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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
FQNL1N50BBU onsemi fqnl1n50bbu -
RFQ
 ECAD 3324 0.00000000 온세미 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) fqnl1 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 270MA (TC) 10V 9ohm @ 135ma, 10V 3.7V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 1.5W (TC)
2N4410_D27Z onsemi 2N4410_D27Z -
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N4410 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 80 v 200 MA 10NA (ICBO) NPN 200mV @ 100µa, 1mA 60 @ 10ma, 1v -
FQP18N20V2 onsemi FQP18N20V2 -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP1 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 1080 pf @ 25 v - 123W (TC)
EFC4622R-R-W-E-TR onsemi EFC4622R-RWE-TR -
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - - - EFC4622 - - - - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
NTTFS4941NTWG onsemi NTTFS4941NTWG -
RFQ
 ECAD 4153 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4941 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 8.3A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 22.8 nc @ 10 v ± 20V 1619 pf @ 15 v - 840MW (TA), 25.5W (TC)
MMFZ47T1G onsemi MMFZ47T1G -
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - 표면 표면 SOD-123 MMFZ47 500MW SOD-123 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 47 v
SFP9Z24 onsemi SFP9Z24 -
RFQ
 ECAD 5720 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SFP9Z2 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 9.7A (TC) 10V 280mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 49W (TC)
FDMS8622 onsemi FDMS8622 1.3700
RFQ
 ECAD 3519 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS86 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.8A (TA), 16.5A (TC) 6V, 10V 56MOHM @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 31W (TC)
NTHS2101PT1G onsemi nths2101pt1g -
RFQ
 ECAD 1439 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8-smd,, 리드 nths21 MOSFET (금속 (() Chipfet ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 5.4A (TJ) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 5.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 8V 2400 pf @ 6.4 v - 1.3W (TA)
HUFA75433S3ST onsemi HUFA75433S3ST -
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB hufa75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 64A (TC) 10V 16mohm @ 64a, 10V 4V @ 250µA 117 NC @ 20 v ± 20V 1550 pf @ 25 v - 150W (TC)
NDS8858H onsemi NDS8858H -
RFQ
 ECAD 4176 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS885 MOSFET (금속 (() 1W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 6.3a, 4.8a 35mohm @ 4.8a, 10V 2.8V @ 250µA 30NC @ 10V 720pf @ 15V 논리 논리 게이트
MMBT2369LT1G onsemi MMBT2369LT1G -
RFQ
 ECAD 9282 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2369 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 15 v 200 MA 400NA NPN 250mv @ 1ma, 10ma 40 @ 10MA, 350MV -
HUF76429S3S onsemi HUF76429S3S -
RFQ
 ECAD 5308 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB huf76 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 47A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 47a, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 16V 1480 pf @ 25 v - 110W (TC)
FDD8444 onsemi FDD8444 2.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD844 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 145A (TC) 10V 5.2MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 116 NC @ 10 v ± 20V 6195 pf @ 25 v - 153W (TC)
2N5771_D26Z onsemi 2N5771_D26Z -
RFQ
 ECAD 8233 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5771 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 15 v 200 MA 10NA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 50 @ 10MA, 300MV -
FQD20N06TF onsemi FQD20N06TF -
RFQ
 ECAD 8278 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 16.8A (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
FCPF7N60T onsemi fcpf7n60t -
RFQ
 ECAD 4450 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF7 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 920 pf @ 25 v - 31W (TC)
NDP6060L onsemi NDP6060L 3.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NDP6060 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 NDP6060L-NDR 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 48A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 24a, 10V 2V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 16V 2000 pf @ 25 v - 100W (TC)
FQA13N50C onsemi FQA13N50C -
RFQ
 ECAD 1796 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 500 v 13.5A (TC) 10V 480mohm @ 6.75a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 218W (TC)
NTD5C648NLT4G onsemi NTD5C648NLT4G 4.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD5C648 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 22A (TA), 91A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 45a, 10V 2.1V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 30 v - 4.4W (TA), 76W (TC)
KSP10TA onsemi KSP10TA 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSP10 350MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 - 25V - NPN 60 @ 4ma, 10V 650MHz -
TIP49 onsemi 49 -
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 49 2 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,200 350 v 1 a 1MA NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300ma, 10V 10MHz
2SD1815S-TL-H onsemi 2SD1815S-TL-H -
RFQ
 ECAD 1902 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1815 1 W. TP-FA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 700 100 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 150ma, 1.5a 140 @ 500ma, 5V 180MHz
FJV992PMTF onsemi fjv992pmtf -
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV992 300MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 120 v 50 MA - PNP 300mv @ 1ma, 10ma 200 @ 1ma, 6v 50MHz
2SD1012F-SPA onsemi 2SD1012F-SPA -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 2SD1012 250 MW 3- 스파 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 15 v 700 MA 1µA (ICBO) NPN 80mv @ 10ma, 100ma 160 @ 50MA, 2V 250MHz
MPSA18 onsemi MPSA18 -
RFQ
 ECAD 2409 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPSA18 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 500 @ 10ma, 5V 160MHz
BC547CTF onsemi BC547CTF -
RFQ
 ECAD 8603 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC547 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
BC337-025G onsemi BC337-025G -
RFQ
 ECAD 3874 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BC337 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 210MHz
FDP42AN15A0 onsemi FDP42AN15A0 2.5800
RFQ
 ECAD 4204 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP42 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 5A (TA), 35A (TC) 6V, 10V 42mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 25 v - 150W (TC)
CPH3240-TL-E onsemi CPH3240-TL-E -
RFQ
 ECAD 7624 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 CPH3240 900 MW 3-cph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 40ma, 400ma 140 @ 100MA, 5V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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