST846BF3T5G | 0.3500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-1123 | NST846 | 290mW | SOT-1123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRD116CTT4 | 0.1600 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | - | SBRD116 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N960B | - | ![]() | 2341 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 1N960 | 500mW | DO-35 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 6.9V에서 25μA | 9.1V | 7.5옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70TT1G | 0.1700 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | BAV70 | 기준 | SC-75, SOT-416 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 100V | 200mA(DC) | 1.25V @ 150mA | 6ns | 70V에서 5μA | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76645S3ST | - | ![]() | 3290 | 0.00000000 | 온세미 | UltraFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | HUFA76 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 14m옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 153nC @ 10V | ±16V | 25V에서 4400pF | - | 310W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVD5890NT4G-VF01 | 1.0000 | ![]() | 8859 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTSB20120CT-1G | - | ![]() | 9190 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | NTSB20120 | 쇼트키 | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 120V | 10A | 1.1V @ 10A | 120V에서 700μA | -40°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4716T1 | - | ![]() | 9047 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-123 | MMSZ47 | 500mW | SOD-123 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 10nA @ 29.6V | 39V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5256CT1G | - | ![]() | 3458 | 0.00000000 | 온세미 | MMSZ52xxxT1G | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-123 | MMSZ525 | 500mW | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 23V | 30V | 49옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5268BLT1G | 0.2200 | ![]() | 325 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5268 | 225mW | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 62V에서 100nA | 82V | 330옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD78N03R-035 | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 |

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